美光第2代3D NAND Flash年底前将量产

今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光（Micron）公司，他们本周一正式收购了台塑旗下存储厂华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的 3D NAND 闪存产能日前正式超过 2D NAND 闪存，其中，包括第 1 代 3D NAND 闪存的成本也符合预期。此外，堆叠层数达到 64 层的第 2 代 3D NAND 闪存也在已经准备完成，预计将在 2016 年底要正式大规模量产。

根据外媒报导，美光公司首席财务官 Ernie Maddock 在 15 日参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上表示，该公司的 3D NAND 闪存产能与 2D NAND 闪存产能已经来到交叉点上。也就是说，3D NAND 闪存的产能，以容量计算，将要超过 2D NAND 闪存。

此外，Ernie Maddock 还表示，美光的第 1 代 3D NAND 闪存在降低生产成本上已经达到预期目标。由于，美光在 2016 年上半年的发展路线上曾指出，未来预计 3D NAND 闪存的成本，将要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今，已经实现降低 20% 到 25% 的成本。这样的情况，对于未来将开始在新加坡 Fab 10X 晶圆厂大规模量产来说，有着其正面的帮助。

目前市场上许多固态硬盘 （SSD） 都已经转向 3D NAND 闪存。因为，不论是性能，还是容量，或者是使用寿命，3D NAND 闪存都要比传统 2D NAND 闪存好得多。而且，厂商也会借此来降低生产成本，以提高产量。就美光为例，其所生产的 2D NAND 闪存，主力是 16 纳米制程的产品，MLC/TLC 闪存的核心容量不过 128Gb。但是，借由 3D NAND 技术的 MLC 闪存核心容量就有 256Gb，TLC 更是达到 384Gb，大大优于 2D NAND 闪存。

事实上，在转向 3D NAND 生产方面，实力最强的仍以韩国三星领先，东芝 （Toshiba）/ Sandisk 与 SK 海力士其次，英特尔 （Intel） 和美光的动作算是比较慢的了。不过，一旦 3D NAND 闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过 2D NAND 闪存将是迟早的事。

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