市场研究机构IC Insights的最新报告指出，生产过剩的DRAM将使得整体内存芯片平均销售价格(ASP)在今年下滑16%，并拖累IC市场营收规模缩水2%。
IC Insights表示，PC、笔记本电脑、平板电脑出货下滑，以及智能手机成长趋缓，将使得2016年DRAM市场衰退19%；众所周知，DRAM价格近两年来大幅波动，平均销售价格在2012年曾低至1.69美元，在2014年又冲上3.16美元的高点。

*DRAM供应过剩将拖累整体内存销售额在今年衰退11%
（来源：IC Insights）*

DRAM平均价格自2007以来的变化(参考下方图表)，如IC Insights所言，就像是：“阿尔卑斯山脉(alpine mountain)的轮廓；”来自服务器以及新型智能手机的需求，又将DRAM价格在今年夏天往上推，预计到2017年可回温至2.70美元。

*DRAM平均价格变化
（来源：IC Insights）*

不过IC Insights也表示，这股向上趋势可能只是短期现象，因为有两家中国厂商──位于安徽合肥的兆基科技(Sino King Technology)，以及福建晋华集成电路(Fujian Jin Hua IC Company)，打算在2017年底或2018年初开始生产DRAM。

IC Insights报告指出：“这两家新进厂商将生产哪些组件以及采用哪些技术，还有待观察；但它们出现在市场上可能意味着将掀起另一波内存价格下滑。”
编译：Judith Cheng

补充阅读：

对于DRAM产业链近期的反常表现，TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange报告认为，第二季华为(Huawei)、OPPO与vivo领军，带动中国品牌智能手机出货持续增温，加上移动内存的供给位的增加，使得2016年第二季全球移动内存总产值季成长17.2%，三大DRAM厂同步受惠。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，时序进入第三季出货旺季，由于新一代iPhone与三星(Samsung)旗舰机Note 7于此时备货生产，且中国品牌手机出货未见停歇，让移动内存的需求同步大增。DRAMeXchange预估第三季移动内存价格季跌幅仅3%，若厂商销售规划得宜，应能改善全球DRAM产业的获利结构。

第二季移动内存营收市占中，三大DRAM厂占比来到98%，排名第四的南亚科仅有1.1%。此外，第二季移动内存营收占总DRAM营收的43.2%，较第一季更加攀升。DRAMeXchange预估第三季由于中国智能手机维持强劲出货力道，将带动移动内存营收占总DRAM营收持续扩大。

第二季三星无疑仍是移动内存的领头羊。由于20纳米良率稳定、产品组成多元、且拥有最高的LPDDR4市占，使三星不论在市占或获利表现都持续领先。吴雅婷指出，2015年起三星就持续将产能转向移动内存领域，并大幅减低标准型内存的出货比重，因此三星DRAM整体获利表现一直远高过竞争厂商。

SK海力士(Hynix)今年重点在工艺转进至21纳米，有助于LPDDR4普及。虽然第二季21纳米移动内存产品仍未大幅量产，但在市场需求增加趋势下，DRAMeXchange预估第三季21纳米的移动内存出货数量将增加，带动SK海力士移动内存营收出现较大幅度成长。

美光集团(Micron)也正处于转进20纳米的关键时刻。吴雅婷表示，随着新一代iPhone进入备货期，无论是美光广岛厂或华亚科，LPDDR4投片都开始大幅提升，有助于未来美光集团在移动内存的营收比重扩大，并改善目前集团在DRAM产品的整体获利能力。

南亚科现在移动内存多以LPDDR2为主，由于未能扩大量产且LPDDR2价格于第二季走跌，让南亚科第二季营收市占下滑1.1%，但随着新厂产能于明年开出，南亚科将试产20纳米 LPDDR3产品，成本结构可望大幅改善。

第二季华邦电子的市占微幅下跌至0.8%，营收则因客制化产品与ASIC产品耕耘有成，季成长1.7%。华邦新工艺38纳米有机会于明年导入量产，将优先利用在利基型内存与移动内存上。

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