30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商调研分析报告

七、宽禁带半导体市场及主要国内厂商

以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料的研究和应用已经有20多年的历史，但直到最近几年才开始凸显出其商业化的发展前景。5G通信的射频前端有着高频和高效率的严格要求，这正是氮化镓(GaN)的用武之地。另外，汽车电动化和便携式电子产品快速而高效的充电需求也将驱动氮化镓(GaN)功率器件走向大众市场，逐渐替代传统的硅功率器件。

氮化镓(GaN)器件可分为分离器件和集成器件两大类，其中分离器件主要包括增强模式(E-Mode) GaN晶体管和耗尽模式(D-Mode) GaN晶体管，代表厂商包括松下、EPC、英飞凌、安森美、GaN系统和Transphorm等。集成器件又分为系统级封装集成和系统级芯片集成，代表厂商包括TI、EPC、英飞凌、纳微(Navitas)、Power Integrations(PI)和dialog等。

GaN器件的主要分类及代表厂商。（来源：Yole）

根据Yole对GaN应用的细分市场预测，从2019年开始，GaN在电源应用领域开始快速增长，预计到2022年将超过2亿美元，其中移动设备快充充电器是其主要驱动力。

GaN器件的主要应用市场增长及规模，其中非汽车的电源应用增长最快。（来源：Yole）

虽然中国本土的第三代半导体研究和制造起步较晚，但一批氮化镓和碳化硅重大项目正在投入建设中，包括厦门三安集成涵盖GaAs、GaN、SiC芯片及外延的生产线；华润微电子的8英寸硅基氮化镓生产线；英诺赛科在苏州投产的8英寸硅基氮化镓生产线；杭州士兰微电子在厦门的12英寸先进化合物半导体生产线。除了这些重资本投入的IDM或代工制造产线外，深圳基本半导体和成都氮矽科技等初创公司也开始加入市场，预期未来将有更多本土厂家在新兴的宽禁带半导体行业成立和增长。