英诺赛科 - 电子工程专辑

英诺赛科

市值超280亿！氮化镓龙头英诺赛科上市

北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，

DT半导体材料 2024-12-30 69浏览
市值超280亿！氮化镓龙头英诺赛科上市

12月30日，氮化镓半导体研发商英诺赛科顺利登陆港股市场。此次IPO，英诺赛科定价在招股区间（30.86港元至33.66港元）的下限30.86港元/股，发行4536.40万股新股，募资总额为13.99亿港元。上市首日，英诺赛科开盘价为31港元/股，截至上午10时50分，英诺赛科报32.15港元/股，涨4.18%，总市值超282亿港元。来源：雪球英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，

CINNOResearch 2024-12-30 142浏览
英诺赛科正式敲钟上市，国内GaN第一股诞生

12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票简称“英诺赛科”，股票代码02577.HK。当天，众多英诺赛科公司领导及员工共同敲响上市宝钟，一同见证这一里程碑性时刻。在敲钟仪式上，英诺赛科创始人、董事长骆薇薇博士表示：“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓晶片制造企业。此次在香港交易所的上市，是公司发展历程中的一个重要里程碑，标志着我们将

第三代半导体风向 2024-12-30 589浏览
募资约15.3亿！英诺赛科上市在即

12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）正式启动公开招股，招股期间为2024年12月18日至12月23日，预期H股将于12月30日上市，中金公司及招银国际共同担任联席保荐人。英诺赛科已与基石投资者STMicroelectronics Limited（STHK，母公司为意法半导体）、江苏国有企业混合所有制改革基金、江苏苏州高端装备产业专项母基金及苏州东方创联投资管理有限公司

芯极速 2024-12-20 94浏览
募资约13.77亿！英诺赛科计划月底上市

12月18日，英诺赛科在官网公布了全球发售通告，计划全球发售4536.4万股H股，发售价区间为每股30.86港元至33.66港元，最高集资约15.3亿港元（约合人民币13.77亿），招股期间为2024年12月18日至12月23日，预计12月30日正式上市。英诺赛科透露，募资资金的所得款项净额将用于扩大产能、产品组合等用途，具体来看：60%资金将用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，从截至2024年6月30

第三代半导体风向 2024-12-18 78浏览
ITC终裁英诺赛科；芯片补贴，拜登急了；ADI收购eFPGA公司

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！芯片圈ITC终裁英诺赛科11月8日，美国宜普电源转换公司（EPC）表示，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。美国国际贸易委员会决定禁止英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai)

电子工程世界 2024-11-11 353浏览
氮化镓市场专栏｜英诺赛科：与EPC的专利纠纷接近尾声【8月氮化镓市场信息汇总】

嗨，各位朋友总有人在后台问氮化镓的市场我们想着功率半导体得结合起来看产业变化才合理‍‍‍‍‍‍‍后续我们也会有新同事来更新氮化镓市场产业动态汇总‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍欢迎关注氮化镓市场的朋友和我们保持互动～‍‍‍‍完整PPT我们会更新在网盘链接会通过各位登记的邮件定期发送给大家‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍*免责声明：本文由作者原创。文章

碳化硅芯观察 2024-09-13 452浏览
机器人/光储/OBC加速导入GaN，英诺赛科等已领跑

“行家说三代半”近日汇整发现，GaN又有新的应用突破，在音频设备、光伏系统、电动汽车充电器和微型逆变器等领域显示出其在提升能效、减小体积和增强性能方面的潜力，详情请看：大恒能源：一体化光伏系统采用GaN8月8-10日，大恒能源在2024年广州光伏展上展出了其采用氮化镓技术的SolarUnit一体化光伏系统。据介绍，该系统利用了第三代氮化镓半导体的高效率特性，实现了能量密度的40%提升，并且将系统的

第三代半导体风向 2024-08-22 541浏览
英飞凌对英诺赛科发起337调查申请！

据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定于7月26日向美国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品侵犯了其专利，

