江苏江阴，2017年9月15日，中芯长电与美国Qualcomm Technologies共同宣布：中芯长电已经开始Qualcomm 10nm硅片超高密度凸块加工认证。这标志着继中芯长电经过一年大规模量产28nm和14nm硅片凸块加工之后，工艺技术和能力进一步提升。
在我参加去年7月该公司14nm凸块加工量产的活动后，曾在报道文章中提及“一颗棋子，但布了个大局”。从今年的宣布来看，在第一颗棋子布出后，中芯长电开始进入到下一步的持续战略布局环节中。
由14nm升级至10nm、二期厂房奠基、存储器测试和加工平台、吸引更多的投资等等，中芯长电将一个连一个的棋子在棋盘中摆放着位置。
10nm的战略地位
无疑，在中国半导体制造和封测的产业链中，中芯长电以10nm和14nm占据在领先地位。
“我非常自豪我们的团队能够在短时期内展示出世界先进水平的中段硅片制造运营管理和服务能力，并且被Qualcomm所认可。与Qualcomm这样的世界一流公司合作，起步压力很大、门槛很高，但是感谢其一贯支持，不仅帮助我们成功地在中国建立了领先的12英寸凸块加工生产线，并且快速地实现了稳定高效、高质量、大规模的量产。”中芯长电半导体CEO崔东表示，“此次我们的10nm硅片超高密度凸块技术开始认证，体现了Qualcomm对我们公司和团队能力以及执行力的高度肯定，相信更能推动公司发展到更高技术水平。”
通过认证后，中芯长电将成为中国大陆第一家进入10nm先进工艺技术节点的半导体硅片制造公司，继续跻身于世界先进的工艺技术节点产业链。
纵观现有的棋盘，中芯长电的进程离不开其背后母公司中芯国际的推动。对于中芯国际而言，除了自身的前端代工业务之外，在后端的封测领域，其也成为了长电科技的最大股东。这是一个清晰、高效的生态链布局。
中芯长电成立于2014年8月，在2016年实现了28nm和14nm硅片凸块加工的量产，目前已实现12英寸晶圆单月超1万片的大规模出货。中芯长电在超高密度凸块加工工艺上，不仅实现了业界一流的生产良率，并在接触电阻、超低介电常数（ELK）材料缺陷控制等关键技术指标上，达到业界领先水平，形成了独特的竞争优势。
在当天举办的“先进技术节点集成电路产业链深化合作研讨会”的现场，Qualcomm Technologies全球运营高级副总裁陈若文博士向中芯长电CEO崔东颁发了Qualcomm 10nm晶圆，以示纪念。
图：授予10nm晶圆。
据悉，中芯长电是Qualcomm近几年来唯一新引入的中段凸块加工制造商。
陈若文博士认为：此次10nm超高密度凸块加工开始认证，表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展，工艺技术水平达到了世界一流。未来，10nm凸块加工将进一步强化Qualcomm在中国半导体供应链产业的布局，体现了我们支持中国本土集成电路制造产业升级的承诺。
此次开始10nm超高密度凸块加工的认证，标志着世界一流客户对其整体运营水平的认可，也意味着该公司技术能力的进一步提升。
二期J2A厂房工程奠基
这又是一个大手笔。
中芯长电一期运营所使用的生产厂房为租赁长电科技厂房改造而成。二期项目由中芯长电公司自建，项目占地共273亩，将建设三个先进的硅片加工厂，从事先进的中段硅片和3Ｄ系统集成芯片研发和制造。
本次举行奠基仪式的是二期项目规划三座厂房中的第一座：J2A厂房项目。此次开工项目占地面积总共近18,000平方米，建筑面积超过62,000平方米。
二期项目的建设，将确保中芯长电有条件及时扩大产能规模，以适应不断增长的对集成电路先进工艺技术节点配套需要的先进硅片级封装的市场需求，使该公司在一期项目高起点、快速度顺利起步的基础上，更好地为国内外高端客户提供持续稳定的量产保证。
图：奠基仪式。
图：二期总体规划示意图。
按照崔东的介绍，其二期项目建设，仍将继续按照产业链协同发展的战略，充分考虑与长电科技、星科金朋江阴公司的业务衔接，提供客户更多形式、高水平的一站式服务。
