闪存 - 电子工程专辑

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内存的速度+闪存的持久性：DRAM+内存即将面世

近日，Ferroelectric Memory Co.（FMC）与Neumonda宣布建立合作伙伴关系，致力于将一种名为“DRAM+”的新型内存架构推向市场。这种内存技术将DRAM的高速性能与非易失性数据保留能力相结合，解决了高速DRAM与NAND闪存等存储之间的性能差距。DRAM+技术的核心在于用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统DRAM中的电容器，HfO2元件能够在无需电源的情况下持久存储数据

文Q聊硬件 2025-04-10 221浏览
内存的速度+闪存的持久性：DRAM+内存即将面世

据媒体报道，近日，Ferroelectric Memory Co.（FMC）与Neumonda宣布建立合作伙伴关系，致力于将一种名为“DRAM+”的新型内存架构推向市场。这种内存技术将DRAM的高速性能与非易失性数据保留能力相结合，解决了高速DRAM与NAND闪存等存储之间的性能差距。DRAM+技术的核心在于用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统DRAM中的电容器，HfO2元件能够在无需电源的情况下

芯通社 2025-04-09 160浏览
NAND闪存坏块管理与错误恢复策略

点击上方蓝色字体，关注我们随着嵌入式系统在各种应用中的普及，NAND闪存作为存储介质，因其高密度、低成本、低功耗等优势，广泛应用于智能手机、嵌入式设备、消费电子、汽车电子等领域。然而，NAND闪存并非完美无缺，存在着坏块（Bad Block）的问题。坏块会导致数据无法正常读写，因此必须采取有效的管理和恢复策略。1NAND闪存的工作原理在深入坏块管理之前，了解NAND闪存的基本工作原理是必要的。NA

美男子玩编程 2025-04-08 97浏览
机构预测Q2NANDFlash闪存价格止跌回稳；2025年全球晶圆厂设备投资将增至1100亿美元|每周产业数据汇总

本周有哪些值得关注的数据及榜单呢？IDC：2024年萤石蝉联全球消费摄像头出货量第一据IDC发布的《全球智能家居设备市场季度跟踪报告（2024年第四季度）》显示，2024年全球智能摄像头市场（涵盖消费级室内和室外摄像头，含运营商渠道）出货量达1.37亿台，同比增长7.7%。具体到品牌方面，2024年，萤石以8.2%的出货量同比增长率，蝉联全球消费摄像头出货量第一。小米和大华乐橙位列第二、第三位，但

TechSugar 2025-03-29 194浏览
美光：市场复苏内存、闪存涨价势在必行

近期，随着内存市场开始迎来复苏，多家供应商纷纷调涨价格以应对接下来的市场变化，继闪迪传出调涨价格之后，美光也宣布了其涨价计划。美光发给渠道合作伙伴的消息指出，最近的市场动态表明，内存和存储市场已开始复苏，预计到2025年和2026年都会出现增长，美光发现各个业务领域的意外需求都在增加，为了应对这些，美光正在提高定价。美光表示，对人工智能相关产品和技术的需求不断增长，反映出人们对美光产品组合的兴趣日

文Q聊硬件 2025-03-27 145浏览
如何延长NAND闪存和eMMC使用寿命

点击上方蓝色字体，关注我们随着电子设备在各个行业的广泛应用，NAND闪存和eMMC成为了主流的存储介质。尤其在嵌入式系统中，NAND闪存和eMMC的性能和寿命直接影响系统的稳定性和可靠性。然而，长时间运行后，这些存储介质可能因频繁的擦写操作而出现寿命到期的情况。1闪存寿命及其影响因素NAND闪存的使用寿命通常由擦除次数决定。每当闪存单元进行写入或擦除操作时，存储单元中的氧化层都会受到磨损，导致浮栅

美男子玩编程 2025-03-26 196浏览
ZLG嵌入式笔记(连载32)|拯救NAND/eMMC：延长闪存寿命

视频推荐随着电子设备的广泛应用，NAND闪存和eMMC作为主流存储介质，其使用寿命受到广泛关注。本文将探讨其损坏的软件原因，并提供延长使用寿命的实用方法。前言长时间运行后出现NAND或者eMMC损坏，可能的原因有物理损坏如雷击损坏，也有可能因为频繁擦写操作引起寿命到期损坏。下面就应用软件方面的可能性进行探讨，寻求延长NAND/eMMC使用寿命的方法。闪存的寿命和计算公式在NAND闪存中，P