芯极速 2024-08-01 531浏览
英飞凌对中国氮化镓芯片厂商英诺赛科发起337调查申请

点击上方蓝字关注我们据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的

每日LED 2024-07-31 758浏览
英诺赛科与EPC的专利纠纷接近尾声

近年来，第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN）领域的快速发展，吸引了全球科技巨头的关注与竞争。在这场技术革命中，中国领军企业英诺赛科与美国知名企业宜普（EPC）之间的专利纠纷成为业界焦点。7月5日，英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508专利的所有诉讼请求。根据判决裁定，英诺赛科对EPC的508专利（该专利涉及增强型GaN晶体管的形成方法）不存在侵权

化合物半导体市场 2024-07-10 521浏览
英诺赛科在ITC初步裁决中成功驳回EPC508专利的全部权利要求

2024年7月5日—英诺赛科，一家致力于打造高性能、高性价比硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率半导体解决方案的全球能源生态系统公司，在 ITC 的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508 专利的所有诉讼请求。判决裁定英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。这是英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）与EPC的争议中取得的巨大成功。根据 ITC 的初步裁定

CINNOResearch 2024-07-10 503浏览
科创丨英诺赛科冲刺IPO，苏州杀出235亿独角兽

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言：随着国内新能源汽车、风电、光伏等核心产业的蓬勃发展，氮化镓功率半导体行业正迎来前所未有的市场机遇。根据权威机构的精准预测，氮化镓功率半导体行业的市场规模预计将保持98.5%的复合年增长率持续扩张，预计从2024年的32.28亿元大幅攀升至2028年的501.42亿元。作者 | 方文三图片来源 | 网络氮化镓头部英诺赛科冲刺IPO英诺赛科

AI芯天下 2024-07-09 786浏览
美国或禁售英诺赛科···

2024 年 7 月 8 日，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）最新确认其两项关键专利有效，并且判定英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Tech

芯通社 2024-07-09 707浏览
英诺赛科正式交表港交所！GaN营收近6亿元

来源：东方网据港交所文件，6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司向港交所递交上市申请，联席保荐人为中金公司、招银国际。自成立以来，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。经过多年的研发深耕，英诺赛科已在氮化镓芯片设计领域积累了丰富的技术经验，拥有自主知识产权，形成了完整的技术体系。截至最后实际可行日期，公司在全球范围内已拥有约700项专利及专利申请，涵盖芯

CINNOResearch 2024-06-14 677浏览
英诺赛科港股IPO正式启动！

6月12日晚间，英诺赛科向港交所递交上市申请，联席保荐人为中金公司、招银国际。012023年营收增长335.2%自2019年10月，OPPO Reno Ace首次将氮化镓技术应用于充电器以来，基于氮化镓材料而研制的功率器件，凭借更高的电流密度、迁移率以及优秀的耐热性、导电性和散热性，在诸多应用领域持续开疆拓土。2023年，氮化镓的发展逐渐进入繁荣期。虽受限于技术水平，应用领域仍以消费电子为主，但其

化合物半导体市场 2024-06-13 753浏览
英诺赛科拟香港上市，GaN营收近6亿元

插播：6月14日，汇川联合动力、锦浪、英飞凌、芯联动力、三安、天岳、扬杰科技、蓉矽、普兴、合盛、晶亦精微、希科、丰田通商、大族、泰克、志橙及泽万丰等邀您参加上海SiC大会，详情请点击文末【阅读原文】。6月12日，据香港证券交易所公告，英诺赛科已正式递交上市申请，并公布IPO招股说明书（申请版），拟香港主板挂牌上市。“行家说三代半”发现，英诺赛科的招股书（申请版）主要透露了以下重点信息：● 募集资金

第三代半导体风向 2024-06-13 611浏览
英诺赛科、CGD推出多款GaN新品

近期，GaN产业热度持续上涨，技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等各类动态让人目不暇接，而在近日，英诺赛科、CGD两家厂商接连发布了多款GaN新品，在一定程度上显示了终端应用需求正在持续增长。英诺赛科发布三款GaN驱动器产品5月30日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出三款GaN驱动器产品，分别是INS1001DE（单通道驱动器）、INS2001FQ（半桥驱动器）和INS2001W（半桥

