三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28纳米FD-SOI工艺，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及闪存，做为嵌入式非挥发性内存(eNVM)选项。
Samsung Foundry营销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性内存将分两阶段发展，首先是在2017年底进行嵌入式闪存(eFlash)的风险生产(risk production)，嵌入式MRAM (eMRAM)的风险生产则安排在2018年底。
不过Low也指出：“我们虽然会同时提供eFlash与eMRAM (STT-MRAM)技术选项，但预期市场需求会导致最后只剩下一种嵌入式非挥发性内存方案。”
风险生产指的是晶圆代工厂客户运作其完整电路、并不测试结构，但仍有可能改变工艺与设计，以优化芯片性能以及改善良率；而因为工艺还未最后确定，这类生产对客户来说必须负担风险，因此被称为风险生产。此生产阶段可能会持续数个月时间，而正式提供eFlash与eMRAM量产的时程，分别会在2018与2019年。
MARM这种非挥发性内存技术已经发展多年，最近才有业者Everspin Technologies提供单独的MRAM芯片；三星在2011年收购了MRAM技术新创公司Grandis。
要提供28纳米嵌入式非挥发性内存得克服许多挑战，产业界公认将闪存微缩至28纳米节点并不实际，但MRAM、相变化内存(PCM)以及电阻式内存(ReRAM)等其他技术选项仍不成熟。28纳米节点eFlash的问题包括耐久性以及功耗，而通常SoC设计会选择以较不积极的节点来制作嵌入式闪存电路、放弃微缩。
这也可能是三星先推eFlash技术，但预期客户会在长期使用STT-MRAM；MRAM在长期看来会是较受欢迎的技术，因为与CMOS融合的简易性以及其电压架构，能以最少三层额外光罩就能被整合，而eFlash则通常需要6~8层额外光罩。
MRAM通常是以平面内(in-plane)方式制作，不过也有选项是将磁性层垂直布置以进一步缩小面积；不过Low表示，三星不方便透露其eMRAM的制作技术细节。
不过三星在2016年6月于美国德州奥斯汀举行的设计自动化大会(DAC)上，确实展示了以28纳米HKMG块状CMOS工艺生产的独立MRAM；Low表示：“我们的团队正在研究将此成果转移至28纳米FD-SOI工艺。”
编译：Judith Cheng
本文授权编译自EE Times，版权所有，谢绝转载
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