ZLG致远电子 2025-03-25 209浏览
华大九天拟购买芯和半导体控股权；消息称美光对NAND闪存新订单平均涨价11%；禾赛科技或将开设首家海外工厂|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻华大九天拟购买芯和半导体控股权瑞芯微回应“RV1126/1109机器视觉领域芯片缺货并大幅涨价”，称已通过多种手段全力保障供应消息称美光对NAND闪存新订单平均涨价11%消息称麦格纳将在奥地利为小鹏、广汽组装SKD汽车，从而规避欧盟高额关税禾赛科技或将开设首家海外工厂光庭信息拟收购楷码科技100%股权，计划整合日本客户资源传小米汽车在德国慕尼黑设立研发中心宝马宣布与华

TechSugar 2025-03-18 259浏览
存储巨头集体提价！这一波闪存涨价幅度远超预期

多家NAND闪存原厂已提前布局，计划在4月上调产品报价，随着多家存储巨头的集体行动，NAND闪存的价格涨幅超过先前的市场预期。消息指出，美光新加坡工厂在一月份发生断电事故，部分晶圆产能受损，虽未公开说明，但已影响后续供货，新订单价格平均涨幅约11%。闪迪已发函通知将于4月1日调涨报价，三星和SK海力士也计划从4月起跟进涨价，此前这两家厂商已通过减产措施，将2025年第一季度的产量较2024年下半年

文Q聊硬件 2025-03-17 253浏览
存储涨价势不可挡！NAND闪存Q3还要涨

继闪迪宣布将从4月1日起涨价10%后，NAND Flash控制芯片厂群联董事长潘建成也指出，受备货需求提升和大厂减产影响，Nand Flash涨价已是进行式，预估第3季价格仍看涨。潘健成指出，近期已有部分原厂正式调升报价，以应对库存回补，这样的市场趋势预期将延续，进一步正面影响NAND产业生态。闪迪此前向客户和渠道商发出通知，指出产业供需持续变动，预计很快将转为供不应求的局面，同时为应对关税措施的

文Q聊硬件 2025-03-11 161浏览
长江加油追吧！国际闪存冲上332层容量、性能双世界第一

铠侠宣布了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，其实就是学习的长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西

硬件世界 2025-02-21 331浏览
长江加油追！闪存冲上332层容量、性能双世界第一

铠侠宣布了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，其实就是学习的长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西

文Q聊硬件 2025-02-21 306浏览
三星、SK海力士将在2025Q1减产：NAND闪存产量至少削减10%

据市场消息，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。其中三星在去年末已经决定削减西安工厂的NAND闪存产量，减少10%以上，另外还调低了韩国华城12号和17号生产线的产量，以进一步降低整体产量。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观

手机技术资讯 2025-02-14 241浏览
三星西安厂将升级286层NAND闪存工艺！

三星电子正在将其中国西安工厂升级为286层（V9）NAND 闪存工艺，以应对当前的市场低迷并抵御来自中国半导体公司日益激烈的竞争。自2023年以来，三星一直在推动将其西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡到236层（V8）生产线。然而，该公司决定更进一步，安装一条V9生产线。三星计划在今年上半年引进该工艺所需的新设备，并计划在下半年建立一条每月产能为2000~5000片晶圆的生产线。此次转

飙叔科技洞察 2025-02-13 333浏览
三星西安工厂将升级286层NAND闪存工艺

三星电子正在将其中国西安工厂升级为286层(V9)NAND 闪存工艺，以应对当前的市场低迷并抵御来自中国半导体公司日益激烈的竞争。自2023年以来，三星一直在推动将其西安工厂的主流128层(V6)NAND工艺过渡到236层(V8)生产线。然而，该公司决定更进一步，安装一条V9生产线。三星计划在今年上半年引进该工艺所需的新设备，并计划在下半年建立一条每月产能为2000~5000片晶圆的生产线。此次转

皇华电子元器件IC供应商 2025-02-13 415浏览
三星、SK海力士将在2025Q1减产：NAND闪存产量至少削减10%

据市场消息，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。其中三星在去年末已经决定削减西安工厂的NAND闪存产量，减少10%以上，另外还调低了韩国华城12号和17号生产线的产量，以进一步降低整体产量。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观

