美光重手反击挖角，三大DRAM厂防火防盗防陆厂

内存大厂美商美光科技（Micron）出重手反击陆厂挖角行动，上月配合台湾检调单位，针对稍早前并购的华亚科及瑞晶科技关键工艺和研发人员跳槽至对岸，或协助大陆厂进行DRAM研发，展开大规模搜索，并限制相关人员出境，估计有上百人遭到约谈及搜索，在业界掀起极大震撼。

美光在去年底曾寄存证信函给大批从美光阵营跳槽至陆厂，或协助大陆进行研发的联盟厂商，此次又正式透过检调单位协助，诉诸法律行动，提告百人，频有动作意在防止相关营业和技术机密遭窃取。

美光昨（4）日证实确已向检调单位提出重要信息遭盗用，并配合检调单位进行调查，但因进入司法调查程序，对到底有多少人遭到调查，目前暂无法对外提供。

但紫光集团澄清，目前挖角前华亚科的员工多是建厂相关事务人员，紫光集团决定朝自主研发DRAM、储存型闪存（NAND Flash）等，目前重心先投入3D NAND Flash研发。

消息人士透露，这波遭到美光反制，透过司法途径对从美光并购后的华亚科和瑞晶员工展开搜索行动，应是已掌握相关人员窃取营业和技术数据跳槽至大陆公司或协助大陆DRAM研发。

遭到搜索的相关人员主要集中在之前的华亚科员工。 据了解，在美光提出并购华亚科全数股权后，前后已有近200位员工跳槽至大陆合肥长鑫、紫光集团和福建晋华等公司，主要原因系大陆相关发展DRAM公司祭出比台湾二至三倍高薪，全力挖角。

稍早包括三星、SK海力士（SK Hynix）也同样寄出存证信函给跳遭至陆厂的员工，不过因主要成员多数来自台厂，且后续挖角行动不断，让美光感到事态严重，决定透过司法途径正式提告，希望藉此防止技术和营业秘密遭陆厂剽窃。

美光展开司法反制行动，确已收到强大恫吓和阻挠陆厂开发DRAM脚步。 据了解，跳槽至福建晋华负责研发利基型DRAM的多位重要成员，也是这次遭到调查和限制出境的对象；由福建晋华出资设在联电南科厂的试产线已暂时停止，正由检查人员进行调查。

DRAM三雄紧盯跳槽陆厂员工

全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。

半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆借挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨。

中国大陆全力发展内存已列为政策目标，目前包括紫光集团、合肥长键及福建晋华都相继提出宏大发展计划，并且对外挖角行动再扩大。

不过，力晶集团首席执行官黄崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄存证信函给被合肥长鑫挖角的原三星和SK海力士员工，并且措词强硬，不惜倾所有资源提告。

无独有偶，美光也发出存证信函给原担任美光台湾区总经理，后来跳槽到联电担任副总经理的陈正坤，而陈正坤正是联电和福建晋华合作切入生产DRAM的主要负责人，全力防止美光的技术流入中国大陆，在业界引起极大震撼。

消息人士透露，三大DRAM厂寄出存证信函的举动，也代表掌握一定的资料和证据，发现这些将三大厂的技术转移到大陆，损及利益，预料后续也会跟着采取法律行动，引起市场密切注意。

据了解，由于合肥长鑫锁定挖角刚并入美光的华亚科高达200位员工，且多以曾参与美光先进工艺的技术人员，美光内部也调派更多的法务人员来台，进行相关搜证和技术保全工作，防范技术遭到剽窃。

