半导体技术人专栏-面包芯语-电子工程专辑

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半导体技术人

半导体器件及集成电路仿真设计、制造技术交流

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电子技术基础3

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集成电路设计基础3

半导体技术人 2021-12-09 2950浏览
电子技术基础2

1.图示电路中电流I= -3 A2.如图所示的电路中，电流I =－1A3.在论及对信号的放大能力时，直接耦合放大电路交、直流两种信号都能放大.4.晶体管工作状态为饱和。5、差动放大电路是为了抑制零点漂移而设置的。 6.工作在线性区的理想运放应用电路中，u＋=u－和i＋=i－=0时的电路状态分别称之为虚短和虚断。7.如图所示的单相桥式全波整流电路，二极管接法不正确的是VD3。 8. 已知逻辑函数

半导体技术人 2021-12-08 1250浏览
电子技术基础1

1.一个理想电压源与其它电路并联，对外等效为该理想电压源。2.二极管外加正向电压时，二极管的正极接电源的正极。3.在基本共发射极放大电路中，如果静态工作点设置过高，则容易出现饱和失真。4.工作在线性区的理想运放同相输入端电压U＋和反相输入端电压U－相等的特性，称为虚短。5.在放大电路中，为减小放大电路向信号源索取的电流，应引入串联负反馈。6.二进制译码器的特点是，每输入一组代码多个输出端中仅1个输

半导体技术人 2021-12-07 1298浏览
集成电路设计基础2

1、MPW技术最初是集成电路研发机构为降低芯片开发成本而引入的芯片制造技术。它是把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步进的方式排列到一到多个晶圆上。这样可使昂贵的制版和硅片加工费用由几十种芯片分担。2、根据阈值电压的不同，MOS管分为增强型和耗尽型。当阈值电压为负时，PMOS管属于增强型器件。3、CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺和双阱CMOS工艺。它之所以优于N

半导体技术人 2021-12-06 1405浏览
集成电路设计基础1

1、什么是最小交叠规则？制定其的目的是什么？答案：最小交叠是一个几何图形与另一个几何图形之间相交叠或相包围的最小尺寸限制。其中所指的几何图形总是位于不同层上。目的：当用不同层上的几何图形来设计某种结构时，几何图形的预期位置与实际位置之间必然会出现偏差，将会导致电路的开路和短路。而最小交叠规则通过确保预期的连接关系不受制造工艺影响来减少由于分层间细微的偏差所带来

半导体技术人 2021-11-11 1372浏览
集成电路工艺基础6

1、以双极工艺为基础的P阱BiCMOS器件结构。2、NPN 晶体管剖面图################################################****半导体器件仿真设计课程开课通知****课程名称半导体器件与仿真设计课程特点（1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系；（2）可选择课程内容中的任一章进行讲解；（3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起

半导体技术人 2021-10-11 1516浏览
集成电路工艺基础5

1、影响双极型晶体管电流放大倍数β的主要因素？提高双极型晶体管β的工艺途径？答：①晶体管发射区与基区的杂质浓度比；②晶体管基区宽度；③基区少子扩散长度；④表面复合速率。工艺途径：①减小基区宽度，因为β与基取宽度成反比。②减小Rse/Rsb值，即发射区与基区掺杂浓度的比值要尽量大，这样可提高发射极的注入效率。③减少复合，即要求载流子寿命大。可通过低温扩散、表面钝化等工艺来实现。2、分析N沟增强型MO

半导体技术人 2021-10-06 1529浏览
集成电路工艺基础4

1、n阱CMOS的工艺流程？并画出关键工艺对应的器件剖面结构？n阱CMOS的制作工艺流程：①准备硅片材料；②形成n阱；③场区隔离；④形成多晶硅栅；⑤源漏区n+/p+注入；⑥形成接触孔；⑦形成金属互连；⑧形成钝化层。剖面图：略2、清洗器皿步骤？答：①先用去污粉涮洗，并用自来水冲净。②对于耐酸塑料器皿可用洗液浸泡数小时；有机玻璃可用稀盐酸或氢氧化钠溶液清洗，再用去离子水把残留的酸碱冲净。③最后用去离子

