松哥电源专栏-面包芯语-电子工程专辑

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正激变换器：LCD复位电路工作原理及特点

松哥电源 2024-11-10 243浏览
正激变换器：RCD复位电路工作原理及特点

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辅助绕组复位正激变换器工作原理及特点

松哥电源 2024-09-13 512浏览
基于SiC的反激辅助电源PWM控制器选取

松哥电源 2024-08-29 478浏览
怀旧经典：双端输出脉宽控制器TL494

松哥电源 2024-08-22 590浏览
正激变换器基本结构

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反激变换器DCM模式变压器设计及元件选择

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Flyback反激变换器：非连续导通模式DCM工作原理

松哥电源 2024-06-01 1262浏览
Flyback反激变换器：基本结构及CCM工作原理

松哥电源 2024-05-01 1443浏览
负压BUCKBOOST变换器基本工作原理

松哥电源 2024-04-01 569浏览
BUCKBOOST负压变换器基本结构

松哥电源 2024-03-01 579浏览
-48V输入、+5V输出的升压变换器反馈电路设置

从负输入电压-Vin得到正输出电压Vo，主要有二种方案：1、使用反激变换器，这种方案需要变压器，体积大，元件多，结构复杂。2、把负输入电压端-Vin接到控制器的参考地，系统的输入电压相当于正电压Vin，输出电压相对于-Vin为正电压Vin+Vo，这样就可以使用结构更加简单的BOOST变换器，直接进行升压，把如图1所示。图1 BOOST升压变换器例如：输入电压为-48V，输出为5V，BOOST变换

松哥电源 2024-02-01 706浏览
Flyback反激变换器RCD吸收电路计算

反激变换器需要使用RCD吸收电路RSn、CSn和DSn，钳位VDS的尖峰电压值不超过功率MOSFET管的最大额定值，同时具有一定裕量。开关电压波形VDS中，n·Vo为次级输出电压反射到初级的电压，VC为电容CSn的直流电压，也就是钳位电压。图1 反激变换器RCD吸收电路图2 反激变换器VDS波形功率MOSFET管关断后，VDS电压从0开始上升；当其上升到Vin+VC时，吸收电路的二极管DSn导

松哥电源 2024-01-01 1209浏览
功率MOSFET管应用问题分析2023

功率MOSFET管应用问题汇总问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？回复：功率MOSFET管主要参数包括：耐压BVDSS、RDS(on)、VGS(th)、Crss、Ciss，高压应用还要考虑Coss。半桥和全桥电路、同步

松哥电源 2023-12-02 835浏览
2022年全球功率MOSFET管及功率半导体供应商营业额及排名

2022年全球功率MOSFET管主要供应商营业额及排名2022年全球功率MOSFET管排名前10的供应商与2021年相同，但是，排名次序有细微变化，分别为：Infineon，ON Semi，STMicroelectronics，Toshiba，Vishay，Alpha & Omega Semiconductor，Nexperia，Renesas，China Resources Microelect

松哥电源 2023-11-03 1630浏览
功率MOSFET基本结构：超结结构

1、超级结构高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须增大硅片面积，需要更大晶片面积降低导通电阻，一些大电流应用需要更大封装尺寸，成本随之增加，Crss电容增加导致开关损耗增加，系统功

松哥电源 2023-10-04 1616浏览
功率MOSFET基本结构：沟槽结构

1. 沟槽双扩散型场效应晶体管垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。(a) 水平沟道(b) 垂直沟道(c) 栅极沟槽(d) 沟槽结构图1. 沟槽结构功率MOSFE管为了形成这种垂直沟道结构，必须在N-外延层中开沟槽，沟槽表面制作氧化层后，在沟槽内部填充多晶硅形成栅极；在沟槽氧化层外侧，通过二次扩散掺杂，

松哥电源 2023-08-27 2347浏览
功率MOSFET基本结构：平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Later

松哥电源 2023-06-03 1476浏览
超结功率MOSFET输出电容迟滞效应及ZVS软开关影响

1、超结功率MOSFET输出电容迟滞效应高频高功率密度开关电源为了提高效率，通常使用零电压ZVS软开关技术。功率MOSFET开通前，COSS电压VDS为直流母线电压，COSS电容储存能量，通过外加电感L和COSS串联或并联，形成LC谐振电路，COSS放电，VDS谐振下降；当VDS谐振下降到0时，功率MOSFET内部反并联寄生二极管自然导通续流，VDS电压几乎为0，此时，开通功率MOSFET，就可以

松哥电源 2023-03-24 1655浏览
Pulseskipmode、Burstmode和Hiccupmode三种模式区别

开关电源中，Pulse skip mode跳脉冲模式、Burst mode突发模式和Hiccup mode打嗝模式，这3种模式分别针对不同的工作条件，下面对它们做详细的说明。Pulse skip mode跳脉冲模式、Burst mode突发模式主要针对输出轻载或空载条件下的工作状态。Hiccup mode打嗝模式主要针对输出短路条件下的工作状态。1、 Pulse skip mode跳脉冲模式非同步

松哥电源 2023-02-11 6009浏览
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识

高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素： 1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET开通过程 2）功率MOSFET输出电容COS

松哥电源 2023-01-15 1760浏览
次级输出整流管放在高端或低端EMI差异原因

反激变换器次级输出整流二级管或同步MOSFET，放在高端（输出电源端）或放在低端（输出地端），这二种情况下，电源系统EMI结果会有较大差异。通常，其放在高端EMI效果更好、余量更大，下面就来分析这个原因。开关电源中，功率器件高频开通、关断操作导致电流和电压的快速变化是产生EMI的主要原因。电路的电感及寄生电感中快速电流变化产生磁场，从而产生较高电压尖峰：VL = LS · diL /dt

松哥电源 2022-12-24 1483浏览
谷底电流限流保护

为了滤除电流检测信号前沿尖峰，现在的峰值电流模式控制器都具有前沿消隐时间（Leading Edge Blanking LEB），这个设置会导致二个问题：1、输出短路时，无法提供可靠的过流保护；2、低占空比应用，如19V输入、1V输出，800kHz工作频率，导通时间小于LEB时间，系统无法正确调节，如图1所示；另外，在这种应用中，输出短路时，输出回路的阻抗和短路电流的乘积所得的电压值，很难降低到低于

松哥电源 2022-11-25 1446浏览
2021年全球功率MOSFET供应商营业额及排名

2021年全球功率MOSFET主要供应商的营业额及排名2021年全球功率MOSFET主要供应商中，排名前10的供应商分别为：Infineon，ON Semi，Toshiba，ST，Renesas，Vishay，Alpha & Omega Semiconductor，China Resources Microelectronics，Nexperia和Hangzhou Silan。2021年，每家公司

松哥电源 2022-10-18 2922浏览
频率折返工作方式：逐渐降低频率折返，及电流频率二级折返保护

输出短路保护固定频率折返，折返工作频率高，输出短路保护效果会降低；折返工作频率低，系统甚至进入到非连续工作模式，虽然保护效果好，但有可能导致输出短路消除后输出电压无法恢复正常。如图1所示，输入24V、输出12V的 DCDC变换器，输出短路时，固定折返频率为正常工作频率的1/16，系统进入到非连续工作模式。图1 1/16开关频率折返当这个变换器从输出过载6A切换到1A输出负载时，合适外围器件设计，

松哥电源 2022-09-17 1667浏览

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