三星宣布其64层NAND Flash进入量产

64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。

其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘（SSD），自此之后，三星持续朝移动与消费型储存市场开发新应用，务求与 IT 产业同步化。

三星 64 层 V-NAND 闪存传输速度达每秒 1Gb，具有业界最短的500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），比典型的10纳米（nm）级的平面NAND闪存快约四倍，比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

据三星称，与同类型的3D NAND Flash相比，无人能出其右

三星表示，与之前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外，64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，能量效率提高了约30%。此外，新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星还表示，基于其64层V-NAND的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。

三星目前是 NAND 龙头，2016 年市占率为 36%，在第四代 NAND 芯片量产后，三星可能陆续调降第二、三代芯片价格，除可进一步扩大市占外，还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。

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