“中国效应”下，2018年全球半导体资本支出将首破千亿美元大关

受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素，市场调查机构 IC insight 调查报告指出，2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。

报告中表示，之前在 2018 年 3 月份，IC insight 曾经预期 2018 年全年半导体的资本支出将成长 8%。如今，才不到一季的时间，IC insight 就把预估值由原本的 8% 上调至 14%。这样看来，2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关，而且金额将比 2016 年足足成长 53%。

报告中进一步指出，近两年来始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星，虽然 2018 年还未公布全年的资本支出金额，但三星的确说过，相比2017年，2018年在半导体上的资本支出要收缩。2017年三星在半导体领域豪掷242亿美元，为其过去三年平均资本支出的两倍以上，也是史上单一公司资本支出最高记录，适当收缩实属正常。但从实际表现来看，三星丝毫没有显示出收缩的迹象，仍然摆出“脚踩油门”要大干一场的架势。

事实上，三星在 2018 年第 1 季的半导体资本支出达到 67.2 亿美元，较之前 3 季水平略高。但是，若相较 2016 年同期，则已经成长近 4 倍的规模。累计过去 4 季以来，三星半导体部门的资本支出已经达到 266 亿美元的金额。

IC insight 预期，2018 年三星半导体的资本支出将在 200 亿元上下，略低于 2017 年 242 亿美元。不过，因为 2018 年首季就有较之前略高的成长。因此，最后的结果很 可能将比预期的 200 亿美元来的高。

另外，因为 NAND Flash 及 DRAM 的市场需求强劲，韩国存储器大厂 SK 海力士预期也将在 2018 年增加资本支出至 115 亿美元，较 2017 年的 81 亿美元成长 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的资本支出，将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外，还要扩大中国无锡的 DRAM 工厂。清州工厂在 2018 年年底前将开始兴建，而中国无锡 DRAM 厂的扩建，也计划在2018年年底前动工，这时间将比原计划的 2019 年初开工要早几个月。

在2017年之前，全球半导体资本支出高峰出现在2011年，当年资本支出为674亿美元。2017年资本支出达到900亿美元，同比增长34%，其中三星(242亿美元)贡献最多，扣除三星全行业增长为18%，因此IC Insights称之为“三星泡沫”。IC Insights将2018年资本支出增长的原因归结为“中国效应”，近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备，算是一个注脚。不过不少行业人士也表示，2018年入场的设备，多数都被计入到2017年营收。这一轮扩产周期制造厂商相对比较激进，未来市场能否消化释放出的产能尚待观察，从设备业角度来看，多对当前行情持谨慎乐观态度，有厂商预测2019年资本支出应该会有较大收缩。

本文综合自Technews、Techsugar报道

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