三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10纳米等级8Gb DDR4 DRAM，该组件速度号称可达3,600 Mbps，而且不须使用极紫外光(EUV)技术。标示为10纳米等级的组件特征尺寸为10~19纳米。
三星内存事业部门总裁Gyoyoung Jin在该公司新闻声明中指出，其第二代DDR4 DRAM的电路设计与工艺新技术，让该公司突破了“DRAM扩展性的主要障碍”，以迎合市场庞大需求；他并指出，三星将加速此新产品的量产，同时也积极扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
由于供不应求，DRAM芯片市场在今年一整年皆表现强劲，价格亦持续上扬；市场研究机构IC Insights预期，2017年DRAM市场将达到74%的成长率，是自1994年以来的最大成长幅度。
三星计划在2018年的7纳米节点工艺转向采用EUV技术，不过EUV应用于DRAM量产的时程尚未明确；因为DRAM单元的结构相对简单，业界普遍认为DRAM生产需要用到EUV的时间点，会比其他组件来得迟。
三星表示，该公司生产的第二代10纳米等级DRAM因为采用了更先进的技术，可在速度、性能、效益方面超越第一代组件；新技术包括高敏感度的单元数据感测系统(cell data sensing system)以及进步的“空气间隔”(air spacer)解决方案。
根据三星的介绍，该数据感测系统能实现更精准确定每个内存单元内储存的数据，提升电路整合度以及制造生产力；同时新一代组件在字符线(bit lines)周遭放置了空气间隔，可降低寄生电容，达到更高等级的微缩以及快速的单元运作。
三星表示，其第二代10纳米8Gb DRAM的生产力能比第一代提升30%，同时在性能与省电效益方面各有15%与10%的提升；新组件运作速度为每接脚3,600 Mbps，在2016年生产的第一代芯片运作速度则为3,200 Mbps。
此外三星也指出，在第二代10纳米等级DRAM所采用的创新技术，将让该公司能加速未来DRAM芯片的问世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5与GDDR6。
编译：Judith Cheng
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