索尼给摄像头里加内存了，就问你服不服

近日，在美国召开的 ISSCC 半导体峰会上，索尼展示了一项为智能手机开发的全新黑科技，即全球第一款内置 DRAM 存储芯片的智能手机 CMOS 堆栈式传感器。

我们都知道内存在手机本身非常有用，是我们与机器交流的第一存储空间，所有的应用展示到我们面前都需要放置在内存上面。

索尼宣称，这是第一枚内置 DRAM 采用三层堆栈结构的手机 CMOS 传感器，通过内置 DRAM 有助于提供超高速的信号处理能力，带来了一系列此前可在专业级摄像机上实现的功能，使手机能够以 1000fps 的高帧速率拍摄 Full HD 超慢动作视频，并且在实现防畸变快门的同时还能够实现更低的功耗。

传统双层堆叠式CMOS影像传感器

新开发的加入了DRAM层的3层堆叠式CMOS影像传感器

索尼这枚为手机设计的 CMOS 堆栈式传感器有效像素为 2120 万像素，尺寸大小为 1.22μm×1.22μm 。所谓内置 DRAM 的 CMOS，简单来说，就是在背照式感光层与底部电子线路层之间又添加了一层容量为 125MB 大小的 DRAM，便于数据直接高速写入，在仅 1/120 秒中能够实现 1930 万像素图像的高速读取，速度相比传统传感器快了四倍。

读取速度1/30秒的拍摄效果

读取速度1/120秒的拍摄效果

因此，在索尼新手机 CMOS 堆栈式传感器的帮助下，未来用户使用手机拍摄 1000fps 的高帧速率的 Full HD (1080p)超慢动作视频，以及 4k @ 60 fps 或 Full HD (1080p) @ 240 fps 的视频，将变得轻轻松松，无比简单。

当然了，对于索尼来说，内置 DRAM 的 CMOS 堆栈式传感器并不陌生，两年前自家闻名于世的黑卡相机 RX100 IV 和 RX10 II 都已采用类似的传感器。但是 1 英寸的传感器显然无法塞进手机，要实现这一点必然包含了多个固有的技术难题，例如如何降低三层电路之间所产生的噪点问题，毕竟索尼通过自身技术优势对此进行了很好的解决。

配备DRAM的3层堆叠式CMOS影像传感器的截面图

索尼表示，新的 CMOS 堆栈式传感器可减少捕捉图像过程中的畸变情况，“通过缺少机械快门和曝光时间控制的手机拍摄快速移动对象时，新 CMOS 堆栈式传感器能够最大限度地减少静止图像焦平面的失真现象。”为了实现高速读取，索尼将双电路从 2 层结构变为 4 层，使得模拟信号转换为数字信号，大幅改善软件处理效果。

比较遗憾的是，索尼没有透露这枚内置 DRAM 的手机 CMOS 堆栈式传感器何时正式量产，更不清楚有哪些厂商目前对此感兴趣，只是简单的表示虽然传感器的结构复杂，但已经具备生产能力，而且品质优良稳定性高。如果不出意外的话，索尼自家的 Xperia 智能手机将优先搭载。

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