中芯长电的建设速度值得赞扬：用一年时间完成生产线建设、一年实现规模量产，一步跨入世界一流客户的供应链，并于2017年7月开始了14nm高密度凸块加工，成为中国首家进入14nm集成电路产业链的硅片加工企业，实现了高水准、快速度建设的初期目标。今年，该公司运营规模快速提升，月硅片加工量已达到过万片，实现了稳定高效、高质量、大规模的量产。
并进的存储器产品测试和加工能力
在针对中国蓬勃发展的存储器市场，公司发挥在硅片测试服务领域深厚的技术优势，验证和引进了T5800系列测试平台。该测试平台具有测试精度高、速度快的优势，将能满足中国存储器芯片技术水平提升的更高技术需求，也显著提高存储器产品的测试效率。该测试平台还具有广泛的产品适用性，不仅适用于NOR Flash的测试, 也能满足NAND和DRAM产品的测试需求。
为全方位服务存储器产品市场，满足存储器产品较为独特的封装需求，中芯长电还推出了低温再布线硅片级封装技术，已用于客户的产品加工。
朱一明，兆易科技CEO，也在当天的探讨会中分享了他对特殊存储器发展趋势的观察。他提及了最近发生的中国资本并购海外公司受阻案、以及国际存储器器件价格的异动，希望中国制造和封测产业链尽快完善。
图：朱一明分析特殊存储器的发展趋势。
持续引入投资
在研讨会上，中芯长电与国家开发银行江苏省分行签署了50亿人民币开发性金融合作备忘录。
中芯长电半导体公司的产业定位、运营能力和发展前景为国家开发银行江苏省分行所认可。根据中芯长电的业务发展规划和融资需求，以及国开行对中芯长电的信用评审结果，自2017年至2022年期间，双方在各类金融产品上的意向合作融资总量为50亿元人民币或等值外汇。国家开发银行江苏省分行还将在未来五年按照国家及开行政策进一步支持中芯长电项目建设，积极引导其他金融机构及各类社会资金支持中芯长电建设成为国际领先硅片级中段加工企业。
图：签约仪式。
借助此资金和其他资金，中芯长电将能够加大对先进工艺技术和应用的研发力度，加大客户拓展的力度，加快厂房建设和产线建设，满足大规模产能的需求。
中芯长电曾先后获得中芯国际、长电科技、国家集成电路产业投资基金和美国高通公司的投资，注册资本金总计达到3.3亿美元，规划总投资12亿美元。
“精微至广，中道流长”
“精微至广，中道流长”，这是中芯长电CEO崔东对公司发展的定位和展望。
“技术越先进，客户对合作的要求就更高。我们需要提供先进节点和高质量的产品，同时，把自己放在全球产业链中，”崔东表示，“中芯长电在成立的三年时间里，在凸块技术上达到了世界级水平，工艺的种类也已展开，为先进技术节点提供领先的服务。”
“新厂房将于2018年底建设净化车间，至2019年投入使用。中芯长电未来将不是一个单纯的凸块技术公司，会扩展到2.5D、3D领域。”他展望到。
在此，恭喜中芯长电获颁中芯国际“最佳服务商”奖杯。
中芯长电作为中芯国际12寸凸块服务的合格供应商，于2016年3月通过客户28nm技术凸块加工验证，月出货量持续快速增长，达到万片规模，良率高达99.95%。
图：中芯国际CEO赵海军为中芯长电崔东颁奖。
中芯长电成立的目的是填补产业链空白，克服前段工艺技术节点演进带来的不断升高的中后段产业链工艺技术门槛，完善和推动本土先进技术节点集成电路产业链整体水平的提升。该公司在配套中芯国际28nm硅片高密度凸块加工大规模量产的同时，加大研发和投资力度，再布线(RDL)工艺也达到了量产水平，特别是通过中芯国际前段ELK方面的合作，使得公司在提供先进技术节点配套需要的先进硅片级封装能力方面，具有特别的优势。
与此同时，中芯长电也获得了中芯国际Interposer技术授权和工艺转让。
中芯长电的远景是通过持续创新，不断开创三维芯片集成加工新纪元。中段硅片加工和三维集成加工的三项最基本的工艺是凸块制造(Bumping)、再布线(RDL)、和硅穿孔(TSV)。获得中芯国际的技术授权和转让后，中芯长电具备了完整的基本工艺能力。这也标志着该公司能够成为全面配套先进技术节点对各种先进硅片级封装技术需求的中段硅片加工和三维集成芯片加工企业。
附：中芯长电一期量产报道文章，《里程碑：中国大陆半导体制造业跨入14nm时代！》
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