诉三星/高通/格罗方德FinFET技术侵权，这家公司有多牛？

除了智能手机知名之外，三星还是全球重要的半导体公司，在2016年TOP20半导体公司中营收排名第二，仅次于英特尔（Intel），领先于台积电（TSMC）。

在FinFET代工上，三星也比TSMC公司抢先量产14nm FinFET工艺，不仅为高通（Qualcomm）代工骁龙820/821处理器，还把14nm工艺工艺授权给了AMD好基友格罗方德（GlobalFoundries）公司。

三星为何在FinFET工艺上领先？TSMC早前指责三星挖走了TSMC前研发部门高管Liang Mong-song，后者带着技术资料跳槽，他们认为三星在14nm FinFET工艺上进展迅速就是靠着TSMC的技术，不过TSMC跟三星之间只是打了嘴仗，TSMC并没有起诉三星。这次不同了，这家公司直接向法院起诉了，显然是有备而来。

韩国科学技术院（KAIST）专利管理子公司 KAIST IP，日前向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星电子、Qualcomm和GlobalFoundries擅自盗用其所拥有的“FinFET”技术专利，要求支付专利使用费。

KAIST IP 指出，“长期以来持续和三星就支付使用费一事进行协商，不过三星全面拒绝，导致协商破裂。且除了三星、Qualcomm和GlobalFoundries之外，今后也计划对台湾台积电、苹果（Apple）提告”。

KAIST IP 表示，三星、GlobalFoundries、台积电使用 FinFET 技术生产、销售手机芯片，但却不支付使用费。三星、GlobalFoundries供应芯片给高通，台积电则帮苹果生产 iPhone 用芯片。
虽然普通人没听过KAIST（韩国科学与技术学院）的名头，不过他们去年是非美国院校在美国申请专利第二多的高校，申请了105项专利，排名第一的则是中国清华大学，申请了185项专利，因此KAIST在科研实力上还是很有底气的，他们这次通过管理专利的子公司KAIST IP在美国德州联邦法院提起了法律诉讼，指控三星、GlobalFoundries及Qualcomm侵犯了他们编号为6885055的美国专利——一种双栅极FinFET设备及其制造方法。

根据KAIST所述，2001年还在韩国圆光大学任职的教授Lee Jong-ho提出了这种技术，三星当时对FinFET工艺并没有任何兴趣。不过在Intel率先推出类似FinFET工艺的3D晶体管技术之后，三星邀请了Lee教授给自家工程师演讲，获得了这种专利技术。

KASIT IP指出，三星盗用Lee教授的技术可以节省大量开发时间和成本，但却没有支付任何专利费。他们指责三星还在持续侵犯该技术，丝毫不考虑Lee教授的权益或者适当的补偿。

由于三星的14nm FinFET工艺不仅自己用，还授权给了GlobalFoundries公司，并为Qualcomm代工处理器，因此后面两家也一起被告上了法庭。

据报导，三星关系人士已表示，“目前正在掌握诉状内容。三星从 2000 年代初期就研发 3D 半导体技术，并拥有 FinFET 技术相关的自家专利”。

另外，FinFET技术的发明人是胡正明教授，不知道他申请了多少专利。

关注最前沿的电子设计资讯，请关注“电子工程专辑微信公众号”。