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闪存
欧盟或将有条件批准新思科技对Ansys的收购;美光下调10%NAND闪存产能利用率;三星计划重组半导体封装供应链|新闻速递
五分钟了解产业大事每日头条芯闻消息称明年2nm/3nm制程工艺迎激烈竞争消息称SK海力士加速准备16Hi HBM3E量产,已启动全面生产测试欧盟或将有条件批准新思科技对Ansys的收购小米汽车与蔚来开启充电补能网络合作美光下调10% NAND闪存产能利用率LG Energy Solution携手高通,打造电动汽车电池管理系统“最强大脑”消息称三星“洗牌”半导体封装供应链三部门:鼓励以高端装备为代表
TechSugar
2024-12-26
46浏览
闪存面世40周年:创新与变革之旅
1984年12月,在IEEE集成电子器件会议上,桀冈富士雄(Fujio Masuoka)公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术:闪存。40年后的今天,闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程,对于闪存技术来说是一段创新与变革之旅,同时也反映了我们在科技领域所取得的巨大进步。闪存的诞生闪存的旅程始于一个简单却强大的想法:一种无需电力即可存储数
ittbank
2024-12-18
47浏览
闪存面世40周年:创新与变革之旅
1984年12月,在IEEE集成电子器件会议上,桀冈富士雄(Fujio Masuoka)公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术:闪存。40年后的今天,闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程,对于闪存技术来说是一段创新与变革之旅,同时也反映了我们在科技领域所取得的巨大进步。闪存的诞生闪存的旅程始于一个简单却强大的想法:一种无需电力即可存储数
TechSugar
2024-12-18
37浏览
NAND闪存目标:1000层
(本文编译自Semiconductor Engineering)在未来几年,芯片产业将致力于将3D NAND闪存的堆栈高度提升至当前水平的四倍,即从200层增加至800层乃至更高,借此额外增加的存储容量来应对市场对各类内存需求的持续增长。这些新增的层数不仅带来了全新的可靠性挑战,还伴随着一系列递增的可靠性挑战。然而,过去十年间,NAND闪存行业在不断增加堆栈高度。早在2015年,东芝便已宣布推出首
TechSugar
2024-12-09
56浏览
2024年Q3NAND闪存产业整体营收环比增长4.8%;全球半导体企业Q3营收排行发布|每周产业数据汇总
本周有哪些值得关注的数据及榜单呢?Canalys:2024年Q3全球TWS市场同比增长15%Canalys发布报告称,2024年第三季度,全球真无线耳机(TWS)市场延续了其增长态势,实现了15%的同比增幅,出货量攀升至9230万台。传统TWS和开放式均呈现增长态势。传统TWS保持个位数稳健增长,而OWS继续保持强劲的三位数高速增长。厂商排名方面,前五厂商依然稳定保持占据市场50%市场份额:苹果三
TechSugar
2024-11-30
62浏览
SK海力士闪存,突破300层
11月21日,SK海力士宣布,已开始量产全球最高的321层堆栈1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND Flash闪存。SK海力士表示:“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品,并供应于市场,此次又率先推出了超过300层的NAND闪存,突破了技术界限。”“计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品,由此应对市场需求。”据
芯极速
2024-11-22
56浏览
闪存突破300层!
韩国存储器大厂SK海力士于21日宣布,开始量产全球最高的321层堆叠1Tb TLC 4D NAND Flash 闪存。SK海力士表示,从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存,并供应于市场之后,现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器,突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起,开始向客户提供321层堆栈的产品,以此因应市场的需求。SK
集成电路IC
2024-11-21
83浏览
闪存突破300层!
韩国存储器大厂SK海力士于21日宣布,开始量产全球最高的321层堆叠1Tb TLC 4D NAND Flash 闪存。SK海力士表示,从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存,并供应于市场之后,现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器,突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起,开始向客户提供321层堆栈的产品,以此因应市场的需求。SK
EETOP
2024-11-21
104浏览
基于CXL接口的NAND闪存!
