半导体工艺与设备专栏-面包芯语-电子工程专辑

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半导体工艺与设备

1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。

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玻璃基板深度报告

半导体工艺与设备 2024-12-07 124浏览
High-k栅极堆叠技术是什么

High-k 栅极堆叠技术是一种在半导体领域广泛应用的先进技术，尤其是在现代集成电路制造中发挥着重要作用。传统的半导体晶体管使用二氧化硅（SiO₂）作为栅极绝缘层。然而，随着半导体器件尺寸的不断缩小，二氧化硅层变得越来越薄，导致漏电问题日益严重，影响了器件的性能和功耗。High-k 栅极堆叠技术通过引入具有高介电常数（high-k）的材料来替代传统的二氧化硅栅极绝缘层。高介电常数材料能够在保持相同

半导体工艺与设备 2024-12-03 231浏览
美国将公布对中国芯片新限制，HBM2也列入其中

知情人士向《连线》杂志透露，拜登政府预计将于周一宣布一系列旨在进一步限制中国开发先进人工智能能力的措施。这些控制措施可能包括制裁数十家生产半导体设备的中国公司，以及对少数几家芯片制造厂实施限制，其中一些工厂与中国科技巨头华为有联系。美国商务部还讨论了对高带宽内存（HBM）销售的管制，HBM 是一种先进的 3D 堆叠计算机内存组件，常用于高性能 GPU 和定制 AI 芯片。彭博社此前报道称，拜登政府

半导体工艺与设备 2024-12-03 166浏览
美国欲限制140家中国芯片公司，包含多家设备巨头

据路透社报道，美国将于周一对中国半导体行业发起三年来的第三次打击，限制对包括芯片设备制造商北方华创科技集团在内的 140 家公司的出口，据两位知情人士透露，其中包括采取其他举措。美国阻碍中国芯片制造雄心的努力也包括打击中国芯片工具制造商拓荆（Piotech）以及新凯莱科技（SiCarrier Technology）。此外，美国出台的的芯出口限制措施还将限制向中国出口先进的存储芯片和更多的芯片制造工

半导体工艺与设备 2024-12-02 1463浏览
CMP的缺陷有哪些

因为CMP是机械加工晶圆表面的工艺，所以处理不当反而会诱发基底形状的缺陷等另外，如果研磨液中的研磨粒子不完全去除，就会直接变成颗粒，所以有时会对成品率产生影响。下图展示了主要的例子，这些缺陷有时会导致器件的不良。如果进行到之后的工艺，同样有可能导致器件的不良。如果有钨塞形成前的微划痕存在并埋在钨膜中，再进行钨塞CMP，在那个微划痕上面就会形成钨条纹strap，在其上面的走线会发生短路的情况。

半导体工艺与设备 2024-12-02 67浏览
干法蚀刻各向异性的机理是什么

之前我们介绍了，没有刻蚀偏差的刻蚀就是各向异性刻蚀。下面把刻蚀分解为基本步骤来介绍。首先，刻蚀气体在等离子体中分解电离，形成离子和自由基等刻蚀类物质，称为Enchant，这是第一个阶段。接下来是这些Enchant 到达晶圆表面的过程。此时，想要刻蚀出深度形状，压力低的情况更有利。但是，如果压力过低，放电就会不顺利，也会出现等离子体难以产生的问题。下一阶段是到达晶片表面的Enchant 与被刻蚀物发

半导体工艺与设备 2024-11-27 165浏览
CMP的平坦化机理是什么

普雷斯顿公式CMP加工量可由普雷斯顿(Preston)公式算出。这是因为CMP速度与研磨的压力、研磨的相对速度(研磨垫和台板是相反方向旋转的，相对速度很快)、研磨时间成比例。比例常数n是根据加工条件而变化的，叫作Preston系数。但是不能随意地提高研磨压力和研磨速度，而是应该在规定的范围内。从提高CMP工艺的结果这一角度来看，如何保证晶圆面上的加压、晶圆与研垫之间研磨速度的均匀性是关键。当然，C

半导体工艺与设备 2024-11-05 284浏览
功率电子总体市场规模

全球来看，综合 Yole、Trendforce 数据，2023 年全球 SiC、GaN功率电子市场约 30.7 亿美元，其中，电动和混合动力汽车（EV/HEV）市场占比约 70%，是核心市场驱动力。另据 Yole 测算，全球功率半导体器件市场将从 2023 年的约 230 亿美元快速增长到 2028 年的 333亿美元，其中 SiC 和 GaN 功率电子总体市场占比有望达到 32%，规模约 10

