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骊微电子科技
芯朋、士兰、启臣、富满代理,电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管、等电子料完整方案供应商!
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完美替代OB257X系列 | CR6212B_5V/12V高效率、低成本电源方案
骊微电子科技
2024-03-12
581浏览
专用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型
骊微电子科技
2023-04-23
1199浏览
ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高压半桥栅极驱动
骊微电子科技
2023-03-27
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A+C双口20w pd充电器方案
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2023-03-09
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常用-30V/-100V/-150V p型mos管选型,p mos管选型参数!
骊微电子科技
2022-11-11
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5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充电器方案芯片选型
骊微电子科技
2022-10-19
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常用高压mos管4N65/7N65/10N65/12N65及士兰微代理!
骊微电子科技
2022-09-15
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30v大电流mos管系列,锂电池mos专用场效应管!
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2022-08-27
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骊微电子续签2022-2023年芯朋微深圳代理商!
骊微电子科技
2022-08-16
1470浏览
IRFB4227PBF 替代料200v mos管SVT20240NT
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2022-07-30
1390浏览
ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片
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2022-07-30
2119浏览
30V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型
MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果,充分发挥其“螺丝钉”的作用,30V-200V mos管广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 30V mos管常用型号: SVG030R7NL5封装PDFN
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2022-07-01
2390浏览
XPD319 XPD720 XPD737 XPD738 富满快充协议芯片
随着USB PD快充技术的普及,苹果iPhone 12不附赠充电器这一举动,带动了USB PD快充充电器市场的迅猛发展,骊微电子推出多款20-60W pd协议芯片XPD319 XPD720 XPD737 XPD738等,以满足USB PD快充协议市场的需求。 XPD720支持USB PD以及PPS,QC3.0/2.0协议,华为SCP/FCP快充协议,三星AFC
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2022-06-27
4133浏览
ob2269电源芯片代换料CR6842高效率低功耗!
随着科学技术日新月异的发展,人们对电源系统的性能要求也不断提高,OB2269电源芯片用CR6842代换采用简单而高效的反激式隔离 AC-DC开关电源的设计方法,具有较高的性价比,满足广大客户的需求。 CR6842国产芯片代替ob2269特点 ■ 高集成特性可使系统外部器件减至最少 &e
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2022-06-27
2105浏览
NCP1252A代替料CR1252A正激式开关电源控制芯片
受多重因素影响,芯片的供应紧张仍未缓解,在缺“芯”困局之下,国产替代的呼声愈发高涨,许多国产厂商选择“PIN to pin”的替代模式入局,启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。 ncp1252a代替芯片CR1252A特征 ■ SOP-8L封装 ■ 内置软启动 ■ 内置斜波补偿 ■ 峰值电流限制 ■ 内置输入欠压自动恢复
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2022-06-27
2493浏览
viper12a芯片代换料AP8012H电源控制芯片,降低成本
VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8两种封装,是ST,VIPer产品系列,应用功率5W-10W,典型应用于电池充电器的壁挂式适配器,以及电视和监视的待机电源领域,随着缺货涨价以及国内芯片产业生态发展的完善,国产替代势在必行,AP8012H在不改PCB及外围参数下可兼容替代viper12a芯片,实现进口替代! viper12a替代芯片ap8012h特征 ■ 内置800V高
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2022-06-27
2160浏览
IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT参数
MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域,长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额,受益于庞大的终端消费需求,国内终端厂商推进进口替代,骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。 irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征 ■72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.
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2022-06-27
1867浏览
65W PD快充方案PN8213+PN8307小体积低功耗
65W PD快充方案不但可以支持手机的大功率快速充电还可以支持20V输出,可以为电脑充电,具有通用性好的优点,搭配氮化镓,体积可以做到很小,骊微电子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080,具有小体积、大功率、高效率、超低待机功耗等特点,足以应对目前市场对65W PD快充的需求。 PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能,专用于高性能
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2022-06-10
1836浏览
DRV8872/DRV8870替代料PN7707两通道直流马达驱动芯片
PN7707 24v直流电机驱动ic是用四个功率开关器件所构成的驱动电路,使用MOS管来作为功率开关,DRV8872/DRV8870替代芯片PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,可降低PCB空间的占用,降低成本。 DRV8872/DRV8870替代芯片PN7707特征 ■ 宽电源电压范围:3V~
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2022-06-02
1910浏览
100v p mos管 UTT50P10参数
MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;Pmos管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全截止。 100v p型mos管UTT50P10特点 ■ VDS= -100V ■ ID = -50A ■ RDS(ON) ≤ 60 mΩ @ VGS= -10V, ID=
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2022-06-02
1099浏览
60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA
MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效应管是市面上最常见之一,在实际使用的过程中,MOS管既可用于放大电流,又可以作为电子开关。 SVGP069R5NSA 贴片mos 60v特点 ■ 14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0mΩ @Vcs=10V ■ 低栅
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2022-06-02
1429浏览
30v mos管尼克森PKC26BB替代料SVG032R4NL5
MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。 PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点 ■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V ■ 低栅极电荷 ■ 低
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2022-06-02
1633浏览
100V mos管hy1710场效应管代换料APG042N01
MOS管是电子制造的基本元件,不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管及功能和特性有所不同,影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容等,同一类型不同品牌间耐压、导通电阻、封装基本一致的话也可相互兼容代换的。 hy1710场效应管代换料APG042N01特征 ■ 100V,145A,RD
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2022-06-02
1393浏览
CR5249_12V1.5A_18W电源适配器方案
CR5249 是一款低待机高性能副边检测PWM控制 开关,内置65kHz 的振荡器,同时为了提高 EMI 特性,CR5249 还内置了频率抖动使其实际工作频率在设定值的±4%范围内抖动,待机功耗低并效率满足能效六要求,被骊微电子广泛应用于在中小规模电源变换器中。 CR5249芯片特点 ■ 全电压范围待机低于75mW ■ 满足能效六级标准 ■ PSM模式降低待机功耗
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2022-06-02
2390浏览
MP6612/MP661国产替代料PN7709 40v马达正反转驱动ic
PN7709智能锁马达驱动IC替代 MP6612/MP6619,满足了低电压,大电流,低功耗,过流保护的运用市场,骊微电子广泛应用于智能门锁、摄像头、家电、智能电表、直流有刷电机应用等领域。 MP6612/MP6619替代芯片PN7709特征 ■ 宽电源电压范围:5.5V~40V ■ 低导通电阻(HS:0.06ohm;LS
骊微电子科技
2022-06-02
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