Leti研究人员基于RRAM的TCAM电路,据称其性能媲美基于CMOS的SRAM,且适于多核心的神经形态网络处理器应用…

法国电子暨信息技术实验室(Leti)日前展示,以电阻式随机存取内存(RRAM)为基础的三态内容可寻址内存(TCAM)电路性能媲美基于CMOS的动态随机存取内存(SRAM)电路,尽管仍存在性能和可靠性之间的权衡折衷,但适于多核心的神经形态网络处理器应用。

TCAM电路的工作原理是使用指示范围(range)的屏蔽位来搜寻大量数据组合。相较于典型内存系统透过物理寻址方式检索内存单元储存的信息,TCAM则是透过内容搜寻储存的信息。因此,这些电路的性能非常适于复杂的路由和大数据(big data)应用——这类应用通常不太需要精确匹配。相较于典型的内存搜寻算法,TCAM电路的方式由于平行比对了所有储存数据以及单次频率周期内的搜寻数据,从而缩短了搜寻的时间。

传统基于SRAM的TCAM电路通常以16个CMOS晶体管建置,这使得TCAM在标准内存结构下的储存容量经常受限于几十个兆字节(megabyte;MB),而且在神经形态运算神经网络芯片中占用宝贵的芯片面积。

Leti在最近的国际电子组件会议(IEDM)上发表研究人员在TCAM技术的最新突破——在TCAM电路中以RRAM取代SRAM内存单元,可将所需的晶体管数量减少到2个(2T)以及在晶体管之上制造两个RRAM (2R),据称这是迄今为止生产这种电路的最紧凑结构。相较于传统的16晶体管TCAM结构,2T2R结构能让所需的TCAM面积减少8倍(假设两种类型的电路中晶体管尺寸相同)。

虽然这带来了芯片尺寸和功耗方面的优势,但Leti表示仍存在两项挑战。其一是电路可靠性强烈依赖于内存单元的ON和OFF状态之比:相较于16T结构(~105),基于RRAM的TCAM可靠性可能会受到相对较低ON/OFF比重(~10-100)的影响。其次,RRAM对于CMOS晶体管的耐受度(endurance)有限,而这也会影响到系统的寿命。

克服这些挑战需要某些折衷:

• 在搜寻作业期间降低施加电压,可以提高系统可靠性;然而,这也会降低系统性能,例如搜寻速度变慢。
• 在每次搜寻期间降低施加电压或提高用于预先编程TCAM单元的功率,能够克服有限的耐受度;这两种方式都能高系统的耐受度,但也同时减慢了搜寻的速度。

在IEDM发表的《深入表征基于电阻式内存的三态内容寻址内存》(In-depth Characterization of Resistive Memory-based Ternary Content Addressable Memories)一文中,Leti介绍RRAM电气特性和TCAM性能之间的关系,以及制造基于RRAM的电路特性。它显示在TCAM性能(搜寻速度)和TCAM可靠性(匹配/不匹配检测和搜寻/读取耐受度)之间存在折衷。这有助于了解如何对基于RRAM的TCAM电路进行编程,以用于网络封包路由等其他应用。

该论文的主要作者Denys RB Ly说:“假设未来的许多神经形态运算架构都具有数千颗核心,研究人员开发的TCAM电路由于具有非挥发特性,将带来更多关键优势,(因为)使用者仅必须在第一次配置网络时上传所有配置位。”他说,这意味着用户可以在每次芯片重设或电源重启时,跳过这个耗时的过程。

Ly在接受《EE Times》采访时表示,该计划所采用的神经形态处理器来自苏黎世神经讯息学研究所(INI)的NeuRAM3计划,该计划同时也支持部份基于RRAM的TCAM研究。“如果我们比较神经形态处理器的内容可寻址内存(CAM)电路所需性能,以及基于RRAM的TCAM性能,将会发现尽管存在上述问题,但结果实它确实能满足这些要求。”

181213_ND_LETI_800-min.png

神经形态处理器的CAM电路性能和Leti TCAM电路性能比较

研究人员并在论文中比较神经形态处理器的CAM电路以及Leti的TCAM电路性能。从搜寻延迟来看,当然是越低越好。然而,由于芯片能够承受非常长的延迟(脉冲相当长,大约为微秒等级),即使搜寻延迟约为90ns,Leti基于RRAM的TCAM也可能用于处理器。当前的CAM电路能够实现低至27ns的搜寻延迟,但是对于像网络路由(延迟~1ns)等典型应用中的CAM电路,这一延迟数字仍然相对较高。

支持Leti方法可行的另一个要点在于现有芯片的CAM电路长约10位,而Leti的TCAM电路则长128位。“如果我们将TCAM电路缩小到10位,我们的搜寻延迟还会更低,甚至可能至少低至27ns。而在搜寻耐受度方面,基于RRAM的TCAM电路能够处理所有事件。”再以编程耐受度来看,RRAM极其适用于神经形态处理器的CAM电路,因为它们只需要一次编程。

“总而言之,对于神经形态处理器应用,采用基于SRAM的CAM电路可能带来更好的性能、可靠性和耐受度,但我们可以采取折衷途径——即以RRAM取代SRAM单元,则可提高内存密度并降低功耗,同时使该系统仍能满足神经形态处理器的要求。”

