松哥电源专栏-面包芯语-电子工程专辑

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反激变换器DCM模式变压器设计及元件选择

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Flyback反激变换器：非连续导通模式DCM工作原理

松哥电源 2024-06-01 1415浏览
Flyback反激变换器：基本结构及CCM工作原理

1、从BuckBoost到Flyback反激变换器BuckBoost负压变换器最基本的电路结构如图1所示，如果把BuckBoost负压变换器功率MOSFET管和二极管移动到下面，电路工作状态和放在上面完全一样。图1 BuckBoost负压变换器基本结构图2 功率MOSFET管和二极管放置在下端在电感现有绕组二端并绕一个匝数完全相同的绕组，也就是双线并绕（或者是相当于把原来绕组换成直径更粗的铜线

松哥电源 2024-05-01 1709浏览
负压BUCKBOOST变换器基本工作原理

要负压，就反加，将激磁后电感的感应电压以相反极性加到输出电压，就可以得到负压BUCKBOOST变换器最基本的电路结构，下面介绍其工作原理。1、电感电流连续导通模式CCM工作原理假定：BUCKBOOST负压变换器工作在稳定状态，电感电流iL处于连续导通模式：每一个开关周期开始时，iL从一定的初始值iLmin开始激磁工作，每一个开关周期结束，电感电流回到初始值iLmin。开关管Q、二极管D、电感L和

松哥电源 2024-04-01 593浏览
BUCKBOOST负压变换器基本结构

在一些电子系统中，如电子秤、气体监测仪等测量仪器，内部的仪用运算放大器需要+12V/-12V、+5V/-5V双电源供电，而输入电源电压只有正电压，系统需要从正输入电源电压得到负输出电压，这时候，就可以用到结构最简单的一种负压变换器：BUCKBOOST压变换器。电感基本特性是内部产生感应电压总是阻止电感电流的变化（趋势），试图维持电流原来的大小，即电感电流不能突变。当电感电流增大时，感应电压和电流方

松哥电源 2024-03-01 593浏览
-48V输入、+5V输出的升压变换器反馈电路设置

从负输入电压-Vin得到正输出电压Vo，主要有二种方案：1、使用反激变换器，这种方案需要变压器，体积大，元件多，结构复杂。2、把负输入电压端-Vin接到控制器的参考地，系统的输入电压相当于正电压Vin，输出电压相对于-Vin为正电压Vin+Vo，这样就可以使用结构更加简单的BOOST变换器，直接进行升压，把如图1所示。图1 BOOST升压变换器例如：输入电压为-48V，输出为5V，BOOST变换

松哥电源 2024-02-01 719浏览
Flyback反激变换器RCD吸收电路计算

反激变换器需要使用RCD吸收电路RSn、CSn和DSn，钳位VDS的尖峰电压值不超过功率MOSFET管的最大额定值，同时具有一定裕量。开关电压波形VDS中，n·Vo为次级输出电压反射到初级的电压，VC为电容CSn的直流电压，也就是钳位电压。图1 反激变换器RCD吸收电路图2 反激变换器VDS波形功率MOSFET管关断后，VDS电压从0开始上升；当其上升到Vin+VC时，吸收电路的二极管DSn导

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功率MOSFET管应用问题分析2023

功率MOSFET管应用问题汇总问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？回复：功率MOSFET管主要参数包括：耐压BVDSS、RDS(on)、VGS(th)、Crss、Ciss，高压应用还要考虑Coss。半桥和全桥电路、同步

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2022年全球功率MOSFET管及功率半导体供应商营业额及排名

2022年全球功率MOSFET管主要供应商营业额及排名2022年全球功率MOSFET管排名前10的供应商与2021年相同，但是，排名次序有细微变化，分别为：Infineon，ON Semi，STMicroelectronics，Toshiba，Vishay，Alpha & Omega Semiconductor，Nexperia，Renesas，China Resources Microelect

松哥电源 2023-11-03 1747浏览
功率MOSFET基本结构：超结结构

1、超级结构高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须增大硅片面积，需要更大晶片面积降低导通电阻，一些大电流应用需要更大封装尺寸，成本随之增加，Crss电容增加导致开关损耗增加，系统功

松哥电源 2023-10-04 1725浏览
功率MOSFET基本结构：沟槽结构

1. 沟槽双扩散型场效应晶体管垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。(a) 水平沟道(b) 垂直沟道(c) 栅极沟槽(d) 沟槽结构图1. 沟槽结构功率MOSFE管为了形成这种垂直沟道结构，必须在N-外延层中开沟槽，沟槽表面制作氧化层后，在沟槽内部填充多晶硅形成栅极；在沟槽氧化层外侧，通过二次扩散掺杂，

松哥电源 2023-08-27 2563浏览
功率MOSFET基本结构：平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Later

松哥电源 2023-06-03 1549浏览
超结功率MOSFET输出电容迟滞效应及ZVS软开关影响

1、超结功率MOSFET输出电容迟滞效应高频高功率密度开关电源为了提高效率，通常使用零电压ZVS软开关技术。功率MOSFET开通前，COSS电压VDS为直流母线电压，COSS电容储存能量，通过外加电感L和COSS串联或并联，形成LC谐振电路，COSS放电，VDS谐振下降；当VDS谐振下降到0时，功率MOSFET内部反并联寄生二极管自然导通续流，VDS电压几乎为0，此时，开通功率MOSFET，就可以

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Pulseskipmode、Burstmode和Hiccupmode三种模式区别

开关电源中，Pulse skip mode跳脉冲模式、Burst mode突发模式和Hiccup mode打嗝模式，这3种模式分别针对不同的工作条件，下面对它们做详细的说明。Pulse skip mode跳脉冲模式、Burst mode突发模式主要针对输出轻载或空载条件下的工作状态。Hiccup mode打嗝模式主要针对输出短路条件下的工作状态。1、 Pulse skip mode跳脉冲模式非同步

松哥电源 2023-02-11 6315浏览
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识

高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素： 1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET开通过程 2）功率MOSFET输出电容COS

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次级输出整流管放在高端或低端EMI差异原因

反激变换器次级输出整流二级管或同步MOSFET，放在高端（输出电源端）或放在低端（输出地端），这二种情况下，电源系统EMI结果会有较大差异。通常，其放在高端EMI效果更好、余量更大，下面就来分析这个原因。开关电源中，功率器件高频开通、关断操作导致电流和电压的快速变化是产生EMI的主要原因。电路的电感及寄生电感中快速电流变化产生磁场，从而产生较高电压尖峰：VL = LS · diL /dt

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