MOSFET - 电子工程专辑

MOSFET

MOSFET的米勒平台电压很重要，1400字教你两种方式计算出米勒平台电压值

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关过程中，由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在，漏极电压的变化会通过该电容耦合到栅极，导致栅极电压出现不希望的变化。在MOSFET开关的过程中，特别是当漏极电压发生快速变化时，栅极电压需要经历一个过渡阶段，这一阶段通常表现为栅极电压变化的“平台”部分，称为米勒平台电压。这时，尽管栅极驱动电压仍在增加或减少，

硬件那点事儿 2025-01-06 82浏览
既然MOSFET栅-源阻抗非常大，为什么设计驱动MOS电路的栅极电流还要大？1200字说清楚

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言三极管是流控型器件，通过电流控制三极管的工作区，而MOSFET与之相对是压控型器件，栅-源阻抗非常大，我们一般认为MOSFET栅-源工作电流可以忽略，那既然MOSFET是压控型器件，为什么设计MOFET驱动电路时，栅极驱动电流要大呢？要想回答上面的问题，就不得不聊聊MOSFET中的米勒平台电压，也就是Miller Plateau Voltage，它

硬件那点事儿 2025-01-02 212浏览
平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进

点击蓝字关注我们随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench）MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiCMO

安森美 2024-12-25 60浏览
精彩回放|适用于工业设备和消费电子应用的Pch功率MOSFET系列研讨会亮点回顾（内含获奖名单）

精彩回顾不容错过2024年12月18日，“适用于工业设备和消费电子应用的Pch功率MOSFET系列”在线研讨会得到了大家的支持，再次谢谢大家的热情参与！错过本次直播的小伙伴，可以点击下方查看回放。相关产品介绍页面MOSFET产品介绍页适用于电机的新产品规格书下载页导通电阻显著降低的第5代-40V/-60V耐压Pch功率MOSFET相关产品资料下载Pch MOS选型指南晶体管产品目录面向工业设备

罗姆半导体集团 2024-12-25 34浏览
加速您的开发，尽在SP6LImSiC™MOSFET模块评估板

在竞争激烈的电子市场中，如何快速高效地完成产品开发成为关键。Microchip推出的SP6LI mSiC™ MOSFET模块评估板，助您大幅缩短开发时间，降低研发风险。该评估板专为功率电子应用设计，让您轻松上手，快速验证设计思路。请阅读原文立即开始您的评估之旅，抢占市场先机。

Microchip微芯 2024-12-20 15浏览
新品|750V8mΩCoolSiC™MOSFET

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇新品750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET采用TO-247-4封装的新型CoolSiC™ MOSFET 750V G1是高度坚固的SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiC™ MOSFET 750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实

英飞凌工业半导体 2024-12-20 36浏览
验证并选择心仪MOSFET，探寻选型奥秘！注册、体验双重好礼等你拿~

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！MOSFET 选型有点难选N沟道MOSFET？还是选P沟道MOSFET？封装如何选：不同封装尺寸有不同的热阻和耗散功率。参数如何匹配：耐压BVDSS、Id电流、栅极阈值电压Vth、导通电阻RDS(ON)、寄生电容／栅电荷等。瞬态散热更严苛，热设计需要如何处理？如何匹配驱动电路参数设计、电路布局设计？EMC电磁干扰如何解决？用东芝在线电路仿真器，一键

电子工程世界 2024-12-16 28浏览
下周三！罗姆MOSFET系列产品解读直播来了

近年来，在工业设备和消费电子设备等领域，采用高输入电压的电源电路来实现高级控制的客户越来越多，对于MOSFET产品，除了低导通电阻的要求之外，也表现出对高耐压性能与日俱增的需求。MOSFET产品分为Nch与Pch两种，而高效率的Nch应用更为普遍，但在高边使用Nch MOSFET时，需要栅极电压高于输入电压，因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电

