三星宣布将代工高通7nm 5G芯片，台积电一点不慌

日前，三星在其官网上正式宣布，高通未来的5G移动设备芯片将基于他们的7nm LPP（Low-Power Plus）工艺制造，该技术节点会引入EUV（极紫外光刻）。

2017年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工艺，预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。同年7月，三星放言，在2018年会比对手台积电更早地量产7nm。此番再次拿下高通大订单，意味着三星这项新工艺在良品率上已经得到了较好的控制，即将开始量产。

另外，三星位于华城市(Hwaseong)的7nm厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料赶不上当年度Galaxy S10与Note 10的上市日程。

三星位于韩国华城的半导体工厂（Sources：三星官网）

韩国媒体20日报道称，三星计划投入6兆韩圜(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备，由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩圜，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划，也将在近期公布。

比10nm FinFET好在哪？

三星在新闻稿中透露，比较当前的10nm FinFET工艺，7nm LPP EUV工序较少、良率较高，将实现面积缩小40%、性能提升10%、功耗下降35%。在新工艺加持下，骁龙（Snapdragon）5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力，旗舰机日常使用满两天的好日子可能要来了！

有趣的是，高通在本月还推出了基于7nm工艺的X24基带，但是一款4G LTE产品，不知道是不是三星参与打造，毕竟在这次的新闻稿中没有被证实。

而爆料大神Roland曾表示，高通的首款7nm AP是骁龙855，似乎找不出什么理由突然让台积电横插入代工。

“10年内高通都是我的！”

另外，三星在2017年10月宣布正开发介于10nm和7nm的8nm中间工艺，同样是和高通合作。三星表示，三星和高通的代工合作关系将至少维持10年，三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用。

台积电真是要哭晕了吗？不见得，相较之下，台积电今年已开始试产7nm芯片，预定第2季为联发科推出芯片原型，并于明年初开始全力量产。

有微博网友@ 傲娇的小黄瓜酱 冷静分析了一下，认为“2019年初三星恐不能大规模量产7nm EUV，而10nm优化的8nm无法满足高通旗舰芯片需求，于是骁龙855采用台积电7nm；预计2020年三星和台积电7nm EUV都能顺利量产，高通再次选择与质优价低的三星合作，也在情理之中。”

这里的855采用的是台积电的第一代7nm（DUV），而三星宣布合作的，应该要到骁龙865了，属于第二代7nm工艺（EUV）。

此外，台积电采用5nm先进工艺的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土，预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出，待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时，年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。

本文综合自快科技、手机中国报道

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