半导体工艺与设备 2024-11-05 414浏览
HBM4芯片提早问世？SK海力士董事长：英伟达要求我们提前6个月供货

英伟达仍无法提供足够的GPU来满足需求，其要求海力士提前6个月提供HBM4芯片。周一，SK海力士董事长崔泰源在首尔举行的集团AI峰会上表示，SK海力士正在与英伟达合作解决供应瓶颈问题。他表示，英伟达CEO黄仁勋在最近的一次会议上要求他将SK海力士下一代高带宽内存芯片HBM4的计划时间表提前六个月，值得一提的是，海力士10月份曾透露有望在2025年下半年向客户供应HBM4芯片。崔泰源表示，HBM4的

半导体工艺与设备 2024-11-04 258浏览
半导体生产工艺环节涉及多种设备与材料

半导体设备种类繁多，多种细分设备国产化程度不足20%，结构上高端产品缺乏技术、客户、生态。国产企业发展路径：完成技术0-1突破，中低端导入，增大国产供应比例，逐步开发高端产品线。2024年H2展望，关注逻辑类中芯国际、华虹公司招标；关注存储类长鑫、长存的招标，新晶圆厂大陆设备厂中标或有大幅比例提升。全球半导体设备的零组件分类整体上分为6大类别，光学类的零组件价值量占比相对较高。半导体零组件国产化空

半导体工艺与设备 2024-11-04 387浏览
中国急需攻克5大顶尖技术，一旦突破，将不怕任何国家的垄断

导读：中国急需攻克5大顶尖技术，一旦突破，将不怕任何国家的垄断在当今全球科技竞争日益激烈的背景下，中国作为世界第二大经济体，正加速推进科技创新，力求在多个领域实现突破，以摆脱技术垄断，提升国际竞争力。本文将探讨中国急需攻克的五大尖端技术，这些技术的突破将为中国科技强国梦想奠定坚实基础。一、5G芯片制造：打破技术封锁，实现自主创新5G技术作为新一代信息技术的核心，对国家发展具有战略意义。然而，中国在

半导体工艺与设备 2024-10-05 500浏览
一文了解半导体封测设备！

半导体是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。由其制成的器件统称半导体产品，被广泛地应用于电子通信、计算机、网络技术、物联网、汽车等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。半导体产品是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，也是电子产品的核心、信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代较快等特点。半导体行业呈现垂直化分工

半导体工艺与设备 2024-10-05 610浏览
半导体前段制程和后段制程的区别

在硅晶圆表面制作LSI的工艺称为前段制程，将晶圆上制作的LSI芯片切割出来，装入专用封装后出货的工艺称为后段制程。前段制程和后段制程的最大区别前段制程，即所谓的“晶圆工艺”，是在硅晶圆上制造LSI芯片的工程。主要是微细化加工和晶格恢复处理等物理及化学方面的工艺。与此相对，后段制程则是将晶圆上做好的LSI芯片单独切割、封装的组装加工技术。换一种说法，前者执行不可见的管理，但后者在某种程度上是可见的。

半导体工艺与设备 2024-10-01 797浏览
4.2亿枚芯片，142亿元！中芯国际正式宣布，格芯扛不住了？

2024年刚开年，科技圈就迎来了足以载入史册的一记重磅炸弹。全球芯片短缺的阴霾还未散去，地缘政治的暗流仍在涌动，中芯国际，这家背负着中国芯片产业振兴希望的领军企业，出手了。142亿人民币，收购格芯4.2亿枚芯片产能，这一消息如同一颗石子，在平静的湖面激起了千层浪。有人说，这是中国芯片产业向世界霸主地位发起的冲锋号角；也有人说，这是中芯国际在全球芯片巨头激烈竞争中的一场豪赌。142亿，是破釜沉舟的勇

半导体工艺与设备 2024-10-01 2574浏览
铝带键合点根部损伤研究

摘要：铝带键合作为粗铝线键合的延伸和发展，键合焊点根部损伤影响了该工艺的发展和推广，该文简述了铝带键合工艺过程，分析了导致铝带键合点根部损伤的制程因素：不同型号铝带劈刀端面设计对键合点根部损伤的影响；铝带劈刀端面沾污积铝会导致键合点根部损伤加剧；导线管高度过高会导致第一焊点键合点根部机械损伤；引线框架管脚压合状态调试不当会直接导致铝带根部断裂；键合参数设置不当会对键合点根部过应力损伤。0 引言近些

半导体工艺与设备 2024-09-30 573浏览

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