抗噪声性能卓越的可控硅交流开关：ACT/ACTT

可控硅在断态时的误触发是在实际应用中让广大用户苦恼的问题， 超出最大断开电压变化率dV_D/dt 和超出截止状态下反复电压峰值V_DRM 是实际应用中造成可控硅误触发的主要原因之一。日常使用中，因为市电中的噪声影响，尤其是在电器开关的过程中，常常会发生很短时间过压的现象，造成可控硅的误触发导致器件损坏。

瑞能半导体，作为可控硅器件的领导厂商，一直致力于开发出性能更卓越，更加可靠的产品。基于其先进的平面工艺，推出了一系列带钳位电压功能的双向可控硅产品：

• AC Thyristors (ACT)

• AC Thyristor Triacs (ACTT)

ACT 和ACTT能够在交流回路中存在过压噪声的情况下，将电压钳位于其能够承受的范围以内，噪声的能量将会转化为热量耗散掉，使其不会因为过压而导致误触发。

ACT/ACTT 作为抗噪声性能卓越的交流开关，部分产品在150℃下达到了1000V/μs 的业界最高的dV_D/dt能力，大大增强了整个系统的抗噪声能力。此外该系列产品通过了IEC61000-4-5 雷击浪涌测试，正反向能够承受2000V-2500V的尖峰电压。

瑞能半导体拥有丰富的ACT/ACTT的系列，产品覆盖电流I_T(RMS) 从0.2A-16A, 电压V_DRM 600V-800V，以及多种的封装形式，并且大部分的产品达到T_j(max) 150℃的高结温要求，能够给客户提供多种选择。

瑞能半导体正在持续开发更多的ACT/ACTT系列产品，最新推出的ACTT2W-800ETN, 是第一颗SOT223 封装，I_TRMS 2A, 150度结温, 并且带钳位电压功能的双向可控硅，出色的动态性能和浪涌能力，以及小尺寸的封装能给工程师带来最好的设计选择。与此同时，瑞能半导体还将携同系列产品及应用亮相今年10月在上海新国际博览中心举行的IC China展会，欢迎合作客户及业界同仁届时前去参观交流！