MOSFET - 电子工程专辑

MOSFET

MOSFET驱动电路设计时，为什么可以“慢”开，但是要“快”关呢？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言MOSFET作为开关器件，在驱动电路中主要用于控制电流的通断，比如在DC-DC转换器、电机驱动或者功率放大电路中。它的开关过程（开和关）会直接影响电路的效率、发热和可靠性。“慢开快关”的这个设计原则，背后有什么电路设计原理呢？咱们从MOSFET的工作原理和实际应用场景来分析分析一下。MOSFET的开关过程中开和关的本质是什么呢？MOSFET的开关过

硬件那点事儿 2025-04-09 269浏览
文末有惊喜！国内唯一量产，双面散热车规MOSFET推荐，对标东芝TPWR7904PB

一、概述一款40V/150A车规认证的N沟道MOSFET，采用双面散热封装工艺，相比常规DFN封装，热阻降低20%，导通电阻有效降低12%，封装电流提升15%以上。二、主要性能电压40V，导通电阻0.79mΩ，电流150A，可对标东芝TPWR7904PB。三、应用场景1. 汽车EPS2. 汽车DC-DC转换器3. 电机驱动、负载开关等应用福利：机器人开发套件火热订购中！添加二维码联系小编，优惠放送

全芯时代 2025-04-04 32浏览
一键下载罗姆MOSFET资料，了解产品优势与技术亮点

高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求，罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能，为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品，带您了解其技术优势和应用场景，更多信息您可点击文内相关链接查看。罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点，其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格，广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时，MOSFET是汽车电动化的必需品，罗姆的车载M

罗姆半导体集团 2025-03-26 84浏览
用两个NPN三极管搭建一个MOSFET驱动电路，1000字讲解清楚原理和选型

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言今天分析一下下面的这个电路，一个基于NPN三极管的MOSFET栅极自偏置关断电路。电路很简单，里面可是藏着不少门道，既有设计亮点，也有效率与延迟问题。咱们一边分析，一边看看器件选型和计算的门道，争取把这电路的“前世今生”讲透了！Part 02电路分析这个电路的核心任务是驱动MOSFET，通过控制其栅极电压来实现开关动作。从电路图来看，驱动器的输出信

硬件那点事儿 2025-03-19 553浏览
国产半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台，加速填补国内空白！

广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。据悉，芯粤能第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品单片最高良率超过

飙叔科技洞察 2025-03-17 355浏览
用PNP三极管搭建MOSFET快速关断电路为什么要并联一个二极管，1000字搞定它

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言下图是一个使用NPN晶体管实现的MOSFET驱动电路，电路很简单，一个RGATE电阻、二极管DON和关断晶体管QOFF。这个电路设计类似“轻量版Totem-Pole”的MOSFET驱动拓扑，既保留了高效驱动的优点，又通过独特布局优化了性能。RGATE电阻和晶体管QOFF的作用很好理解，但是二极管DON有什么用呢？今天就来讲解一下。Part 02电路

硬件那点事儿 2025-03-17 1569浏览
用NPN和PNP三极管搭建一个MOSFET驱动电路，1200字讲透它

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言下面的图片展示了一个双极Totem-Pole MOSFET驱动电路，这玩意儿在功率MOSFET驱动设计中可是个“老江湖”，用上NPN和下PNP晶体管搭成的推挽结构，驱动效率还是蛮高的。这个电路设计有几个关键点，涉及外部驱动器位置、旁路电容布局、RGATE电阻设计，还有就是Totem-Pole拓扑电路的自钳位保护机制。咱们今天就来好好把这个电路拆解一

硬件那点事儿 2025-03-15 514浏览
MOSFET驱动电路中的栅极电阻靠近驱动器放置还是靠近MOSFET放置？还是无所谓呢？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言在MOSFET驱动电路中，如果我们采用栅极驱动器来驱动MOSFET，那么将栅极驱动器尽可能靠近MOSFET放置是比较理想的选择。但在某些情况下，很难在PCB布置电路板来实现这一点。如果栅极驱动器和MOSFET之间的距离很大，那PCB中外部栅极电阻放哪个位置更好，是靠近栅极驱动器还是靠近MOSFET呢，或者没有影响？Part 02栅极电阻作用分析栅极

