12月20 日才传出前台积电CEO、前中华电信董事长蔡力行将转战中国大陆紫光掀起轩然大波,消息遭蔡力行本人否认,但短短一天,12月21 日中国大陆晶圆代工厂龙头中芯国际,宣布将延揽前台积电首席运营官(COO)蒋尚义博士担任独董,再度为业界投下震撼弹。
中芯国际今 21 日宣布将延揽前台积电COO蒋尚义为公司第三类独立非执行董事,自 20 日起担任中芯国际独董,据合约,蒋尚义将能获得 4 万美元年度现金酬金,以及 187,500 可供认购普通股和 187,500 受限制股份。
1968年,蒋尚义在国立台湾大学获电子工程学学士学位,1970年在普林斯顿大学获电子工程学硕士学位,1974年在斯坦福大学获电子工程学博士学位。毕业后,蒋博士曾在德州仪器和惠普公司工作。1997年回到台湾,任职台积电研发副总裁,是台积电掌管单一部门时间最久的人。在台积电期间,蒋博士将研发团队从120人扩编至2013年的7000多人,年度研发经费更从25亿台币激增至2011年的350亿台币。2013年底退休时,在台积电任共同首席运营官一职,退休后还担任台积电两年董事长顾问,目标是让台积电7nm做到世界领先。
现年 70 岁的蒋尚义在半导体业界资历超过四十年,曾参与CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs激光、LED、电子束光刻、硅基太阳能电池等项目。1997 年进入台积电后,牵头了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等关键节点的研发。2013 年退休时,蒋尚义除了是台积电共同首席执行副总,也是台积电共同COO,并于退休后仍担任台积电两年董事长顾问。
中芯为中国晶圆代工厂龙头,近年来中国积极扶植半导体,在中国政府支持下,中芯发展势头猛烈,中芯已在 2015 年下半成功量产 28 纳米,追上中国台湾地区晶圆代工二哥联电,并在日前宣布在上海浦东建置第一条 14 纳米生产线,产线预计 2017 年底完工、2018 年投产,随后还宣布了深圳、宁波等地建厂计划,扩产野心不言可喻。政府的大力支持,祭出“流片补贴”等补助吸引厂商至中芯投产,近几季中芯除了转亏为盈,净利跟毛利甚至已超越联电。
为何蒋尚义在敏感时机,选择敏感企业引起各种联想,蒋尚义是为了找寻个人成就舞台,去大陆发展,又或是台积电董事长张忠谋的一步高招,为两岸半导体发展尽一份力量,到底是那一招成为市场热门话题。
业界人士分析,从名利角度来看,台积电表示,蒋尚义在台积电服务多年,深受台积电主管与员工敬爱,以蒋尚义的人格与对台积电的情感,相信他不会做出任何损害台积电利益的事。更何况现年70岁的蒋尚义退休后还曾担任台积电两年的董事长顾问职务,可见台积对其尊重。
而谈到利益,蒋尚义1997年回台湾进入台积电担任研发副总裁,以台积电的薪资福利制度,一度全年薪资在 5,000万至1亿元新台币之间(约合人民币1000到2000多万),钱的因素绝非蒋尚义考量。
因此,与中芯的合作可能性及台积电未来的发展,恐怕是这次蒋尚义出任中芯最大的一股推动力量。
市场解读,张忠谋默许这项人事案,背后一定有特殊意义。从与中芯合作角度来看,台积电自张汝京创办中芯以来,双方战火延烧近10年,最终和解,台积电也趁势入股中芯,取得进可攻退可守的地位,但若以台积电目前几乎全部处分完中芯持股,要说台积与中芯有深化合作,似乎味道显的不足。
剩下的可能性,就只有台积电未来的发展布局。毋庸置疑,台积电的未来战略布局,绝对是张忠谋交棒前最想完成的工作。
中国大陆极力发展半导体自主,预计2020年要达成50%自制率。碍于两岸关系敏感,对岸希望台积电在中国发展半导体历程上有所贡献,因此蒋尚义对台积电来说“已不那么直接”,但却可提供经验与顾问角色,是最适合人选,或许2014年张忠谋一句“台积电应能胜任中国半导体产业扶植计划中的协助角色”,就是最佳注解。
在 2016 年之内,中芯国际先后宣布 14 纳米工艺将在 2018 年投产,以及 2016 年投资金额提升至 25 亿美元的消息。而这 2 项指标都直追全球第 3 大晶圆代工业者联电(UMC),意味中芯将有机会超过联电,成为全球仅次于台积电与格罗方德 (Global Foundries) 的第 3 大晶圆代工业者。
据了解,目前在全球半导体制造技术上,掌握 10 纳米工艺技术的台积电,不论技术与规模,都是全球晶圆代工业的领先厂商。而联电在厦门投资的联芯拟引进 28 纳米工艺的计划,目前仍旧卡关,仅采用 40/55 纳米工艺。至于,格罗方德则是买下三星的 14 纳米工艺的 FinFET 技术,成为第 3 家掌握该技术的晶圆代工厂。但该公司亏损多年,之前更曾传出要卖给大陆企业,与中芯国际的竞争不明显。
因此,就目前的市场态势观察,联电早早在中国大陆设立和舰科技,加上目前在厦门也已经兴建 12 寸晶圆厂,因此与中芯竞争最直接的就是联电。不过,本来联电希望将 28 纳米工艺导入中国大陆,但由于联电 14 纳米工艺在中国台湾地区尚未量产。因此,碍于投资规定,中国台湾地区工艺技术必须领先中国大陆一个世代以上,因此目前仍处于卡关阶段。
因此,就目前的进度来看,即使 2017 上半年联电如期采用 14 纳米 FinFET 技术投产,厦门联芯引进的也只是 28 纳米工艺,这将与中芯国际是同样水准。因此,竞争力将不见得会比中芯更有优势。此外,2016 年联电资本支出为 22 亿美元 ,而中芯国际在 2016 年上半年就已调升到 25 亿美元,中芯的资本支出首度超越联电,也加速了中芯的半导体工艺技术前进。而且,若中芯的 14 纳米 FinFET 技术如愿在 2018 年投产,届时相较联电将会有更大的竞争优势。
2016 年 11 月 16 日联电宣布,于厦门设立的 12 寸合资晶圆厂联芯集成电路举行揭幕典礼。且该厂打破过去纪录,自 2015 年 3 月动工以来,仅 20 个月即开始量产客户产品。联电指出,联芯采用40 纳米工艺技术,产品良率逾 99%。而针对竞争对手的积极追赶,联电在 2016 年第 3 季的法说会上指出,14 纳米工艺将在 2017 年小幅量产。这也使得联芯导入 28 纳米工艺的机会大增。
不过,市场法人认为,即便联电顺利小幅量产 14 纳米工艺,但初期良率不高的情况下,虽然看好未来有机会挹注公司营运。但是,短期面临 2017 年第 1 季的传统淡季,加上厦门联芯厂量产初期将拉高成本,都将压抑 2017 年整体获利表现。这使得联电与中芯的竞争,可能会处于较不利的态势。
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