荷兰半导体设备大厂ASML宣布，该公司在最近一季接到了4张极紫外光(EUV)微影系统订单，预期明年将出售12台EUV系统；此最新信息重燃了产业界的期望，延迟已久的EUV扫描机或许能在2020年准备好量产，届时应该是5纳米工艺。
ASML发言人表示：“我们预期EUV微影将在个位数纳米工艺节点，被应用于内存中的两个或更多层；而在最先进的逻辑工艺节点(7或5纳米)，则被应用于6~9层。”该公司表示，到2018年，该公司生产EUV微影系统的产能可达到24台，每台售价近1亿美元；到目前为止，芯片制造商已经安装了8台ASML的最新EUV系统进行试产。
市场研究机构Semiconductor Advisors的分析师Robert Maire认为：“EUV微影真正开始量产应该是会在2020年；”他指出，台积电(TSMC)最近也宣布了将在5纳米节点采用EUV微影的计划。而英特尔(Intel)则是在近日出人意料之外地表示，决定延迟原本预计在今年秋天开始的10纳米节点量产时程；Maire指出，因为英特尔可能会在7纳米采用EUV微影，与台积电的5纳米节点量产时程相当。
今日的16/14纳米节点设计，通常是以采用现有深紫外光(DUV)微影扫描机的双重图形(double-patterning)来达到所需的最细线宽以及间距；一旦EUV技术准备就绪，就能免除在10纳米以下节点采用昂贵、较具挑战性的三重或四重图形。
自双重图形方案在20纳米节点兴起以来，芯片制造商对于工艺节点的名称就毫不在意；呼应Globalfoundries首席技术官在今年稍早前发表的意见，Maire表示：“10纳米节点会是一个生命周期较短的“轻(Lite)”节点，而产业界对于接下来的7纳米节点会更努力推动，使其成为较强势、生命周期较长的节点。”
ASML在新一季财报发布会上表示，该公司已经出货数台YieldStar 350E度量系统给客户，以支持10纳米逻辑工艺的质量以及量产；此外该公司也出货了23台NXT:1980i ArF DUV系统。这一段时间以来，ASML都表示DUV与EUV系统会在先进工艺节点被串联使用。
*ASML表示，EUV将对降低多重图形的需求并改善良率
（来源：ASML）*
随着ASML的EUV系统持续进展，以及整合了最近收购自台湾厂商汉微科(Hermes)的检测系统；Maire预期该公司的竞争对手──如准备合并的KLA-Tencor与Lam Research──将遭遇麻烦：“ASML目前极力推广自有的迭加(overlay)与度量解决方案，并以将其他竞争对手如KLA挤出市场的目标来紧密整合技术；随着EUV走向现实，并整合了汉微科的技术…KLA会需要考虑整合其技术以找到取得新的成长动力。”
在此同时，最新的EUV系统还差一步才能实现量产，也就是可达到一小时125片晶圆产能的250W光源；目前已安装的系统是采用125W光源，产能只有每小时85片晶圆。不过ASML策略营销总监Michael Lercel表示，该公司已经在实验室证实了一套采用210W光源的方案。
“我们正开始接近与三重图形的成本权衡；”Lercel表示，ASML也正在努力确保复杂EUV系统达到九成以上的正常运作时间(uptime)，到目前为止该系统在4周期间的正常运作时间为超过八成，但是：“研发应用与量产应用的要求是有区别的。”
EUV系统的可靠度是一项艰巨任务，因为其光源必须在真空状态每秒射出5万次的熔解锡(tin)液滴；这种全新的光源不但体积比过去的准分子雷射(excimer lasers)更大、系统也更复杂，光源系统本身像一台冰箱那么大，在无尘室外围环境运作。
编译：Judith Cheng
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