终端产品进旺季，NAND Flash供货吃紧价格止跌

受惠于中国智能手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新报告显示，第二季eMMC、消费级固态硬盘与企业级固态硬盘的合约价跌幅开始收敛，渠道端wafer价格更从4月起逐月上扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%，结束前两季度连续衰退的颓势。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季各项终端产品进入需求旺季，除智能手机外，消费级固态硬盘也在下半年需求快速攀升，使第三季NAND Flash供货吃紧的情况更显著。DRAMeXchange预估在价格逐渐上扬的趋势下，第三季NAND Flash厂商的营收成长及营业利益率将再一步提升，第四季也可望走扬。

三星电子

第二季三星电子NAND Flash营收季成长约10%，营业利益率也连两季成长。主要受惠于高容量企业级固态硬盘的市占率快速提升，及高容量eMMC／UFS、eMCP订单追加力道明显，位元出货量季增约15%，而平均销售单价季跌幅仅约5%。杨文得表示，从产品策略来看，三星3D-NAND Flash的固态硬盘市占率快速增加，现阶段高容量eMMC／UFS与eMCP的市占率也大幅领先竞争者。此外，三星持续扩增3D-NAND Flash的产能，因此今年的位元成长率将优于产业平均水平。

东芝电子

东芝电子整体第二半导体厂已开始量产3D-NAND Flash，预计在第四季可达每月４万片的水平，而目前主力工艺维持15纳米，占比将在第三季达80%以上，此外，TLC的产品也因主力策略客户从第二季末开始加单，比重也可在第三季接近50%。

未来东芝为了分散客户过于集中的风险，将投入更多资源在开发企业级固态硬盘，及提高消费级固态硬盘占有率两个主轴，预估从第四季开始，东芝的SSD应用项目Flash消耗量占比有望接近30%。

西数

从西数2016会计年度第四季相关NAND Flash的表现来看，15纳米工艺的产品依旧为营收获利主要来源。西数3D-NAND Flash 64层堆栈产品开发进度加速，在单颗芯片容量可增加至512Gb的情况下，未来开发重点将放在TLC架构上以获取更好的成本优势。

西数在本季增加约5%产能投片，今年度位元成长率约为30%。3D-NAND Flash产出比重预估在明年底可达40%。杨文得表示，西数目前为拥有完整HDD与SSD等储存产品线的领导公司。

SK海力士

第二季SK海力士NAND Flash营收较第一季劲扬37%，至8.82亿美元。受惠于中国智能手机需求畅旺，及第一季基期较低的缘故，第二季SK海力士位元出货量大幅季增52%。DRAMeXchange预估，在高容量eMMC／UFS、eMCP出货，及SSD市占率开 始提升的情况下，SK海力士第三季位元出货量可望季成长15%。

在产品开发进度上，SK海力士最新工艺的14纳米在第三季出货比重开始增加，3D-NAND Flash则预计在今年底将有每月2～3万片的产能。

美光

美光2016会计年度第三季（3～5月）非挥发性内存（Non-Volatile）位元出货季衰退10%，平均销售单价与位元成本则分别下滑6%与3%，总计NAND Flash营收下滑接近15%，至9.08亿美元。

美光本季度Fab10X新厂已小批量生产3D-NAND Flash，预计下个季度开始量产。TLC 3D-NAND Flash的SATA SSD已送样给各大PC-OEMs厂商测试，下一世代的3D-NAND Flash也即将推出，将可较前一代节省成本约30%，带来更出色的价格竞争力。在3D-NAND Flash比重快速攀升的带动下，DRAMeXchange预估美光2017年的NAND Flash位元成长率将高于产业平均。

英特尔

第二季英特尔NAND Flash营收仅季跌0.5%，至5.54亿美元。虽然在其他业者的强力挑战下，平均销售单价下跌超过10%，但因第二季位元出货量增长回升超过10%，营收跌幅有限。

英特尔16与20纳米工艺的企业级固态硬盘产品依旧为现阶段主流产品组合，而万众期盼的3D-NAND Flash（MLC）架构的企业级固态硬盘第三季底可顺利量产，大大改善成本竞争力。此外，大连晶圆厂机台设备已移入并开始试产，第四季量产出货的时程不变。

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