化合物半导体市场 2024-06-04 668浏览
英诺赛科发布700VGaN合封系列新品

5月16日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。据英诺赛科介绍，该系列新品针对消费电子领域定制开发，具备超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手机、平板、笔记本快充应用。据介绍，该系列产品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具备自适应驱动电路、无损电流采样以及众多保护功能，还具备零反向恢复电荷、2MHz高开关频率、高达80

化合物半导体市场 2024-05-16 626浏览
英飞凌起诉英诺赛科

英飞凌科技股份有限公司发布消息表示，公司将通过其子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司对英诺赛科（珠海）科技有限公、英诺赛科美国公司及其关联公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。英飞凌透露，公司正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓（GaN）技术有关的美国专利寻求永久禁令。该专利权利要求涉及氮化镓功率半导体的核心方面，包括提高英飞凌专有氮化镓器件可靠性和性能的创新技术。该诉讼是在加利福尼亚州中区地方法院提

集成电路IC 2024-03-15 685浏览
英诺赛科拟赴港上市

3月5日，据《路透社》旗下IFR报道，英诺赛科正计划最早于今年内，在香港进行IPO，融资规模约3亿美元。source：英诺赛科消息还指出，英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。据悉，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业。而在过去的2023年里，英诺赛科可谓硕果累累。产品及技术方面，2023年英诺赛科基于8英寸硅基氮化镓的研

化合物半导体市场 2024-03-06 800浏览
英诺赛科2023年出货量超5亿颗

2024年已过去一个半月，第三代半导体领域相关厂商也相继公布了过去2023年的发展成果。2月7日，英诺赛科便公布了2023年在出货量、新品开发、技术研发、应用创新、市场开拓、品质保障等取得的成果，各方面表现有些看点。01硅基GaN芯片出货量超5亿颗从出货量来看，英诺赛科2023年前8个月出货量已突破3亿颗，结合全年总出货量可见下半年业务拓展保持积极向上的态势。目前，英诺赛科尚未透露业绩相关数据，按

化合物半导体市场 2024-02-18 870浏览
融资贷款13亿！英诺赛科正式启用全球研发中心

作为全球GaN赛道重量级选手，英诺赛科的一举一动自然都是行业关注的焦点。11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，未来将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。诚如英诺赛科（苏州）科技股份有限公司董事长骆薇薇所言，这并不是一栋普通的大楼，因为这栋研发大楼将承载多项GaN关键技术研究，大概率将成为国内GaN材料和器

化合物半导体市场 2023-11-21 768浏览
13亿！英诺赛科又宣布2件大事

插播：12月13-14日，英飞凌、意法半导体、罗姆、安森美、三安、烁科晶体、中科院物理所、普兴电子、飞锃半导体、安世半导体、华灿光电、百识电子、爱发科以及南方半导体等企业，将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。今天，英诺赛科又宣布2件大事：全球研发中心正式启用；获得13亿贷款，扩展8英寸氮化镓产线第二阶段产能。11月20日，英诺赛科宣布，正式启用全球研发中心。

第三代半导体风向 2023-11-20 1109浏览
英诺赛科发布全链路InnoGaN数据中心方案，损耗降低50%

10月8日，英诺赛科官方公众号发文称，数据中心采用全链路GaN设计方案，能够提高能源转换效率，将系统损耗降低50%。据悉，英诺赛科从前端PSU电源到主板DC/DC模块，以及芯片的直接供电方面，都提供了GaN方案。source:英诺赛科前端PSU电源方面，英诺赛科推出 2kW PSU参考设计，采用图腾柱无桥PFC+LLC结构，效率高达96.5%，体积仅为185*65*35(mm³)，完美符合 80

化合物半导体市场 2023-10-08 893浏览

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