半导体前道设备制造专栏-面包芯语-电子工程专辑

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半导体前道设备制造

历任国际知名芯片设计公司、国内知名MEMS制造集团公司，现任职半导体前道设备制造中日合资企业。

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浅谈碳化硅衬底材料

所谓“第三代半导体”仅在国内这样称呼，在国际上统称为化合物半导体材料。SiC衬底具有明显的禁带宽度大、临界击穿电场强度大的特征，故而又被成为宽禁带半导体。相较于传统硅基器件，SiC功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上均有较大幅度优化。同硅基芯片类似，SiC功率器件生产流程一样从材料端衬底与外延的制备开始，经历芯片的设计与制造，再到芯片封测后，最后应用到下游市场。为什么我国乃至全球都在大

半导体前道设备制造 2023-05-19 1488浏览

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