捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标

2021年8月26日，由ASPENCORE主办的“全球MCU生态发展大会”及“电机驱动与控制论坛”在深圳成功举办。其中的“电机驱动与控制论坛”上众多厂商就MCU及电机驱动与控制等技术进行了深入交流。

本文首先简要分析了半导体功率分立器件的市场趋势及分布，然后介绍了捷捷微电的高效能功率器件MOSFET，最后捷捷微电副总经理于玮诏先生分享了捷捷微电的目标和功率器件之梦。

半导体功率分立器件市场趋势及分布

上图是2005年到2021年IC季度出货量的增长情况，16年多时间从200多亿增长到1000多亿，增长5倍左右。

上图是功率器件MOSFET市场结构分布及变化。

MOSFET功率器件在汽车行业的需求

除了在汽车领域，其他大多数涉及半导体的行业都有MOSFET的需求。

捷捷微电的高效能功率 MOSFET特点及产品

专利

捷捷微电的SGT专利技术JSFET包含：

分离（或屏蔽）栅极沟槽技术通过进一步最小化关键电气参数来改进沟槽技术

更好的 Ron, sp (例如 Rchannel ; REpi ) & UIS; 模具尺寸; 

开关性能（通过减少 Rg / Qg / Cgd / Qrr / trr

性能优化

SGT MOSFET支持各种性能优化，地满足各个应用需求

VDS of competitionID of competitionVDS of JSFETID of JSFETVDS (V); ID (A)Time (ms)

1 VGS(th) 通常会影响抗噪性

[1 ~ 3V] 避免上/下转换应用中的直通电流，也有利于 MCU 驱动

[2 ~ 4V] 避免电机驱动应用中的直通电流

2 低米勒效应，最大限度地减少在电动工具、工业和汽车环境等嘈杂环境中可能发生的虚假开启的可能性

3 低 RDS(ON) 可降低传导损耗，这在高功率应用中占主导地位，例如满载 AI 引擎 SoC 的同步 DC-DC 子系统高端的重占空比

4 低 [Ciss / Crss / Coss] 以减少开关损耗，这在 25W 至 50W 充电器/适配器等低功率应用中占主导地位

5 硬开关 → 导通/关断转换期间更高的交叉损耗（即通道仍处于导通状态 → 增加 D-S 两端的电压）

6 低 Qg 以最大限度地减少 gate_drive 损耗，这在低功耗 AIoT 模块中至关重要，该模块必须依靠能量收集积累的先前功率

7 优化的 Qrr 和 Trr 因此降低了感性负载的 VDS 过冲，以最大限度地减少关断期间的损耗（EOFF、死区时间）

适用于 PFC 图腾柱和电机驱动等应用中的硬开关

高 dv/dt 以减少开关损耗

具有竞争力的产品

其中， 30~150V SGT MOSFET 的 RON、sp 和 FOM 已经可以与顶级功率 MOSFET IDM 中的最佳产品相媲美；

FOM (Qg * RDS(ON)) 和 Ciss，适用于软开关，极具竞争力。

捷捷微电之梦

捷捷微电能够提供稳定可靠的供应链，与多个 8 英寸晶圆 OSF 的战略合作伙伴关系（IATF 16949 和 VDA 6.3 认证）。

可靠的 IATF 16949 级组件的内部设施，辅以与第 3 方 OSAT 的战略合作伙伴关系，以提供更多容量和可靠的质量和可靠性。

专为汽车行业扩展的的汽车级套件A/T二期（100平方公里）

并且提供可以公开的测试性能指标参数：

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捷捷微电的目标

捷捷微电凭借较强的实力，希望中国在2025半导体需求自给自足达到70%的目标实现中能够拥有一席之地；

2020年国內市场已经位居第一、全球位居第三，在2021年市场占有率再次攀升，SGT MOSFET团队在两年內创造营收增长达两位数字的目标。

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