半导体技术人 2021-10-05 1632浏览
集成电路工艺基础3

1、数字集成电路设计方法。数字集成电路芯片的设计流程由一系列的设计实现和验证测试过程组成。首先是功能定义，它描述了对芯片功能和性能参数的要求，我们使用系统设计工具设计出方案和架构，划分好芯片的模块功能。然后是代码设计，我们使用硬件描述语言（HDL，如Verilog）将模块功能表示出来，形成电脑能理解的代码（行为级、RTL级）。经过仿真验证后，进行逻辑综合，把代码翻译成低

半导体技术人 2021-10-02 1574浏览
集成电路工艺基础2

1、在衬底上形成的，掺杂类型与衬底相反的区域称为阱。2、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的注入剂量。3、光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、和去胶。4、腐蚀V形槽一般采用各向异向的湿法化学腐蚀方法。5、化学清洗中是利用硝酸的强酸性和强氧化性将吸附在硅片表面的杂质除去。6、半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂离子加速到的需要的能量，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的退

半导体技术人 2021-10-01 1214浏览
集成电路工艺基础1

1、CMOS 逻辑电路中，NMOS 管是增强型。2、MOS晶体管的导电因子K由三方面因素决定：沟道载流子迁移率、单位面积栅氧化层和晶体管宽长比W/L。3、杂质扩散中主扩散的作用为：调节表面浓度和控制结深。4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用氢氟酸水溶液。5、扩散结深表达式可统一写成：A(Dt)^1/2。6、在LPCVD中，若质量转移系数远大于表面反应速率常数，则淀积过程主要是由表面反应控制

半导体技术人 2021-09-29 1357浏览
功率三极管关键工艺

1、功率三极管关键工艺（3.7×3.7）电阻率：18-22Ω.cm厚度：250~255μm 氧化→浓硼预扩散：T=1050℃，t=xxminN2→低温氧化→淡硼预扩散：T=950℃，t=xxminN2→低温氧化→硼再扩：T=1250℃，t=xxhO2→磷预扩：T=950℃，t=xxminN2→磷再扩：T=1180℃，t=xxminO2干+xxminO2+H2+xxminO2干+xxmi

半导体技术人 2021-09-07 1392浏览
非均匀掺杂恒流二极管

依据电参数指标和实测的输出特性曲线，利用半导体器件仿真软件对水平沟道恒流二极管输出特性和结构参数进行研究。为了改善常规恒流二极管的恒流值（IH）、夹断电压（VP）、阻断电压（VR）、恒流值高低温变化率对沟道结构参数要求的矛盾关系，提出了一种新型的沟道区非均匀掺杂的恒流二极管器件结构（沟道顶部掺杂浓度较低，沟道底部掺杂浓度较高，纵向杂质分布呈高

半导体技术人 2021-08-25 1369浏览
SCR（晶闸管）工艺流程

1、单晶准备（1）N型单抛，<111>晶向（2）片厚xx~xxμm，r=xx~xxΩ.cm 2、一次氧化（1）T=xxxx℃，t=xh干氧+xh湿氧+xh干氧+xh三氯乙烯（2）二氧化硅厚度≥xxμm（3）装片时，一槽一片 3、双面光刻隔离区（1）双面对准精度；（2）胶抗蚀能力； 4、涂硼源（1）采用含硼二氧化硅乳胶源涂源法；（2）北京BN30源；（3）留

半导体技术人 2021-07-12 3171浏览
SiC-DMOS转移特性和输出IV特性

（1）SiC-DMOS结构（2）SiC-DMOS转移特性和输出IV特性#DEFECT 语句:#不规则材料的带隙中有大量缺陷能态.采用连续的能态密度,可以精确地模拟由多晶或非晶物质组成的器件.DEFECT 语句定义缺陷态密度（density of defect states,DOS）由指数衰减的带尾态和高斯分布的带隙态(mid-gap states)两部分组成.除此之外,必须把晶粒间边界界面作为热离

半导体技术人 2021-06-23 2890浏览

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