中科院微电子所 - 电子工程专辑

中科院微电子所

中国内地首获ICCAD最佳论文奖，包揽前端后端两篇最佳，恭喜浙大卓成老师、孙奇老师，恭喜中科院微电子所陈岚老师（附最佳论文介绍）

为中国内地从事EDA工作的老师、学生以及业界同仁点赞！ICCAD2024最佳论文揭晓，浙江大学和中国科学院微电子研究所包揽了前端和后端两个最佳论文奖。这也是中国内地机构第一次收获ICCAD最佳论文奖。之前，北京大学在ICCAD2022、北京航空航天大学在ICCAD2023 最佳论文提名奖。ICCAD2024前端最佳论文《An Agile Framework for Efficient LLM Ac

芯思想 2024-10-19 505浏览
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展

近期，微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下，在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索，取得了重要进展。在高频高效率器件方向，团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件，解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题，在连续波测试条件中，30GHz的功率附加效率（PAE）为4

DT半导体材料 2024-10-11 545浏览
中科院微电子所+复旦大学+九峰山实验室NatureCommunications，面向神经形态计算的全自旋突触和神经元器件

来源：九峰山实验室近日，九峰山实验室与中科院微电子所、复旦大学团队合作，在用于高度可扩展集成神经形态电路的高能效全自旋突触和神经元器件硬件实现方面取得了重要突破。相关研究成果以“Domain wall magnetic tunnel junction-based artificial synapses and neurons for all-spin neuromorphic hardware”为

DT半导体材料 2024-06-18 606浏览
中科院微电子所在高密度低应力硅通孔（TSV）研究方面取得进展

近日，中科院微电子所新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在高密度低应力硅通孔（TSV）研究方面取得新进展。三维（3D）集成技术是制造低功耗、高性能和高集成密度器件的必备技术，有望突破摩尔定律限制。TSV作为3D集成的核心技术，具有缩短互连路径和减小封装尺寸的优势。目前，高密度TSV互连在近传感器和传感器内计算、混合存储立方体、高带宽存储器（HBM）、CMOS图像传感器、制冷和非制冷焦平面阵

MEMS 2024-05-03 734浏览
中科院微电子所研制高功率密度5结级联905nmVCSEL

据麦姆斯咨询报道，近日，中国科学院微电子研究所的研究人员在《物理学报》期刊上发表了题为“高功率密度多结级联905nm垂直腔面发射激光器”的最新论文，针对激光雷达等三维传感应用，设计并制备了905nm波长的高功率密度5结级联垂直腔面发射激光器（VCSEL），制备的5结级联VCSEL单管（氧化孔径8μm）的功率转换效率高达55.2%；其最大斜率效率为5.4W/A，约为相同孔径单结VCSEL的5倍。窄脉

MEMS 2022-11-11 1294浏览
清华大学、香港大学、中科院微电子所合作研发项目取得新进展

据中科院微电子所公众号报道，该所微电子器件与集成技术重点实验室尚大山研究员与香港大学、清华大学研究人员合作，基于忆阻器（RRAM）存算一体（IMC）芯片，研制了一款连续学习原型系统，该系统针对多任务连续学习场景。研究团队展开软硬件协同设计，软件方面开发了基于突触元可塑性的混合精度连续学习模型（MPCL），采用非对称权重更新策略，平衡权重的可塑性与稳定性，有效缓解灾难性遗忘；硬件方面，团队将MPCL

DT半导体材料 2022-06-14 1756浏览
科研|中科院微电子所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展

近日，中科院微电子研究所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该研究以《A Novel Strategy for GaN-on-Diamond Device with a High Thermal Boundary Conductance》为题发表在《Journal of Alloys and Compounds》（V

DT半导体材料 2022-03-28 1199浏览

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