中国台湾地区南亚科也有部分人员已跳槽到合肥长鑫，但目前多以厂务为主，还未有工艺技术人员加入对岸发展内存的集团，但南亚科也展开智慧财产财权的保护和宣导工作。

南亚科总经理李培瑛强调，DRAM几乎是各种科技产品的必备电子组件，中国大陆长期发展一定是以国际化为目标，各系统端电产品绝不能有侵权问题，否则影响重大。

他认为，中国大陆如果用偷取技术为壮大自主内存产业为手段，绝对会遭到很大困难，台湾地区DRAM技术人员不应被短期的高薪诱惑，贸然做出对原公司不利的事。

陆半导体业高薪赴台挖角

大陆积极发展内存自主技术，半导体两大体系紫光和合肥长鑫来台挖角，锁定华亚科工艺相关人才，其中，由合肥市政府主导的内存研发团队合肥长鑫，开出三倍高薪和紫光集团的双倍薪较劲，震撼半导体界。

大陆高薪挖角的行动，让本月才正式并入美光的华亚科，甚至台塑集团旗下的南亚科，明年恐现大批人才跳槽，如何留才，成为首要课题。

大陆已将内存列为国家发展半导体产业重项扶植项目，除了明定紫光集团为指标厂外，各地方政府也积极整合，希望列入国家级补助计划之列。

除了积极争取国外技术授权之外，大陆以武岳锋为首的大陆基金，和国家大基金都各自积极整合寻求突围。

其中，以合肥与大陆NAND Flash设计公司兆易创新（Gigadevice）合作的合肥长鑫和清华紫光集团最为积极。

消息人士透露，合肥长鑫除了计划和武岳锋基金并入的美商矽成（ISSI）合并外，也挖角前华亚科资深副总经理刘大维，展开对台厂猎才行动。

据了解，合肥长鑫开出现有华亚科三倍的高薪进行挖角，锁定人数高达200人，远高于紫光集团祭出的双倍薪，已有不少人决定投效。

另外，前华亚科董事长高启全跳槽紫光，担任紫光集团资深副总裁后，也挖角前华亚科主管厂务的施能煌担任紫光集团高级副总裁，并相继带走近十位子弟兵，投入在武汉兴建3D NAND Flash的建厂及后续自主研发DRAM技术作业。

这也是高启全跳槽紫光后，台系半导体人才面临空前的挖角行动。

合肥长鑫和紫光集团的动作，都采取先建NAND Flash，自主研发DRAM为辅的策略，紫光集团仍以积极争取国外大厂技术授权为主要方针，因为跟进国外大厂脚步可确定工艺技术与国际同步，也较能确保获利。

合肥长鑫目标则希望争取先有自主内存技术，产品涵盖编码型（NOR Flash）、NAND Flash和DRAM，进而超越紫光，成为大陆主导内存发展厂商。

如果再加计前瑞晶总经理陈正坤带领的台系团队，投入为福建晋华兴建利基型DRAM代工厂，2017年将是台系DRAM人才大举向大陆靠拢的一年。

下一个目标是台积电？

中国大陆冲刺半导体产业，朝建立自主内存和逻辑芯片目标前进，在全球主要三大DRAM厂三星、SK海力士及美光全力防堵技术流向陆厂外，对岸挖角行动也伸向台积电等逻辑芯片代工厂，台厂也得提高警觉。

中国大陆已将半导体产业列为国家重点发展产业，并揭示到2020年自制率要达到50%，到2025年自制率更推升至75%。

大陆各省为争取国家产业发展基金挹注，也积极朝自建晶圆厂目标前进，发展目标除了内存外，还包括应用范围更广的逻辑芯片。

据统计，中国大陆目前宣布投入兴建12吋晶圆厂投资已高达26件，其中已有12座进入建厂，发展半导体的企图，已让全球不敢小觑。

陆厂为达相关政策目标，不惜砸重金抢人才、抢技术。其中DRAM产业被列为国家政策指标厂紫光集团，已相继宣示在武汉及南京各自兴建年产30万~35万片的内存生产重镇；合肥长鑫和福建晋华也都相继展开建厂行动。

目前DRAM技术只剩三星、SK海力士和美光三大厂，尽管陆厂大举挖角，但在三大厂反制下，研发时程恐难如预期在2018大举投入DRAM生产。

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