在当前中国芯片高端技术被欧美封锁的情况下，中国半导体厂商格科微能够成功引进先进光刻机，确实不容易。那么，其引进的ArF光刻机到底是什么光刻机？与DUV光刻机和EUV光刻机的关系和区别又是什么？
2022年3月24日，格科微电子（上海）有限公司（上证股票：688728）成功把整套ASML光刻机中的关键设备：先进ArF光刻机MOVE IN（搬入）。
3月27日，格科微电子正式宣布： “12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”推进迅速。
在当前中国芯片高端技术被欧美封锁的情况下，中国半导体厂商格科微能够成功引进先进光刻机，确实不容易。那么，其引进的ArF光刻机到底是什么光刻机？与DUV光刻机和EUV光刻机的关系和区别又是什么？
ArF光刻机
ArF其实是一种光源，光刻机的常见光源和波长有：
紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm；
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm；
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
光刻机对光源系统的要求是：
1.适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。
2.足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
3.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。一般采用光的均匀度、不均匀度、光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
光刻机分类
按照光源类型划分，光刻机不仅有极紫外光刻机（EUV），还有ArF浸没式光刻机、ArF干式光刻机、KrF光刻机、i-line设备等。
其中，ArF浸没式、ArF干式和KrF都属于深紫外线光刻机（DUV），EUV是目前最先进的光刻机，但DUV其实是当前半导体制造的主力，无论是图像传感器、功率IC、MEMS、模拟IC，还是逻辑IC，主要用DUV进行生产。
EUV光刻机主要用来生产7nm、5nm及以下的芯片，譬如苹果的A15、高通的Gen 1及以后系列芯片等。
因此，ArF光刻机指的就是DUV光刻机中的一种。
DUV与EUV光刻机的发展进程与区别
DUV：Deep Ultraviolet Lithography，是指深紫外线。
EUV：Extreme Ultraviolet Lithography，是指极深紫外线。
在芯片生产领域，DUV是早于EUV的，也是生命周期最长的，其到现在还有着大量的使用。DUV最初是由日本和荷兰研发出来的。
一、DUV光刻机发展
上世纪光刻机在发展过程中，ArF干法分化成两大路线之争，ArF湿法胜于F2。
2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：
其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。
其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。
193nm的ArF光经过纯净水的折射后，等效波长为134nm，从而实现比F2光源更高的分辨率。
目前主流采用的纯净水的折射率为1.44，ArF加浸入技术实际等效的波长：193nm/1.44=134nm。
这也是为什么台积电需要大量的水的原因之一，见：《台积电缺水，世界缺芯》
由于F2光源无法穿透水，因此无法和浸没式技术相结合，进一步提升分辨率。ArF湿法在光刻精度上胜于F2。
以ArF浸没式为切入点，ASML成为了DUV时代龙头。
2002年台积电林本坚提出ArF浸没式方案，随后ASML在2003年成功推出第一台浸没式光刻样机。尼康虽然在2006年也顺利推出ArF浸没式光刻机，但市场先机早已被ASML夺走。伴随着ASML和台积电ArF浸没式技术的成功，ASML和台积电实现了双赢。
在光刻机领域，ASML开始奋起反超Nikon；台积电也成为第一家实现ArF浸没式量产的公司。
因为ArF系列光刻机可用于制造7nm-130nm制程的芯片，而且该制程范围内的芯片超过全部芯片供应的60%，所以ASML的市场份额快速提高，自2006年超越尼康成为全球光刻机龙头以后，其行业领导地位维持至今。
因此，核心浸没式技术主要来自台积电，美国在DUV领域不能完全掌控，ASML向中国供应DUV光刻机也无需得到美国授权。
二、EUV光刻机发展
EUV技术起源于英特尔和美国政府牵头成立的EUV LLC联盟。
1997年，EUV LLC联盟成立，ASML后来才入局。ASML被美国从资本和技术方面完全渗透了。