硬件那点事儿 2025-03-12 349浏览
新品|适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V

罗姆半导体集团 2025-03-12 134浏览
新品|采用CoolSiC™MOSFET的7.5kW电机驱动器评估板

新品采用CoolSiC™ MOSFET的7.5千瓦电机驱动器评估板EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ 1200V碳化硅MOSFET模块的三相电机驱动电路板。开发该评估板的目的是为了在客户使用Easy1B封装的CoolSiC™ MOSFET模块（如FS33MR12W1M1H_B11）设计应用的第一步中提供支持。驱动采用EiceDRIVER™ 1200V隔离栅极驱动器1EDI20H

英飞凌工业半导体 2025-03-11 111浏览
为什么有些MOSFET驱动电路栅极电阻要并联一个二极管？是多此一举吗？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言下图是一个简洁的栅极驱动电路，包含一个驱动器IC、栅极电阻RGATE、反向并联的关断二极管DOFF，以及MOSFET。在MOSFET驱动电路的设计中，栅极电阻RGATE和反向并联二极管DOFF是两个关键元件，它们共同调控MOSFET的开关行为。RGATE负责调整开通速度，而DOFF通过分流机制加速MOSFET的关断过程。然而，二极管的作用也比较有限

硬件那点事儿 2025-03-10 1533浏览
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*¹和超宽SOA范围*²的Nch功率MOSFET*³。新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*⁴电路的“RS7E200BG”(30V)，以及非常适用于AI服务器48V

皇华电子元器件IC供应商 2025-03-07 216浏览
集成双极晶体管的MOSFET驱动电路以及外围器件选型设计讲解

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言在MOSFET驱动电路中，经常会遇到使用集成双极晶体管BJT作为栅极驱动器的情况。这种设计在PWM控制或电机驱动中非常常见，尤其是在需要快速开关和高效率时。下面是一个典型的带有BJT的栅极驱动电路，上一篇文章讲解了VDRV电源处去耦电容的选型计算，今天，我就结合这个电路，聊聊如何设计栅极驱动电路。Part 02BJT栅极驱动电路的工作原理NPN晶体

硬件那点事儿 2025-03-07 748浏览
国内唯一量产！双面散热车规MOSFET推荐，对标东芝TPWR7904PB

一、概述一款40V/150A车规认证的N沟道MOSFET，采用双面散热封装工艺，相比常规DFN封装，热阻降低20%，导通电阻有效降低12%，封装电流提升15%以上。二、主要性能电压40V，导通电阻0.79mΩ，电流150A，可对标东芝TPWR7904PB。三、应用场景1. 汽车EPS2. 汽车DC-DC转换器3. 电机驱动、负载开关等应用关注我们，让我们一起探索国产芯片的无限可能，为您的项目注入强

全芯时代 2025-03-06 136浏览
MOSFET栅极驱动器电路中VCC电源的去耦电容容值怎么计算？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言在MOSFET栅极驱动器电路中，给VCC电源加去耦电容Decoupling Capacitor，这事儿可不能乱来。容值咋算，不是拍脑袋的事儿，得看电路需求和实际应用场景。今天就讲讲咋算VCC去耦电容的容值。Part 02VCC去耦电容的啥用？在电路里，VCC是PWM控制器的供电，通常是给内部逻辑、驱动电路用的。PWM控制器干活儿时，比如驱动MOSF

硬件那点事儿 2025-03-05 595浏览
【光电集成】为什么国产碳化硅MOSFET性价比碾压超结MOSFET？

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光引未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光引未来----来源：杨茜SiC碳化硅MOSFET功率模块申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们