芯世相 2024-12-11 28浏览
MOSFET规格书写的体二极管正向电流175A靠谱吗？如何计算真实的通流能力？-电路易错点

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言上一篇文章我们介绍了MOSFET体二极管的关键参数以及电路设计关注点，其中Diode continuous forward current：体二极管连续正向电流这一参数，最大高达175A，如果是真的，那这个数据已经很牛了，但是规格书这个参数有个角标2）：The parameter is not subject to production testi

硬件那点事儿 2024-12-09 99浏览
1000字搞懂MOSFET规格书中体二极管的关键参数以及电路设计关注点

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言上一篇文章我们介绍了MOSFET的体二极管，我们知道了MOSFET体二极管在MOSFET中是广泛存在的，并且MOSFET经过了几十年的工艺革新，在目前应用比较广泛的沟道MOSFET中也没能完全解决这个问题，既然无法避免，那我们要考虑的是了解它，应用它。关于MOSFET的体二极管，datasheet一般会给出以下几个参数，体二极管连续正向电流，体二极

硬件那点事儿 2024-12-07 414浏览
所有的MOSFET都有体二极管吗？它有什么作用呢？硬件工程师要搞懂的电路知识点

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言与三极管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同寻常之处在于其原理图符号会包含一个寄生器件——体二极管。那么是不是所有的MOSFET都会有体二极管吗？这个体二极管它有什么作用呢？Part 02所有的MOSFET都会有体二极管吗？自从1960年MOSFET在贝尔实验室诞生之后，MOSFET以来经历了多次工艺革新，从基本结构到材料、工艺技术的发展，推动

硬件那点事儿 2024-12-06 362浏览
直播预告|罗姆Pch功率MOSFET系列产品解读

近年来，在工业设备和消费电子设备等领域，采用高输入电压的电源电路来实现高级控制的客户越来越多，对于MOSFET产品，除了低导通电阻的要求之外，也表现出对高耐压性能与日俱增的需求。MOSFET产品分为Nch与Pch两种，而高效率的Nch应用更为普遍，但在高边使用Nch MOSFET时，需要栅极电压高于输入电压，因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电

皇华电子元器件IC供应商 2024-11-27 109浏览
【新品介绍】Littelfuse推出高性能超级结X4-Class200V功率MOSFET

提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。超级结X4-Class 200V功率MOSFET这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够

力特奥维斯Littelfuse 2024-11-26 60浏览
理解功率MOSFET的开关损耗

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电力电子技术与新能源 2024-11-25 44浏览
MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解？电路设计咋用它计算MOS会损坏吗？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言打开MOSFET规格书，我们会发现所有的MOSFET规格书在Maximum ratings，也就是极限电气参数中给出Avalanche energy, single pulse的值，单位是mJ，对应中文含义是单脉冲雪崩能量，那么这一参数到底表征了什么含义？当我们在设计MOSFET电路时又该如何考量这一参数带来的限制呢？Part 02单脉冲雪崩能量的

硬件那点事儿 2024-11-22 304浏览
有的MOSFET电路栅源极为什么要并联稳压二极管？一文搞懂MOSVdss，Vgss，Id，Idm参数选型

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言无论任何元器件的选型，第一步都是去仔细阅读对应的datasheet，那么如何看懂datasheet就很重要，打开datasheet，哪些参数是需要重点关注的，哪些是需要参考的，这是硬件设计的基本功。今天我们的主角是MOSFET，接下来我们就分几篇文章介绍一下MOSFET选型时的重点参数关注以及讲解。我们今天重点讲解Vdss，Vgss，Id，Idm参

硬件那点事儿 2024-11-20 215浏览
MOSFET特性参数的理解

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电力电子技术与新能源 2024-11-18 183浏览
MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后，MOS管为什么会炸管？原因分析

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言上一篇文章我们介绍了在进行MOSFET相关的电路设计时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了解决此问题，我们提出了两种方法，一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值，另外一种是在MOSFET栅-源极之间并联一个电容，有读者在评论区说如果在栅-源极并联一个电容，MOSFET可能会出现炸管的问题？那么在MOSFET栅-源极并联电容和MOSFET炸管

