三星宣布第二代10nm FinFET工艺SoC量产

据三星电子于11月29日宣布，开始大规模量产以第2代10nm FinFET工艺技术（10LPP）为基础的单芯片系统（SoC）产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年首季问市。

三星表示，针对低功耗产品所研发的10LPP技术，相较于第1代的10LPE，10LPP的工艺可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于该工艺是延续于已经量产中的10LPE工艺，所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间，并提供更高的初期生产良率，因此更具有市场竞争优势。

三星进一步表示，采用10LPP工艺技术制造的产品，预计将于2018年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场行销副总裁RyanLee表示，通过从10LPE工艺向10LPP工艺的迈进，三星将能够更好地为客户提供服务，同时提高性能，提高初期产量。

同时，三星宣布，位于韩国华城的最新S3生产线，目前正准备加速生产10纳米及其以下工艺技术。S3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂，其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴（Giheung）的S1，以及位于美国奥斯汀的S2。根据规划，三星的7纳米FinFET工艺技术与EUV（ExtremeUltraViolet）技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产。

三星电子位于韩国华城市的S3生产线

IC Insights近日发布指出，三星今年在半导体产业支出达到260亿美元，是去年支出的两倍还多，其中用于晶圆代工/其他的资本支出达50亿美元，专门用于提升10纳米工艺能力。目前来看进展顺利，有消息称，三星 8nm LPP 工艺的技术验证工作也已完成，将于不久之后大规模量产。

三星表示，相比于 10nm 工艺，全新 8nm 工艺的芯片不仅面积能缩减 10%，功耗也能降低10%。该工艺正式投产后，将会定位于高端旗舰市场。至于具体商用时间，三星表示会在随后于全球各地举行的三星半导体论坛上与 7nm EUV 光刻工艺进展一同公布。

本文综合自三星官网、Technews、AnandTech报道

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