2017年2月10日，Globalfoundries(格芯)宣布在中国成都高新西区建立12英寸代工厂，在半导体业界造成了巨大的影响：项目一期为成熟的130nm和180nm工艺，二期则为其22 FDX FD-SOI工艺，建成后年产能将达到100万片。
一方面，此举完成了全球Top 3代工厂在中国的布局；另一方面，更受关注的是FD-SOI工艺经过几年的酝酿，终于落户中国。
有关FD-SOI的技术特点，请参考我以前的分析文章“4问FD-SOI”，在此不再赘述。
分享一下我对此事件的三点思考：
消息公布后，业界普遍提出的一个疑问是中国是否需要这么多的12英寸Fab？
这个问题要从几个不同的方面来看：首先，格芯工厂的重点我认为是二期的22 FDX，其一期和二期的投资比为1：9，成熟工艺和22FDX规划产能每月分别为2万片和6.5万片也可以证实这一点。从这个角度看尽管格芯声称130nm和180nm在电源和RF等领域仍然具有生命力，这点我认同，但更多的是为二期的引入和人才培养铺平道路。
其次，无论引入的成熟工艺还是计划2019年量产的22 FDX，其应用领域是针对移动终端、物联网、高频等领域，与目前中国已布局的部分12英寸代工厂有差异化。“You are late, but you are unique.”这是我和该公司CEO Sanjay Jha博士交流时的一段话。
其三，成都厂所有产能面向全球客户，22 FDX和未来的12 FDX将在中国成都和德国德累斯顿两线共存。取决于中国在移动设备和智能终端的全球地位，无疑，中国的需求对于FD-SOI工艺的推动举足轻重。我认为FD-SOI在中国的需求是正面的。
最后，为何在成熟的130nm和180nm采用12英寸而非8英寸？一方面目前全球12英寸已成为主流晶圆尺寸，目前占比已大于60%，有量产需求的IC设计公司从8英寸转向12英寸是一种趋势，同时，和后道封装等工序的发展趋势相配合。
我现在不能说很完善，但从生态链布局的角度来分析，也认为是正面的。
首先，FD-SOI的发展路线图在2016年已公布，后续会有12 FDX的支持，并具有延续至7nm FD-SOI的能力，而格芯成都厂的建成会大大增强业界对该工艺的信心。
其次，其它晶圆成本在2016年出现了10%的涨幅，2017年预计也会出现相同的态势，但SOI晶圆价格一直相对平稳，尽管其与目前的需求量息息相关。
其三，中国自身也在加强在SOI晶圆的话语权，大基金投资的上海新傲科技正在增加SOI晶圆的总体供应能力。
最后，得益于FD-SOI来源于传统的平面体硅制造工艺，IC设计流程和所需EDA工具的差异化需求并不明显。挑战的重点在于IP，而ARM的态度转变和诸如VeriSilicon等公司的早期介入也在推动FD-SOI IP的不断完善。
Sanjay Jha博士分享了哪些需求在未来将迅速地成长：第一，手机等移动计算的增长；第二，物联网计算的发展；第三，智能计算的兴起，其中包括机器人及其他设备；第四，AR、MR和VR的高速数据处理要求；以及汽车电子的快速发展。
面向这些未来应用对计算能力和功耗的不同需求，格芯在先进节点工艺上采取了FinFET和FD-SOI双线共存的策略。在中国，该公司目前没有引进FinFET工艺的计划。
格芯成都厂的建设也吻合FD-SOI和FinFET相互补充的地位，TSMC、UMC以及SMIC在中国的布局是向FinFET推进。
上海华力微电子在今年1月曾透露FD-SOI是该公司二期建设的一部分，却没有具体的时间表。尽管至2020或2021年中国将有可能成为FD-SOI工艺产能最大输出国，但预计相对于那时的FinFET产能仍然偏低。
从产能和企业数量角度来看，未来中国市场FinFET的竞争会日渐激烈，而FD-SOI将会从中获益或受其打压。你认为呢？
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