如何有效地检测碳化硅(SiC)二极管？

随着宽禁带半导体技术的日益普及，需要在高温和苛刻的电流循环条件下，对二极管操作进行各种耐久性测试，以评估其性能。毫无疑问，功率电子器件作为基本元器件，将在未来几年中持续发展。而新型碳化硅（SiC）半导体材料更是不负众望，它比传统硅材料导热性更佳、开关速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小。因此，碳化硅开关也成为设计人员的新宠。

碳化硅二极管主要为肖特基二极管。第一款商用碳化硅肖特基二极管十多年前就已推出。从那时起，它就开始进入电源系统。二极管已经升级为碳化硅开关，如JFET、BJT和MOSFET。目前市场上已经可以提供击穿电压为600-1700 V、且额定电流为1 A-60 A的碳化硅开关。本文的重点是如何有效地检测Sic MOSFET。

图1: 首款商用SiC MOSEFT-CMF20120D

碳化硅二极管

最初的二极管非常简单，但随着技术的发展，逐渐出现了升级的JFET、MOSFET和双极晶体管。碳化硅肖特基二极管优势明显，它具有高开关性能、高效率和高功率密度等特性，而且系统成本较低。这些二极管具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗浪涌电压能力和正温度系数。

新型二极管适合各种应用中的功率变换器，包括光伏太阳能逆变器、电动车（EV）充电器、电源和汽车应用。与传统硅材料相比，新型二极管具有更低的漏电流和更高的掺杂浓度。硅材料具有一个特性，就是随着温度的升高，其直接表征会发生很大变化。而碳化硅是一种非常坚固且可靠的材料，不过碳化硅仍局限于小尺寸应用。

检测碳化硅二极管

本文要检测的碳化硅二极管为罗姆半导体的SCS205KG型号，它是一种SiC肖特基势垒二极管（图2）。其主要特性如下：

˙反向电压V_r：1200 V;

˙连续正向电流I_f：5 A（+ 150℃时）;

˙浪涌非重复正向电流：23 A（P_W = 10ms正弦曲线，T_j = + 25℃；

˙浪涌非重复正向电流：17 A（P_W = 10ms正弦曲线，T_j= + 150℃）；

˙浪涌非重复正向电流：80 A（P_W = 10μs方波，T_j= + 25℃）；

˙总功耗：88 W；

˙结温：+ 175℃；

˙TO-220AC封装。

图2: 罗姆SCS205KG SiC二极管

罗姆半导体公司的SCS205KG SiC二极管性能稳固，恢复时间短且切换速度快。其官方SPICE模型允许用户在任何条件下对器件进行仿真。

正向电压

首先，我们测量SiC二极管的正向电压。图3所示为一个简单的测试电路及其三维示意图，以及在不同的工作温度下，器件数据手册中有关正向电压的相关数据摘录。

图3：SiC二极管的正向电压测试原理图

测试接线图中，肖特基SCS205KG SiC二极管与一个阻值约6.7欧姆的电阻串联，以允许5 A的电流通过电路。其电源电压设置为36V。为了更好地优化功耗和散热性能，我们使用了十个并联的67欧姆电阻，以模拟单个6.7 ohm电阻。每个电阻的功率必须至少为20W。肖特基二极管SCS205KG的数据手册中明确了在各种工作温度下器件两端的电压值：

I_f=5A, T_j=+25℃: 1.4 V;

I_f=5A, T_j=+150℃: 1.8 V;

I_f=5A, T_j=+175℃: 1.9 V.

这些数据说明了二极管两端的电压高度依赖于温度。因此，设计人员必须尽可能地抑制这种电压波动，以免影响最终的系统性能。我们使用如下的SPICE指令，在0℃至200℃的温度范围内进行直流扫描仿真，以测量功率二极管两端的电压：

.DC temp 0 200 25

仿真结果返回了在不同温度下二极管上的电压值，这些数据完全符合器件数据手册中提供的指标。其中红色框中包含了文档中报告的测试温度。

表1：温度与测得电压值.

如图4所示，随着温度的变化，绿色曲线表示二极管阳极上固定的36 V电压，黄色曲线表示阴极上的电压变化。其电位差构成了“正向电压”。由于阳极和阴极的电压之间存在代数差，从图中可以观察到器件上存在电位差。该测试必须在几秒钟内完成。

图4：仿真在时域中测量SiC二极管的正向电压

电容电抗

其次，我们测量SiC二极管的电容电抗。图5所示为简单的测试电路及其三维示意图。

图5：SiC二极管电容电抗测试示意图

在电路图中，肖特基SiC二极管SCS205KG与一个阻值低至约0.1欧姆的电阻串联。另有一个阻值很高的第二电阻与二极管并联。电源电压是设置为1 V的正弦波电源。我们可以执行如下的SPICE指令进行AC仿真，在200 MHz至2 MHz频率范围内，对功率二极管的电容电抗进行测量：

.AC lin 1000 0.2Meg 2Meg

仿真结果（参见图6）显示出在正弦波不同频率下的不同电容电抗。

图6：该仿真在频域中测量SiC二极管的电容电抗。二极管表现为一个小型电容器，容值取决于所承受的频率。

如图7所示，我们采用如下公式测量二极管的电容电抗。它发生在频域中的AC。

IM(V(n002)/I(R1))

图7：二极管电容电抗的计算公式

二极管可以用电容器代替，以便用真实器件来执行另一个仿真。

反向电流

第三个要测量的是SiC二极管的反向电流。图8所示为一个简单的测试电路及其三维示意图，以及在不同的工作温度下，器件数据手册中有关反向电流的相关数据摘录。

图8：SiC二极管反向电流的测试示意图

电路图（图8）中，肖特基SiC二极管SCS205KG与一个阻值低至约0.1欧姆的电阻串联。电源电压是设置为1200 V的正弦波电源。二极管以反向模式连接。我们采用如下SPICE指令，执行DC仿真（扫频），测试在+ 20℃至+ 200℃的温度范围内流过二极管的反向电流。

.DC TEMP 20 200 1

如图9所示，随温度变化，二极管上只有很少的反向电流经过。

图9：该仿真测试了SiC二极管两端的反向电流在温度域的变化情况

图10（电压V与电流I）显示了在+ 25℃的恒定温度下，当施加到二极管的电压在0 V至1200 V之间变化时，反向电流的变化曲线。

图10：在25℃温度下，反向电流与施加到二极管上的电压关系图。

结论

碳化硅二极管具有非常快速的恢复时间，这可提高开关速率，并减小磁性元件和其它无源元件的尺寸，从而使最终产品具有更高的功率密度。对于电源开关应用，碳化硅二极管在效率和热性能方面也具备显著的优势。这种器件可以在更高的温度下运行，而温度是改变电子器件工作条件的重要因素。如果采用真正的SiC器件进行真实测试与仿真会更加有趣，这样可以评估仿真器以及SPICE模型的功效和实用性。

(参考原文：Examining a SiC diode)

责编：Amy Guan

本文为《电子工程专辑》2020年9月刊杂志文章，版权所有，禁止转载。点击申请免费杂志订阅