2015年底,中芯国际与微电子所就嵌入式RRAM技术开发达成战略合作,双方基于中芯国际28纳米多晶硅(PolySiON)及高介电常数金属闸极(HKMG)制造平台,合力开发嵌入式RRAM成套工艺以及面向嵌入式应用的系列模型、电路等IP解决方案,以应对物联网、可穿戴设备以及工业电子等日益增长的市场需求。
经过一年多的紧密协作,双方的联合开发取得了显著进展,在28纳米PolySiON平台开发了1Mb RRAM Macro,验证了RRAM技术在嵌入式应用场景的可行性与先进性。该方案只需在标准逻辑制程上增加一块掩模即可实现RRAM单元的集成,具有巨大的成本优势。据实测结果显示,微电子所提出的RRAM单元结构具有优异的性能,特别是良好的数据保持特性和低电压操作特性,使得该技术方案具有极强的市场竞争力。
“中芯国际一向致力于与研究机构强强联手,建立企业与产学研相结合的开放式集成电路技术研发模式。”中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示,“我们与微电子所在多个技术领域已有良好的合作基础,此次我们很高兴双方能够在中芯国际先进的28纳米技术平台上取得很好的进展,共同拓展新一代阻变式存储器在产品中的应用。”
“目前,我们正在与中芯国际加紧进行RRAM测试芯片开发,用于进一步优化工艺,评估及提升器件可靠性。”微电子所吕杭炳博士表示,“我们还与国家电网旗下的北京智芯达成战略合作协议,共同拓展RRAM技术在电力芯片中的应用,双方将于近期在中芯国际28纳米平台共同流片搭载RRAM IP的电力芯片。未来我们还将强化合作,进一步推进新型独立式大容量三维RRAM技术的开发和应用。”
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981),是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,提供0.35微米到28纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,拥有全球化的制造和服务基地。在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm超大规模晶圆厂;在北京建有一座300mm超大规模晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂;在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂;在江阴有一座控股的300mm凸块加工合资厂;在意大利有一座控股的200mm晶圆厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区设立行销办事处、提供客户服务,同时在香港设立了代表处。详细资讯请参考中芯国际网站www.smics.com。
(根据1995私人有价证券诉讼改革法案)
本次新闻发布可能载有(除历史资料外)依据1995美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述,包括“二零一六年第四季指引”、“资本开支概要”和包含在首席执行官引言里的叙述,乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使用“相信”、“预期”、“打算”、“估计”、“期望”、“预测”、“目标”或类似的用语来标识前瞻性陈述,尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性陈述涉及可能导致中芯国际实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性陈述所表明的意见产生重大差异的已知和未知风险、不确定性因素和其他因素,以及其他可能导致中芯实际业绩、财政状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料存在重大差异的因素,其中包括半导体行业的景气循环、对我们产品的需求改变、市场竞争、对少数客户的依赖、未决诉讼的颁令或判决、半导体行业高强度的智识产权诉讼、终端市场的财务稳定、综合经济情况和货币汇率浮动等相关风险。
投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会(“证交会”)的文档资料,包括其于二零一六年四月二十五日以20-F表格形式呈交给证交会的年报,特别是在“合并财务报表”部分,且中芯不时向证交会(包括以6-K 表格形式),或香港交易所(“港交所”)呈交的其他文件。其他未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果,业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险,不确定性,假设及因素,本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性陈述,因其只于声明当日有效,如果没有标明陈述的日期,就截至本新闻发布之日。除法律有所规定以外,中芯概不负责因为新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况,亦不拟更新任何前瞻性陈述。
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