编译:Susan Hong,EETTaiwan

 

 

阅读全文,请先
您可能感兴趣
Rambus的HBM4控制器IP还具备多种先进的特性集,旨在帮助设计人员应对下一代AI加速器及图形处理单元(GPU)等应用中的复杂需求。这些特性使得Rambus在HBMIP领域继续保持市场领导地位,并进一步扩展其生态系统支持。
随着支持AI的应用程序的普及以及6400MT/s或更高速度成为主流,PC内存性能要求不断提高,使用CKD的系统数量将伴随时间的推移呈现显著增长的态势。
SK海力士29日宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。
在AI大模型的时代,行业中的一个关键趋势是更大的NAND裸片密度,这有助于推动更大容量的SSD,使系统构建者能够设计更多的服务器,以便拥有更大的容量或将更多的GPU或CPU放入服务器中。鉴于此,特别是随着人工智能的发展,GPU直接存储的能力变得愈发重要。 
SK海力士将在其未来的NAND闪存中应用这种技术,通过在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元,然后使用W2W(晶圆对晶圆)形式的混合键合技术将这两部分整合为一个完整的闪存。
几十年来,半导体行业一直在寻找替代内存技术,以填补传统高性能计算系统架构中DRAM(计算系统的主内存)和NAND闪存(系统的存储介质)之间的空白。
• 得益于西欧、关键亚洲市场和拉丁美洲市场的增长,以及中国品牌的持续领先,全球折叠屏手机出货量在2024年第二季度同比增长了48%。 • 荣耀凭借其在西欧特别强劲的表现,成为最大的贡献者,成为该地区排名第一的品牌。 • 摩托罗拉的Razr 40系列在北美和拉丁美洲表现良好,为其手机厂商的出货量贡献了三位数的同比增长。 • 我们预计,头部中国手机品牌厂商的不断增加将至少在短期内抑制三星Z6系列在第三季度的发布。
AI技术的发展极大地推动了对先进封装技术的需求,在高密度,高速度,高带宽这“三高”方面提出了严苛的要求。
奕斯伟计算2024首届开发者伙伴大会以“绿色、开放、融合”为主题,从技术创新、产品应用、生态建设等方面,向开发者、行业伙伴等相关方发出开放合作倡议,加速RISC-V在各行各业的深度融合和应用落地,共同推动RISC-V新一代数字基础设施生态创新和产业发展。
2024年 Canalys 中国云计算渠道领导力矩阵冠军厂商分别是:阿里云、华为云和亚马逊云科技(AWS)
点击蓝字 关注我们德州仪器全球团队坚持克服挑战,为电源模块开发新的 MagPack™ 封装技术,这是一项将帮助推动电源设计未来的突破性技术。  ■ ■ ■作为一名经验丰富的马拉松运动员,Kenji K
周二,捷普科技(Jabil)官员与印度泰米尔纳德邦代表团在泰米尔纳德邦首席部长MK Stalin的见证下,签署了一份备忘录。MK Stalin正在美国进行为期17天的访问,旨在吸引新的投资。MK St
会议预告向世界展示中国最具创新力、领导力和品牌化的产品与技术!9月27号,“第6届国际移动机器人集成应用大会暨复合机器人峰会”将在上海举行,敬请关注!逐个击破现有痛难点。文|新战略半导体行业高标准、灵
近日,又一国产SiC企业宣布实现了主驱突破,并将出口海外。据“行家说三代半”的追踪统计,自2022年起,国内主驱级SiC器件/模块开始在多款车型中得到应用,尤其是2024年,本土供应商的市场份额显著上
8月28-30日,PCIM Asia 2024展在深圳举行。“行家说”进行了为期2天的探馆,合计报道了200+碳化硅相关参展企业(.点这里.)。其中,“行家说”还重点采访了骄成超声等十余家企业,深入了
[关注“行家说动力总成”,快速掌握产业最新动态]9月6日,据“内江新区”消息,晶益通(四川)半导体科技有限公司旗下IGBT模块材料和封测模组产业园项目已完成建设总进度的40%,预计在明年5月建成。据了
8月28-30日,PCIM Asia 2024展在深圳举行。“行家说”进行了为期2天的探馆,合计报道了200+碳化硅相关参展企业(.点这里.)。其中,“行家说”还重点采访了长飞先进等众多企业,深入了解
在苹果和华为的新品发布会前夕,Counterpoint公布了2024年第一季度的操作系统详细数据,数据显示, 鸿蒙操作系统在2024年第一季度继续保持强劲增长态势,全球市场份额成功突破4%。在中国市场
9月6日,“智进AI•网易数智创新企业大会”在秦皇岛正式举行,300+企业高管及代表、数字化技术专家齐聚一堂,探讨当AI从技术探索迈入实际应用,如何成为推动组织无限进化的新引擎。爱分析创始人兼CEO金
近日,3个电驱动项目迎来最新进展,包括项目量产下线、投产、完成试验等,详情请看:[关注“行家说动力总成”,快速掌握产业最新动态]青山工业:大功率电驱项目下线9月5日,据“把动力传递到每一处”消息,重庆