『全球CEO峰会』重磅演讲者：瑞能半导体公司CEO Markus Mosen：拥抱第三代半导体新纪元

2015年8月5日，由恩智浦半导体与北京建广资产管理有限公司共同投资建立的瑞能半导体(WeEn)宣告成立。受益于恩智浦先进的双极性功率技术以及建广资产在中国制造业和分销渠道的强大资源网络，瑞能半导体致力于改善和研发业界领先的功率半导体器件的产品组合，包括可控硅整流器、功率二极管、高压晶体管、碳化硅(SiC)等，可广泛应用于全球汽车、电信、计算机与消费电子、智能家电、照明、电源管理等各市场领域，帮助客户实现更高的成本效益和生产效率，助力中国以及全球智能制造的发展。

而负责领导这家企业乘风破浪前进的，正是从公司成立之初起就被任命为首席执行官的Markus Mosen先生。作为公司最高管理层人员，Markus Mosen拥有20年半导体行业全球运营和产品线管理经验，先后带领团队开发并成立了中国及亚太区销售和市场办事处，提升了公司产品在不同市场领域的市场份额，包括手机安全解决方案、双极型大功率分离元器件和安全系统等。同时，Markus也曾负责过手机芯片、安全和芯片卡应用业务；近年，还曾监管过可再生能源以及工业和消费类市场的大功率分离元器件应用业务。

瑞能半导体公司首席执行官Markus Mosen

经历46亿年时光之旅的半导体材料

Markus所指的第三代半导体，对瑞能而言主要指SiC MOSFET器件。该市场目前主要由国际上几家大的功率半导体公司所主导，市场规模相对来说不大，但增长速度极快。瑞能从2012年开始开展碳化硅材料领域的器件研究，目前，碳化硅肖特基二极管已经大规模量产，并被电源客户广泛采用，碳化硅MOSFET产品也陆续推出市场。

与SiC器件国际大厂相比，瑞能半导体在客户服务响应、稳定供货和客户特殊的定制化需求方面具有极大的优势，产品品质也延续了恩智浦一贯以来的质量标准，今年相继推出的1200V 160mΩ/80mΩ/40mΩ SiC MOSFET产品已经得到了客户的广泛选用。根据规划，下一步，瑞能半导体将进一步加大硅材料和碳化硅材料的功率器件产品的投入，扩大产品系列和应用范围。

得益于SiC MOSFET产品在提升整体电能利用效率和助力电力电子装置体积小型化方面具备的突出特性，电动汽车、5G基站电源、数据中心服务器电源等需要电力电子的应用场景对SiC器件青睐有加。疫情期间，随着在线会议和云办公的大规模发展，数据中心和5G通信基站建设如火如荼，碳化硅功率器件产品的市场规模也出现了显著增长态势。

其实，真正起到风向标引领示范作用的，还是SiC MOSFET器件在特斯拉Model 3上的大规模量产使用。虽然目前Model 3只在主驱动逆变器上应用了SiC MOSFET，但即便这样，一辆车中也需要24颗SiC MOSFET器件。未来，车载充电机(OBC)、DC-DC等都会成为SiC MOSFET器件的理想使用场景，随着电动汽车市场规模的快速增长，SiC MOSFET出货量的显著上升将不会令人感到意外。

但SiC是一种让人又爱又恨的新材料。目前来看，SiC MOSFET的发展主要受制于两个方面：碳化硅晶圆材料的品质和产品价格。由于MOSFET对碳化硅晶圆材料的品质要求远远高于肖特基二极管产品，SiC MOSFET单颗芯片的尺寸也要大于碳化硅二极管产品，所以对碳化硅晶圆材料的缺陷密度有着更高的要求，更高品质的碳化硅晶圆可以显著提高目前SiC MOSFET芯片的良率。另一方面，碳化硅晶圆材料，特别是高品质晶圆较高的价格也导致SiC MOSFET成本增加，成为制约SiC MOSFET更大规模普及和发展的要素之一。

瑞能除了一直与国内外碳化硅晶圆厂保持密切交流合作外，还从下游芯片制造的角度协助材料厂商改善碳化硅晶圆生长工艺，并设计了超低比导通电阻值(Ron,sp)的SiC MOSFET器件，单位面积具备更大的电流导通能力。这意味着，在同一片碳化硅晶圆上，瑞能可以产出更多的有效芯片，为用户带来具备更高性价比的SiC MOSFET产品。

今年突如其来的疫情对很多行业的生产和供应都产生了影响，但来自瑞能方面的反馈称，碳化硅原材料的生产属于技术密集型行业，相对来说受影响较小，再加上此前充足的备货，总体来看疫情对供应的影响有限。即便在疫情最严重的2月，通过大规模启用线上会议和云办公工作模式，SiC MOSFET的设计项目上并未造成延误，所有项目均按时完成了前期制定的新产品Tape Out工作。

在谈及硅(Si)、碳化硅、氮化镓(GaN)三者之间的关系时，瑞能方面表示，传统硅材料作为发展时间最久和技术最成熟的半导体材料，几乎应用于半导体的各个领域；而碳化硅和氮化镓作为第三代半导体材料，由于其各自独特的材料特性，在某些应用领域(例如高压功率器件、射频功率器件)中相比传统硅基产品具有鲜明的技术优势，已经开始替代硅材料。但在更大规模的集成电路领域，硅材料仍然是无法替代的，而碳化硅和氮化镓之间会在部分应用领域有重叠，但是由于各自材料特点不同，总体而言也无法互相替代。

结语

2019年11月，在瑞能半导体成立四周年的活动上，Markus Mosen先生表示，“回顾公司发展历程，我们不仅在可控硅领域独占鳌头，在二极管领域也建树颇丰，碳化硅产品如1200V系列表现不俗，同时瑞能还在加紧推进新平台的建设。未来，我们将继续保持专注，进一步改善瑞能在功率半导体领域的定位，抓住功率半导体发展的契机，为市场和客户提供具有更高价值的产品和创新解决方案。”

而第三代半导体，将成为承载这一理想的梦想之舟。

Markus Mosen先生已确认参加11月5日在深圳举办的全球CEO峰会，届时将发表题为“理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元”的精彩演讲。会议同期还将举办全球电子成就奖颁奖典礼以及全球分销与供应链领袖峰会，报名参会请点击这里，或长按识别或扫描下图二维码）