1）EUV LLC联盟与ASML的入局
EUV LLC联盟汇聚了美国顶尖的研究资源和芯片巨头，包括劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室、桑迪亚国家实验室三大国家实验室，联合IBM、AMD、摩托罗拉等科技巨头，集中数百位顶尖科学家，共同研究EUV光刻技术。
美国政府担心尖端技术落入外国公司，所以反对日本尼康的加入，而荷兰公司ASML表示将在美国建立工厂和研发基地等多个措施，并允许美国资本和英特尔入股后，才被允许加入EUV LLC联盟。
ASML加入EUV联盟后，于2007年收购美国Brion公司，获取了光刻技术，成功开启并购美国光刻企业之路。至此，美国开始在EUV技术方面渗入ASML。
2）ASML的发展和美国化
ASML于 1984年从飞利浦独立出来，当时的飞利浦是世界上最大的电子制造集团之一。
从飞利浦独立出来后，ASML公司只是一家名不见经传的小厂商，没有资金也没有技术。2007年之前，全球光刻机市场的霸主是日本的尼康和佳能，毕竟光刻被称为“现代光学工业之花”，日本的光学工业也极为发达。
荷兰ASML之所以能一举击败日本光刻巨头，台积电功不可没，当时的台积电想生产浸润式光刻机，却被尼康和佳能拒绝了，最终选择与ASML合作共同研发，当浸润式光刻机生产出来后，技术比日本的干式光刻机还要好。
随后，ASML订单大幅上涨，2007年成为全球光刻机市场的霸主，2009年夺得全球70%的市场份额，日本在光刻机领域就此没落。
ASML紧接着并购了美国Cymer、HMI等公司，增强了在光刻、光源、电子束检测等方面的技术储备。
随着ASML在DUV时代取得成功以及摩尔定律的逐渐放缓，美国计划后续用出资入股和技术渗透的形式牢牢把控ASML的后续EUV技术。2012年，英特尔、三星、台积电共同买入ASML 23%的股权，获得了ASML光刻机的优先供货权，成为了利益共同体。
经过多年的入股，英特尔、三星和台积电的合作关系已经非常深入，随后，三大股东逐渐卖出股份，换取大量现金收入。与此同时，华尔街资本开始购买ASML的股份，截至目前，荷兰ASML公司的第一大股东为美国资本国际集团，第二大股东为美国贝莱德集团。
因此，美国已在技术和资本层面渗入和掌控了ASML，并力推最先进的EUV光刻机，引导着技术方向。
3）最先进的EUV技术受控于美国
截止2020年末，ASML的EUV中有90%零部件来自进口，而且根据ASML加入EUVLLC的承诺，美国零部件需占比55%以上。同时，ASML的前三大股东均来自美国，合计掌握ASML近30%的股权。所以，ASML的EUV光刻机的实际控制方是美国而非荷兰。
DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。
DUV和EUV的区别
DUV和EUV最大的区别在于光源不同，从而导致分辨率也不同。EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。鉴于DUV涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片。所以，完全掌握DUV技术就能在各类芯片领域有所建树。
随着先进制程向5nm及以下先进制程进化，EUV成为了刚需，EUV也成为未来光刻技术和先进制程的核心。
EUV作为5nm及更先进制程芯片的刚需，覆盖了手机SoC、CPU、GPU、1γ工艺DRAM等多种数字芯片。
EUV光刻机最基本的分辨率就是7纳米，理论上可以实现1纳米的制程工艺。
而DUV光刻机的最小分辨率只能达到7纳米，目前也只有台积电用DUV光刻机在2018年量产了7纳米制程工艺的芯片。
芯片技术与市场分布
前面说过，尽管EUV光刻机是芯片行业目前最尖端的技术，但5nm及以下的芯片主要用来生产苹果、高通、三星等手机及平板处理器，也主要集中在消费领域；其他60%以上的工业还不需要5nm及以下的芯片制程和技术，这类芯片主要由DUV光刻机生产。
同时，中国作为全球最大的制造基地，不仅仅是普通商品，在高端芯片的制造上也早已布局。
据统计，全球芯片产能的分布中，亚洲占据了75%，其中，中国达到37%，而美国只占12%。而欧美的很多经济包括芯片产业都离不开中国市场和中国制造。
结语
因此，尽管中国被严格禁止获得高端芯片技术，而格科微之所以能成功引入ASML的先进ArF光刻机，其原因，
并不是美国放松了制裁，
也不是看不上ArF这种DUV光刻，
而是因为，
一方面美国不掌握ArF（DUV）光刻机的主导权，ASML向中国出口DUV光刻机无需得到美国授权，
另一方面，中国的实力和广阔的市场也是ASML愿意出口DUV光刻机的原因。
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