点击蓝字关注我们随着人工智能和机器学习应用的兴起,需要扩大内存容量和数据带宽。通过传统的DIMM接口进行内存扩展具有局限性,因此业界采用了一种新的基于PCIe的接口CXL。利用CXL接口,KIOXIA正在探索利用基于NAND的CXL的更高容量和更低成本优势,扩大现有存储和内存应用中FLASH存储器的使用方法。什么是CXL?最近,一种基于PCIe的互连技术CXL(Compute Express Li
SSDFans
2024-11-20
138浏览
122TB!全球第一SSD容量翻番:QLC闪存5年无限随机写入
美光昨天刚刚发布61.44TB(或者说60TB) PCIe 5.0 SSD,容量追平Solidigm世界纪录的同时,还支持PCIe 5.0,性能大幅提升,Solidigm今天就立刻反击,拿出了122TB!Solidigm去年7月发布了D5-P5336系列,最大容量61.44TB,192层堆叠QLC闪存,提供U.2 15毫米、E3.S 7.5毫米、E1.L 9.5毫米三种形态规格。支持PCIe 4.
硬件世界
2024-11-14
173浏览
122TB!全球第一SSD容量翻番:QLC闪存5年无限随机写入
美光昨天刚刚发布61.44TB(或者说60TB) PCIe 5.0 SSD,容量追平Solidigm世界纪录的同时,还支持PCIe 5.0,性能大幅提升,Solidigm今天就立刻反击,拿出了122TB!Solidigm去年7月发布了D5-P5336系列,最大容量61.44TB,192层堆叠QLC闪存,提供U.2 15毫米、E3.S 7.5毫米、E1.L 9.5毫米三种形态规格。支持PCIe 4.
文Q聊硬件
2024-11-14
228浏览
首款单条64GB内存发布;首款QLCUFS4.0闪存量产
宜鼎国际(Innodisk)宣布推出业界容量最大的DDR5 6400内存模块,具备单条64GB的超大容量。该系列内存提供8GB至64GB的容量选项,以及CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM与RDIMM等多重规格。宜鼎DDR5 6400内存相比前代产品,速度提升14%,容量翻倍,可应用于自动驾驶、智慧医疗、安防监控等高精密影像识别场景。业界最高的单条64GB存储
硬件世界
2024-10-30
312浏览
消费需求减少,DRAM价格下跌近20%,NAND闪存跌超10%
DRAM和NAND存储行业再次面临消费者需求下降,因为存储合约价格在短短一个月内下跌超10%,其中DRAM价格大幅下跌近20%。DRAM市场在过去几个季度经历了过山车般的波动,尤其是在后疫情时代,在消费电子兴趣减弱和整体市场动态的背景下,需求跌至历史最低水平。为了应对这种情况,制造商纷纷通过降价来清空库存,以纠正库存,现在,经过数月的价格上涨,他们已经处于看涨立场。然而,新的报道称,市场已经降温,
半导体前沿
2024-10-06
578浏览
美光宣布G9NAND闪存量产,276层!
Micron Technology, Inc. 宣布开始批量生产其第九代 (G9) SSD TLC NAND,这标志着一个重要的行业里程碑。G9 NAND 的传输速度为 3.6 GB/s,为数据读写提供卓越的带宽。这种先进的 NAND 技术旨在提高个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心的人工智能 (AI) 和数据密集型应用程序的性能。美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 强调了这些技
集成电路IC
2024-09-21
550浏览
美光宣布G9NAND闪存量产,276层!
