小米澎湃S2芯片已出样，采用16nm工艺年底见真机

据媒体报导，市场传出，才刚刚发布首颗手机芯片“澎湃S1” 的小米旗下手机芯片厂商松果，已在台积电以 16 纳米FinFET工艺下，开始生产下一代 8 核5模的芯片- “澎湃S2”。目前，该新款芯片的样品已经完成，预定 2017 年第 3 季开始进入量产，而在第 4 季搭载于小米的手机上正式问世。

不久前，雷军才激动滴发布了澎湃S1，不一会儿，澎湃S2就要来了

报导指出，“澎湃S2” 的产品设计比第一代芯片 “澎湃S1” 更加符合市场需求。尤其，采用台积电的 16纳米工艺生产，将比前一代的 “澎湃S1 芯片更加省电。而随着 “澎湃S2” 的准备就绪，预计将能将有效地提升代工厂台积电的产能利用率和出货量。不过，也因此 “几家欢乐几家愁”，最后可能排挤到小米对联发科、高通等专业手机芯片厂的采购量。

报导中进一步指出，近年来，为了提高产品的差异化，小米就有计划跟进随苹果、三星、华为等手机品牌大厂的脚步，投入手机芯片自制的工作。于是在 2014 年成立旗下的芯片设计厂松果开始，就由与联芯联手，由其所提供的 “SDR1860” 平台技术授权合作，设计自家的芯片产品。

小米于 2017 年 2 月底正式对外发布，第一颗由松果所自行研发的手机芯片 “澎湃S1”。该款芯片使用的是台积电 28 纳米的工艺，内建8 核心，虽然与时下推出了同等规格芯片性能差不多。不过，却因为工艺的采用较旧式的 28 纳米工艺，使得许多消费者质疑，小米的技术仍旧落后高通与联发科等手机芯片大厂一段时间。

如今，“澎湃S2” 的积极推出，则是象征小米准备在手机芯片上加速追赶。不过让人可惜的是澎湃S1的基带是由联芯提供的，仅支持 GSM/TDSCDMA/TDD LTE 制式的网络，而且最高仅支持 Cat 4 150Mbps 的速率， 技术上不支持双载波聚合，不支持 MIMO 或 64QAM，如果澎湃S2延续了澎湃S1的架构，那么估计依然会采用联芯的基带。

小米此次并没有选择最先进10纳米工艺，目前该工艺良品率偏低。台湾地区IC设计厂商指出，台积电第1季10纳米工艺技术良率，暂时无法达到具备经济量产价值的水平。2017年计划抢先量产的三星，业界也传出其10纳米工艺良率同样不如预期。不过晶圆代工厂商承诺客户将找出问题，预期第2季可望拉升良率。

成本也是一个重要原因。松果二代采用16纳米而不是10纳米是聪明的决策，10纳米成本太高，对于小米这种新进入芯片行业者有点难以承受。

当然如果澎湃S2在引入了16纳米FinFET工艺后表现优异，其高端芯片V970引入该工艺的可能性也将是相当高的。之前显示的消息，松果高端处理器代号为V970，核心参数为4×A73+4×A53的八核架构，大核主频达到了2.7GHz，小核则为2.0GHz，同时还会配备Mali G71 MP12图形芯片，主频速度为900MHz。搞机人士普遍认为V970会用在小米6S上。

不过，分析师指出，小米积极在手机芯片上的发展，除了效法华为的模式，做出差异化的产品之外，更重要的是恐怕是要借此回头砍芯片供应商的价格。这对包括联发科或高通来说，不但挤压了其采购量，售价还可能因此降低，这恐怕将不会是个好的消息。

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