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原子层沉积
上海科技大学谢琎AFM:共形原子层沉积,实现快充高镍正极材料!
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!在高性能正极材料的开发中,尤其是高镍层状氧化物,已成为推进锂离子电池(LIBs)技术发展的关键焦点。使用LiNixCoyMn1-x-yO2(x ≥ 0.6)等组成是提高LIBs能量密度和成本效益的有希望途径,使其特别适用于电动汽车(EV)应用。固相反应是合成这些正极材料的主要方法,这是一个受烧结温度、持续时间和其他关键条件影响的复杂过程。理解这些反应中的复杂性
锂电联盟会长
2025-01-04
377浏览
原子层沉积涂层固定在高温烧结过程中富镍材料表面层状氧化物结构
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!摘要在层状氧化物的固态合成中,获得具有精确形貌、晶体结构和表面性能的正极粉末需要在热力学和动力学之间取得微妙的平衡。升高温度是推动反应完成的必要条件,有助于形成有序的层状结构,这对锂离子电池中高效的锂离子运输至关重要。然而,高温有可能导致Li/Ni混排和岩盐形成,特别是在富含Ni的层状氧化物中,这对它们的性能产生不利影响。为了应对这一挑战,该方法需要精确设计一
锂电联盟会长
2025-01-02
279浏览
思锐智能:打造第三代半导体制造关键设备—原子层沉积和离子注入
12月11-12日,行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开,思锐智能已正式确认出席本次大会。届时,思锐智能副总经理陈祥龙将出席,并带来《打造第三代半导体制造关键设备—原子层沉积和离子注入》的主题报告。本次演讲,思锐智能将着重探讨第三代半导体材料如碳化硅和氮化镓在高温、高压和高频应用中展现出巨大的潜力,如何选择合适的薄膜沉积设备,匹配不断发展的宽禁带半导
第三代半导体风向
2024-11-28
547浏览
默克通过开发原子层沉积(ALD)前驱体对应柔性OLED薄膜封装工艺
CINNO Research产业资讯,德国化学材料专业厂商默克(Merck)正通过提供高端汽车显示解决方案,加速向柔性OLED市场的扩张。在柔性OLED的核心技术——薄膜封装(TFE)工艺中,默克导入了原子层沉积(ALD)方法,以替代传统的化学气相沉积(CVD)方法。根据韩媒Sisajournal报道,据显示行业8月27日消息,默克公司已成功开发了一种适用于ALD工艺的前驱体,并将其应用于柔性OL
CINNOResearch
2024-08-28
684浏览
纳设智能首台原子层沉积设备出货
2024年1月18日,纳设智能在先进材料制造装备领域迈出了重要一步——自主研发的首台原子层沉积设备已经完成了所有生产和测试流程,顺利出货!source:纳设智能原子层沉积(Atomic Layer Deposition,简称ALD)是一种薄膜沉积技术,可归于化学气相沉积大类。相对于一般化学气相沉积,其具有独特的表面自限制化学效应,因而可以逐个原子层生长各种化合物或单质薄膜材料,实现更精确的厚度控制
化合物半导体市场
2024-01-19
641浏览
Angew:氮气等离子体增强低温原子层沉积生长MgPON薄膜固态电解质
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!固态离子电池通过使用镁金属负极以及用固态电解质替代有机液态电解质,可以提升电池的容量、安全性和稳定性。镁金属离子电池可以具有极高的理论体积能力密度。近日,日本国立物质材料研究机构的Jin Su和Tohru Tsuruoka团队,利用原子层沉积技术结合双重氮气等离子体增强脉冲氮化过程在低温条件下生长氮掺杂的镁磷氧氮固态电解质(MgPON),相关成果发表在Wile
锂电联盟会长
2023-01-16
1010浏览
原子层沉积(ALD)工艺助力实现PowderMEMS技术平台
据麦姆斯咨询报道,近期,德国弗劳恩霍夫硅技术研究所(Fraunhofer Institute for Silicon Technology,ISIT)宣布将PICOSUN® P-300B ALD系统用于其PowderMEMS技术平台。PICOSUN® P-300B ALD系统及技术特点Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一项新研发的创新技术,用于在晶圆级上从多种材料中创建三维微结
MEMS
2022-02-20
1093浏览
SRII推出两款原子层沉积设备,满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积(ALD)工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年,ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造,不断推动诸如动态随机存取存储器(DRAM)、先进的鳍式场效应晶体管(FinFET)以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓,ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域,如超越摩尔(More than Moore,MtM)器件的生产中,正在推动新的架构
MEMS
2022-02-03
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