英飞凌工业半导体专栏-面包芯语-电子工程专辑

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英飞凌工业半导体

英飞凌工业半导体同名公众号是英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍，应用知识和经验分享，IGBT在线课程，线上线下研讨会发布和回放。欢迎来稿：IPCWechat@infineon.com。

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功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

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英飞凌工业半导体 2024-12-16 105浏览
新品|6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相栅极驱动器

新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相栅极驱动器650V和300V三相栅极驱动器，带过电流保护(OCP)、使能(EN)、故障检测和集成自举二极管(BSD)产品型号：■ 6EDL04I065NR■ 6EDL04I065PR■ 6EDL04N065PR■ 6EDL04N03PR产品特点英飞凌薄膜-SOI技术最大阻断电压+650V输出源/吸收电流+0.165A/-0.375A集成超

英飞凌工业半导体 2024-12-13 16浏览
新品|3300V,1600A二极管IHVB模块

新品3300V,1600A二极管IHV B模块知名的IHV B IHV B 3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进，以满足牵引和工业应用（如中压传动或HVDC）当前和未来的要求。这是首次扩展二极管产品组合，DD1600S33HE4是同类最佳的3.3kV二极管模块，足以取代原来2个双二极管3.3kV模块。它采用发射极可控EmCon4二极管，功率循环能力更强，标准封装为IHV B 130毫米x14

英飞凌工业半导体 2024-12-12 31浏览
深度|GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？

/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们

英飞凌工业半导体 2024-12-11 55浏览
功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。浪涌电流二极管

英飞凌工业半导体 2024-12-10 153浏览
英飞凌推出新型EiceDRIVER™Power全桥变压器驱动器系列，适用于结构紧凑、经济高效的栅极驱动器电源

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容，为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压，以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极驱动器供电。因此，2EP1xxR尤

英飞凌工业半导体 2024-12-09 65浏览
新品|电动汽车充电直流-直流变换器次级用Easy模块

新品电动汽车充电直流——直流变换器次级用Easy模块DDB2U60N07W1RF_B58和 DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK™封装图DDB2U60N12W3RF_C39 EasyBRIDGE™为1200V、60A整流模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7和CoolSiC™肖特基二极管G5 1200V芯片，带NTC和PressFIT压接针脚技术。DDB2U60N07W1RF_B58

英飞凌工业半导体 2024-12-06 30浏览
英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V！

作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业

英飞凌工业半导体 2024-12-05 191浏览
英飞凌明星产品系列丨解锁5大产品线，英飞凌赋能工业驱动新浪潮

PCIM展台上，英飞凌展出了工业驱动器相关的产品跟解决方案，我们如何赋能工业驱动新浪潮？立即点击视频查看！▲点击上方视频，即可播放观看扫描上方二维码欢迎关注微信公众号【英飞凌工业半导体】

英飞凌工业半导体 2024-12-04 76浏览
新品|Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品

新品Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品EasyPACK™封装图采用最新一代TRENCHSTOP™ IGBT H7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11扩展了Easy系列在1000 VDC系统中产品组合，可以实现高开关频率应用。FS3L40R12W2H7P_B11 EasyPACK™ 2B，模块为三相NP

英飞凌工业半导体 2024-12-03 57浏览
功率器件热设计基础（七）——热等效模型

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的

英飞凌工业半导体 2024-12-02 203浏览
热销大电流IGBT单管样品可以免费申请啦！

你需要IGBT吗？你会用IGBT吗？从理论到实践，小编一步步助你用好IGBT！TRENCHSTOP™ 5 650V IGBT推向市场已经10年了，共有6大系列74个型号，适合10-100kHz工作频率应用，不少型号成为工业应用的标杆产品。H5高速芯片和S5标准芯片的75A 650V是其中两大热销产品，广泛用于光伏、储能、UPS、电动汽车充电中的高频功率变换。除了热销的H5产品，英飞凌还新近推出了T

英飞凌工业半导体 2024-11-29 61浏览
新品|第二代CoolSiC™34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装

新品第二代CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功

英飞凌工业半导体 2024-11-28 42浏览
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。CoolGaN™ 650V G5晶体管最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600V G

英飞凌工业半导体 2024-11-27 152浏览

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