今日光电 2025-03-01 140浏览
使用集成MOSFET限制电流的简单方法

电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，

亚德诺半导体 2025-02-27 362浏览
从汽车到AI数据中心，安森美MOSFET助您轻松拿捏

点击蓝字关注我们安森美（onsemi）凭借其创新的MOSFET技术，为汽车、工业以及人工智能数据中心等多个行业提供了强大的支持。一起了解安森美最新的T10 MOSFET技术，以及采用Top Cool封装的功率MOSFET如何重新定义性能标准。利用领先的 MOSFET 实现卓越设计安森美先进的PowerTrench® MOSFET解决方案，专为满足对高能效、高可靠性和紧凑型设计不断增长的需求而设计

安森美 2025-02-25 185浏览
半导体技术｜Wolfspeed第4代MOSFET平台

芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中。第4代技术通过优化设计，显著提升了系统效率、延长了产品的使用寿命，并降低了开发时间和系统成本。我们一起来看看Wolfspeed第4代MOSFET技术的核心特点、设计理念及其在实际应用中的表现。Part 1第4代MOSFET技术的特点● 第4代MO

汽车电子设计 2025-02-15 254浏览
MOSFET驱动电路栅极电阻的阻值如何计算？有三大因素要考虑，1400字搞定它

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言我们在设计MOSFET驱动电路时一般会在MOSEFT栅极串联一个电阻，有放10Ω的，有放20Ω的，那栅极为什么需要串联一个电阻？电阻的阻值又该如何选取呢？今天就来分析一下吧。Part 02MOSFET栅极串联电阻的原因以及阻值计算1.限制充放电电流MOSFET栅极寄生电容在电平转换时需要充放电，直接驱动可能会引起瞬间的高峰电流。串联电阻可以限制这一

硬件那点事儿 2025-02-10 1094浏览
MOSFET的每个特性参数都讲透了，干货满满！

点击上方名片关注了解更多大家好，我是王工。给大家分享一个很好的资料，主要介绍MOS管的各个参数。01绝对最大额定值02电参数写在最后都说硬件工程师越老越吃香，这句话也告诉我们硬件也是需要积累的，王工从事硬件多年，也会不定期分享技术好文，感兴趣的同学可以加微信，或后台回复“加群”，管理员拉你加入同行技术交流群。推荐阅读（点击图片直接进入）投稿/招聘/推广/宣传/技术咨询请加微信：woniu26a声

硬件笔记本 2025-02-10 1357浏览
多个MOSFET并联的电路里为什么只有个别MOS炸管？调整栅极电阻就能解决？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言单个MOSFET的电流能力有限，通过并联多个器件可直接提升总电流承载能力。多个器件分担功耗，减少单个器件的温升。MOSFET并联是一种常见的电路设计方法，主要用于提升电流承载能力、降低导通损耗或改善散热性能。由于负载电流比较大，如果MOSFET并联电路设计不合理，就会出现炸管的问题，今天重点讲一下栅极电阻在预防MOSFET并联炸管问题中的作用，我们

硬件那点事儿 2025-02-03 724浏览
高性能、高可靠，主打锂电保护应用！纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技

纳芯微电子 2025-01-27 225浏览
MOSFET虽然可以在并联使用，但这些电路设计和Layout的注意事项不可不知

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言MOSFET并联使用在许多功率电子电路中是常见的设计方法，尤其是在高功率或高电流应用中。这种设计的主要目的是通过并联多个MOSFET来分担电流、降低功耗并提高电路的性能和可靠性。单个MOSFET的最大电流能力受到其额定参数，如最大漏极电流的限制。通过将多个MOSFET并联，可以分担电流，从而允许整个电路处理更大的总电流。MOSFET的导通损耗由漏源

硬件那点事儿 2025-01-26 1052浏览
MOSFET规格书中安全工作区SOA在MOS驱动电路设计时用处很大，1000字搞懂它

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言打开MOSFET规格书，往下拉，你会发现MOSFET规格书里有一个曲线叫安全工作区曲线，很多人在进行MOSFET选型时，一般只关注前面的电气参数，往往会忽略后面的各种特性曲线，这样做就会忽略MOSFET选型的重要曲线。MOSFET的安全工作区英文叫Safe Operating Area，也就是SOA，是指MOSFET在特定条件下能够安全运行的电压、

硬件那点事儿 2025-01-22 816浏览

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