号称存储器10年最大进展，1Tb V-NAND和全新SSD标准来袭

韩联社首尔8月9日报道，三星电子当地时间8日参加美国加州圣克拉拉会展中心举行的“2017闪存峰会（FMS，Flash Memory Summit 2017）”，并在展会上首次公开了容量高达1Tb（terabit）的3D NAND，预计明年上市。

Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片（即垂直堆叠的 3D NAND），容量是当前最大存储器 512Gb（gigabit）的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die，构成一组 V-NAND 组，每组存储器容量可达 2TB（terabyte），并且继续减小体积。

三星宣称，该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。

三星电子1Tb 3D-NAND（source：韩联社）

1Tb 相当于 126GB，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智能和物联网，数据密集的应用程序大增，Flash 存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。

不只如此，三星也秀出新的固态硬盘（SSD）标准NGSFF（Next Generation Small Form Factor SSD），将取代当前的 M.2 2242（NGFF） SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，结合最新V-NAND还能缩小版型体积，这将最大限度地提高服务器存储数据容量，将于今年第四季量产。

其中单面16TB的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm，当然这是极大值的情况。（source：PCPER）


按照三星的演示，典型的服务器可以塞入36张单面16TB NGSFF SSD，总存储容量达到576TB。（source：PCPER）


当然，相较技术、容量本身的进步，用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把SSD的价格降回去吧。（source：PCPER）

三星 2016 年发布 Z-SSD和Key Value SSD 技术，现在首度发布采用此一技术的 SZ985 固态硬盘，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬盘的七分之一。Key Value SSD可让多种数据无需转换便可直接存储。

本文综合自moneyDJ、韩联社、PCPER报道

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