美光3D NAND芯片已送样，三星独霸时代终结

随着移动设备替代个人电脑成为消费者的主要计算设备，用户行为对设备的移动内存和存储要求产生了极大影响，内存的 3D NAND Flash 大战即将开打！

目前 3D NAND 由三星电子独家量产，但是先有东芝（Toshiba）杀入敌营，日前在美国加州正在举行的 Flash Memory Summit 大会上，美光（Micron）也宣布研发出 3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。

TechRadar、ComputerWorld 报导，美光 9 日宣布开发出该公司第一款 3D NAND 芯片，采 48 层堆叠，容量为 32GB。这款 3D NAND支持全新的通用闪存存储标准 UFS2.1，将用于中高端智能手机，这一细分市场大约占据全球智能手机总量的 50%。

为满足移动视频和多媒体消费增长所带来的更高硬件需求，以及 5G 无线网络推出后预计出现的更高存储需求，美光 3D NAND 技术以卓越的精度垂直堆叠了多层数据存储单元，利用此技术制成的存储设备容量比采用前一代平面 NAND 技术制成的设备容量高三倍。通过垂直堆叠，美光将更多的存储单元集中到更小的芯片区域内，生产出业内最小的 3D NAND 存储芯片，其面积只有 60.217mm2。更小的芯片让极小的封装得以实现，这可以为电池腾出更多空间，或者让移动设备的规格变得更小。

美光宣称，新品效能比前代提升 40%，尺寸更是业界最小，美光的 3D NAND 晶粒（die）比相同效能的平面 NAND 晶粒，体积缩小 30%。新品已送样给移动设备厂，预定今年底广泛出货。

美光移动业务部门发言人 Dan Bingham 说，该公司第二代 3D NAND 将为 64 层，研发时程尚未公布。为了支持虚拟现实和串流影片需求，移动设备的内存容量不断增加，美光预估，2020 年智能手机的内建内存或许会有 1TB，和电脑差不多。

“美光不断改进 NAND 技术，推出了适用于移动设备的 3D NAND 和 UFS 产品。”美光科技移动产品事业部副总裁 Mike Rayfield 表示，“3D NAND 提高了性能和容量并增强了可靠性，有助于满足客户对移动存储不断增长的需求，并能实现更加卓越的终端用户体验。”

霸荣（Barronˋs）9 日刊出 Pacific Crest 报告，内容预测 3D NAND 时代将要到来。报告称，英特尔、美光、SK 海力士（SK Hynix）、东芝、Western Digital 的 3D NAND 应该很快就会上市。估计第三、四季 3D NAND 产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪，东芝和 SK 海力士则可能在 Q4 出货。Pacific Crest 认为，3D NAND 战役中，美光情势有利。该公司的 3D NAND 尽管层数较少，但是密度高，而且美光无可损失。

“3D NAND 技术对智能手机和其他移动设备的持续发展至关重要。”Forward Insights 的创始人兼首席分析师 Greg Wong 表示，“随着 5G 网络的问世，再加上移动设备对我们数字生活的影响越来越大，智能手机制造商需要最先进的技术来存储和管理不断增长的数据量。美光的移动3D NAND 技术可在高分辨率视频、游戏和摄影方面实现更加卓越的用户体验，完美满足市场上不断发展的数据存储需求。”

关注最前沿的电子设计资讯，请关注“电子工程专辑微信公众号”。