硬件那点事儿 2024-11-14 265浏览
MOSFET电路栅源极GS之间为什么需要并联一个电容？居然能解决MOS误导通的问题？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的变化率，即漏极和源极之间电压随时间的变化速度。一般想到dv/dt，我们第一反应是高dv/dt会导致强烈的电磁干扰，影响周围的敏感电路，降低系统的信号完整性。除此之外高dv/dt还会产生另外一大危害，那就是如果dv/dt过高，漏源电压的快速变化会通过栅-漏电容Cgd耦合到

硬件那点事儿 2024-11-12 857浏览
技术分享|京都大学：在碳化硅p沟道MOSFET中反掺杂对阈值电压和迁移率的影响

写在前面：大家周三晚上好呀~不知道你们看不看二堡老师，他最近在连载他对日本富士碳化硅沟槽MOSFET器件结构的研究和看法。此前他还在分享海外的企业纷纷向沟槽栅布局的趋势和结构，以及国内的进展。建议感兴趣的朋友都可以去看看二堡老师的日常碎碎念。无奈我不懂技术，只能看个热闹。但是我也还是想各个渠道找些好的技术文章给你们分享，我们共同学习一起进步！今天这篇报告来自京都大学电子科学与工程系的教师和研究生们

碳化硅芯观察 2024-10-30 347浏览
如何调整碳化硅MOSFET驱动减少功率损耗

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电力电子技术与新能源 2024-10-28 219浏览
新品|采用OptiMOS™6功率MOSFET的模块化半桥功率板

新品采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS™ 6功率MOSFET 135V，D²PAK 7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。它是一个带功率开关和栅极驱动器接口的单半桥，可轻松构建任何基于半桥的功率拓扑。相关器件：IPF021N13NM6(OptiMOS™ 6 power MOSFET 135V)该系列还有各种功率板，采用D²PA

英飞凌工业半导体 2024-10-23 280浏览
怎样选择合适的MOSFET？

一、确定应用需求1、电路类型- 开关电路：如果应用于开关电路，如电源开关、电机驱动等，需要关注 MOSFET 的开关速度、导通电阻和栅极电荷等参数。快速的开关速度可以减少开关损耗，提高效率;低导通电阻能降低导通时的能量损耗;而低栅极电荷则有助于加快开关转换过程。- 放大电路：用于放大电路时，要重点考虑 MOSFET 的线性度、增益和噪声等特性。具有良好线性度和高增益的 MOSFET 能够保证信号的

皇华电子元器件IC供应商 2024-09-30 389浏览
AMEYA360代理品牌：纳芯微推出全新CSP封装MOSFET:NPM12023A

近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过

皇华电子元器件IC供应商 2024-09-29 464浏览
【光电集成】芯片制造：MOSFET的一个工艺流程

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----芯片制造工艺流程包括光刻、刻蚀、扩散、薄膜、离子注入、化学机械研磨、清洗等等，在前面的文章我们简要的介绍了各个工艺流程的细节，这篇文章大致讲解这些工艺流程是如何按顺序整合在一起并且制造出一个MOSFET的。1.我们首先拥

今日光电 2024-09-28 701浏览

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我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本
这里http://www.zhefar.com/download/training/zhefar/Training%20-%20JTAG(CHS).pdf 有份培训资料挺好，是杭州哲发科技有限公司的。他们是专业JTAG方案供应商，其JTAG综合应用系统是众多杰出工程师在二十多年电子通信产品开发过程中，根据工作需要在实践中建立并完善起来的一套调试/调测/维修系统。产品经过大量验证，已经服务于众多知名公司和上市公司。 JTAG综合应用系统三大功能：板卡测试维修、PLD加载/编程和 Flash烧写/编程/加载。 www.zhefar.com 我们和好几个兄弟单位都用过，非常好！

xxdg 评论文章 2025-01-05

强大的JTAG边界扫描2-BSDL文件

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