CFET - 电子工程专辑

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【IEDM2024】台积电、IMEC、IBM、英特尔1纳米制程利器CFET最新进展

从平面晶体管（Planar FET），到鳍式场效应晶体管（FinFET，Fin Field-Effect Transistor），再到全环绕栅或围栅（GAA，Gate-all-Around），都是为了减少漏电，降低功耗。尽管 GAA FET技术还未获得业界大规模采用，但下一代 CFET 技术已被提上日程，这项技术被视为下一代半导体技术的重要发展方向，有望在未来实现进一步的工艺尺寸微缩。自2004年

芯思想 2024-10-27 963浏览
英特尔、三星和台积电，三大巨头青睐CFET

芯片行业的三巨头--英特尔、三星和台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）--正在 "认真对待 "一种新的 3D 芯片架构，这种架构有望解决目前最先进的纳米片技术一直存在的扩展问题。全球研发机构 imec 的 CMOS 器件项目总监 Naoto Horiguchi 表示，这三家最大的芯片制造商上个月首次在国际电子器件会议（IEDM）上发表演讲，暗示他们将在十年内实现互补场效应晶体管（CFET）

半导体产业杂谈 2024-01-11 938浏览

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