点击蓝字关注我们美光科技宣布其第九代(G9)TLC NAND SSD开始量产,这是该行业的一个重要里程碑。G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度,为数据读取和写入提供了出色的带宽。这种先进的NAND技术旨在提高个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心的AI和数据密集型应用的性能。美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer强调了技术进步,他说:“美光G9 NAND的出货展示了美光在工艺技术
SSDFans
2024-09-20
492浏览
NAND闪存涨价15%还要涨!但卖不动了
根据集邦咨询的最新数据,2024年第二季度全球NAND闪存的平均售价上涨了15%,主要源于服务器终端库存调整基本完成,加之AI推动大容量存储需求。但因为PC、智能手机厂商库存仍然偏高,NAND闪存的出货量增长放缓,二季度环比减少了1%,总营收达167.96亿美元,环比增长14.2%。第二季度起,所有的NAND闪存供应商都已经恢复盈利,并计划在第三季度扩大产能,满足AI、服务器的需求,但是PC、智能
硬件世界
2024-09-10
505浏览
复旦团队突破技术壁垒:实现超快闪存规模集成与极限微缩
在全球科技高速发展的背景下,人工智能技术的进步尤为突出,这对存储技术提出了更高的要求。尤其是高速非易失存储技术,已成为推动多种技术革新的关键因素。然而,目前主流非易失存储技术如DRAM和NAND Flash闪存,其编程速度多停留在百微秒级,难以满足人工智能等领域对高速数据处理的需求。图源:A scalable integration process for ultrafast two-dimens
DT半导体材料
2024-08-14
484浏览
从闪存普惠,到数字化普惠:极简全闪数据中心引发的变革
2030年,全球将迎来YB(≈万亿TB)数据时代,各行各业都在迎来高价值数据的飞速增长。这种情况下,企业和机构想要做好数字化,一定离不开数据存储能力的提升。而在目前阶段,提升数据存储能力,一定离不开一个词:“全闪化”。全闪存凭借高速度、低延迟、低功耗等一系列优点,在企业存储升级迭代中展露出了确定性的优势,早已成为了集团型企业、知名教育机构、重点医疗机构,以及主要金融机构的首选。但数字化进程不能局限
脑极体
2024-08-09
432浏览
SK海力士明年量产400层闪存!能让SSD更便宜吗?
据报道,SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存,将于2025年投入大规模量产,再次遥遥领先。为了达成如此密集的堆叠,SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术,也就是W2W(wafer-to-wafer)结构,将两块晶圆键合在一起,和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。这就涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术,包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。其实,这就颇
文Q聊硬件
2024-08-04
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为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?
▲ 更多精彩内容 请点击上方蓝字关注我们吧!NAND 闪存已经达到了一定的密度极限,无法再进一步扩展。20 世纪 90 年代末,以 NAND 闪存为基础的固态存储得到广泛应用。从便携式设备的存储卡到台式机和笔记本电脑的存储设备,人们预言未来的数据存储将摆脱磁性存储的束缚。随着固态硬盘(SSD)在消费市场的兴起,有些人认为,用不了多久,每个人都会使用固态硬盘,而硬盘驱动器(HDD)将被淘汰出历史舞台
电子工程世界
2024-07-12
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IEEE国际存储研讨会(内存,闪存和新型存储技术)本周在韩国召开了!
IEEE国际存储研讨会(内存,闪存和新型存储技术)本周在韩国召开了! 由 IEEE的Electron Devices Society (https://eds.ieee.org/)主办的IEEE International Memory Workshop 2024本周初在韩国首尔召开(5.12-5.15.2024)。其中SK Hynix将第一个做主旨发言,阐述HBM技术现在和未
SSDFans
2024-05-14
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用废手机EMMC闪存做了个U盘,装上外壳,完美!
点击上方名片关注了解更多坏的手机越来越多,想利用下把字库拆下做几个U盘,因为是第一次焊接BGA这玩意,工具有限,败了些工具回来玩,网上找资料做了些功课!找了几部报废的手机拆出主板拆出emmc字库,容量有海力士4G,镁光8G,三星32G针脚有153,162,221然后然后败了些工具回来折腾,植株网,锡浆,BGA焊膏等同一家凑的,维修佬锡浆,中温183度这包装有点夸张了,1/3不到BGA专用助焊膏,说
硬件笔记本
2024-04-28
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三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产,大幅提升位密度与生产效率
巩固在NAND闪存市场的卓越地位。美通社消息,近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。此外,三星先进的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路,可在双层结构中同时钻孔,达到三星最高的单元层数,从而最大限度地提高了制造生产率。第九代V-NAND配备了下一代NAN
全球TMT
2024-04-23
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三星即将量产290层V-NAND闪存
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、放眼世界!关注世界半导体论坛↓↓↓4月17日消息,据韩媒报道,三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片,这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步,是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外,三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。业界人士表示,三星此举旨在满足人工智
中国半导体论坛
2024-04-17
499浏览
瑞萨闪存编程器的命令行(CLI)使用教程
本视频介绍了如何使用瑞萨闪存编程器的命令行。
瑞萨MCU小百科
2024-04-08
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