52RD 2025-02-13 269浏览
三星SK海力士闪存减产10%

据悉，三星电子和SK海力士已开始减少NAND闪存产量。为了应对供应过剩的问题，采取了通过工艺转换实现的“自然减量”。据业内人士2月11日透露，三星电子和SK海力士从去年年底开始就进行“技术迁移”，将旧的NAND闪存工艺生产线转换为新工艺。为了生产最新或最先进的产品，必须引进并安装新设备，这个过程大约需要三个月。这段时间，设备不运转，制造半导体所需的晶圆就投入不了，自然出货数量也会减少，导致产量减少

WitDisplay 2025-02-11 280浏览
1分钟640纳米！等离子体让3D闪存原地起飞

3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。该方法使用氟化氢等离子体，将硅材料垂直通道的蚀刻效率提高了一倍，只需1分钟即可蚀刻640纳米。其中的关键是在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，并将分层材料暴露在等离

文Q聊硬件 2025-02-05 255浏览
NAND闪存过剩SSD等要暴跌了！三星等大厂要减产控价了

NAND闪存过剩情况下，势必让SSD等存储价格下滑，所以大厂们也开始行动了。据国外媒体报道称，由于NAND闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。三星、SK 海力士、铠侠、美光均已开始研究NAND闪存减产计划，从而缓解供需失衡并稳定价格，预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行。报道中提到，三星已经

芯通社 2025-01-24 198浏览
从闪存到MRAM：满足现代FPGA配置的需求

在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等

Latticesemi 2025-01-24 430浏览
“闪”速前进：庆祝闪存创新40周年

关注美光获取动态如果您忘记过某件重要的事，就可能切身体会到了“人脑记忆”的局限性。人类最初尝试“存储”信息可以追溯到旧石器时代，原始部落居民会在木棍或骨头上做记号，用于记录收获的物品和交易活动。随着时代的发展，人类早已不再使用木棍和骨头来存储信息。如今，我们广泛使用“闪存”来保存数据。什么是闪存？为什么它会无处不在？无论您是否意识到，我们身边到处都有闪存的影子。它在您的智能手机里、数码相机里，也

美光科技 2025-01-23 179浏览
三星西安工厂计划削减10%NAND闪存产量，稳定市场价格

据市场消息，三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减10%以上产量，平均月产量从20万片晶圆降至17万片。与此同时，三星在韩国华城的两条关键生产线——12号和17号，也面临产量调整，旨在进一步缩减整体产能规模。目前全球NAND闪存市场供过于求，业界普遍预测今年价格将遭遇大幅滑坡。在此背景下，三星此番举措被视为旨在维护自身盈利能力、促进市场价格稳定的战略部署。值得注意的是，与三星的保守策略形成鲜明对比

52RD 2025-01-14 503浏览
欧盟或将有条件批准新思科技对Ansys的收购；美光下调10%NAND闪存产能利用率；三星计划重组半导体封装供应链|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻消息称明年2nm/3nm制程工艺迎激烈竞争消息称SK海力士加速准备16Hi HBM3E量产，已启动全面生产测试欧盟或将有条件批准新思科技对Ansys的收购小米汽车与蔚来开启充电补能网络合作美光下调10% NAND闪存产能利用率LG Energy Solution携手高通，打造电动汽车电池管理系统“最强大脑”消息称三星“洗牌”半导体封装供应链三部门：鼓励以高端装备为代表

TechSugar 2024-12-26 112浏览
闪存面世40周年：创新与变革之旅

1984年12月，在IEEE集成电子器件会议上，桀冈富士雄（Fujio Masuoka）公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术：闪存。40年后的今天，闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程，对于闪存技术来说是一段创新与变革之旅，同时也反映了我们在科技领域所取得的巨大进步。闪存的诞生闪存的旅程始于一个简单却强大的想法：一种无需电力即可存储数

ittbank 2024-12-18 175浏览
闪存面世40周年：创新与变革之旅

1984年12月，在IEEE集成电子器件会议上，桀冈富士雄（Fujio Masuoka）公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术：闪存。40年后的今天，闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程，对于闪存技术来说是一段创新与变革之旅，同时也反映了我们在科技领域所取得的巨大进步。闪存的诞生闪存的旅程始于一个简单却强大的想法：一种无需电力即可存储数

TechSugar 2024-12-18 97浏览

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