英诺赛科 - 电子工程专辑

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ITC终裁英诺赛科；芯片补贴，拜登急了；ADI收购eFPGA公司

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！芯片圈ITC终裁英诺赛科11月8日，美国宜普电源转换公司（EPC）表示，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。美国国际贸易委员会决定禁止英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai)

电子工程世界 2024-11-11 330浏览
氮化镓市场专栏｜英诺赛科：与EPC的专利纠纷接近尾声【8月氮化镓市场信息汇总】

嗨，各位朋友总有人在后台问氮化镓的市场我们想着功率半导体得结合起来看产业变化才合理‍‍‍‍‍‍‍后续我们也会有新同事来更新氮化镓市场产业动态汇总‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍欢迎关注氮化镓市场的朋友和我们保持互动～‍‍‍‍完整PPT我们会更新在网盘链接会通过各位登记的邮件定期发送给大家‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍*免责声明：本文由作者原创。文章

碳化硅芯观察 2024-09-13 438浏览
机器人/光储/OBC加速导入GaN，英诺赛科等已领跑

“行家说三代半”近日汇整发现，GaN又有新的应用突破，在音频设备、光伏系统、电动汽车充电器和微型逆变器等领域显示出其在提升能效、减小体积和增强性能方面的潜力，详情请看：大恒能源：一体化光伏系统采用GaN8月8-10日，大恒能源在2024年广州光伏展上展出了其采用氮化镓技术的SolarUnit一体化光伏系统。据介绍，该系统利用了第三代氮化镓半导体的高效率特性，实现了能量密度的40%提升，并且将系统的

第三代半导体风向 2024-08-22 530浏览
英飞凌对英诺赛科发起337调查申请！

据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定于7月26日向美国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品侵犯了其专利，

芯极速 2024-08-01 524浏览
英飞凌对中国氮化镓芯片厂商英诺赛科发起337调查申请

点击上方蓝字关注我们据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的

每日LED 2024-07-31 741浏览
英诺赛科与EPC的专利纠纷接近尾声

近年来，第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN）领域的快速发展，吸引了全球科技巨头的关注与竞争。在这场技术革命中，中国领军企业英诺赛科与美国知名企业宜普（EPC）之间的专利纠纷成为业界焦点。7月5日，英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508专利的所有诉讼请求。根据判决裁定，英诺赛科对EPC的508专利（该专利涉及增强型GaN晶体管的形成方法）不存在侵权

化合物半导体市场 2024-07-10 513浏览
英诺赛科在ITC初步裁决中成功驳回EPC508专利的全部权利要求

2024年7月5日—英诺赛科，一家致力于打造高性能、高性价比硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率半导体解决方案的全球能源生态系统公司，在 ITC 的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508 专利的所有诉讼请求。判决裁定英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。这是英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）与EPC的争议中取得的巨大成功。根据 ITC 的初步裁定

CINNOResearch 2024-07-10 494浏览
科创丨英诺赛科冲刺IPO，苏州杀出235亿独角兽

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言：随着国内新能源汽车、风电、光伏等核心产业的蓬勃发展，氮化镓功率半导体行业正迎来前所未有的市场机遇。根据权威机构的精准预测，氮化镓功率半导体行业的市场规模预计将保持98.5%的复合年增长率持续扩张，预计从2024年的32.28亿元大幅攀升至2028年的501.42亿元。作者 | 方文三图片来源 | 网络氮化镓头部英诺赛科冲刺IPO英诺赛科

AI芯天下 2024-07-09 766浏览
美国或禁售英诺赛科···

2024 年 7 月 8 日，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）最新确认其两项关键专利有效，并且判定英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Tech

芯通社 2024-07-09 678浏览
英诺赛科正式交表港交所！GaN营收近6亿元

来源：东方网据港交所文件，6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司向港交所递交上市申请，联席保荐人为中金公司、招银国际。自成立以来，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。经过多年的研发深耕，英诺赛科已在氮化镓芯片设计领域积累了丰富的技术经验，拥有自主知识产权，形成了完整的技术体系。截至最后实际可行日期，公司在全球范围内已拥有约700项专利及专利申请，涵盖芯

CINNOResearch 2024-06-14 668浏览
英诺赛科港股IPO正式启动！

6月12日晚间，英诺赛科向港交所递交上市申请，联席保荐人为中金公司、招银国际。012023年营收增长335.2%自2019年10月，OPPO Reno Ace首次将氮化镓技术应用于充电器以来，基于氮化镓材料而研制的功率器件，凭借更高的电流密度、迁移率以及优秀的耐热性、导电性和散热性，在诸多应用领域持续开疆拓土。2023年，氮化镓的发展逐渐进入繁荣期。虽受限于技术水平，应用领域仍以消费电子为主，但其

化合物半导体市场 2024-06-13 745浏览
英诺赛科拟香港上市，GaN营收近6亿元

插播：6月14日，汇川联合动力、锦浪、英飞凌、芯联动力、三安、天岳、扬杰科技、蓉矽、普兴、合盛、晶亦精微、希科、丰田通商、大族、泰克、志橙及泽万丰等邀您参加上海SiC大会，详情请点击文末【阅读原文】。6月12日，据香港证券交易所公告，英诺赛科已正式递交上市申请，并公布IPO招股说明书（申请版），拟香港主板挂牌上市。“行家说三代半”发现，英诺赛科的招股书（申请版）主要透露了以下重点信息：● 募集资金

第三代半导体风向 2024-06-13 598浏览
英诺赛科、CGD推出多款GaN新品

近期，GaN产业热度持续上涨，技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等各类动态让人目不暇接，而在近日，英诺赛科、CGD两家厂商接连发布了多款GaN新品，在一定程度上显示了终端应用需求正在持续增长。英诺赛科发布三款GaN驱动器产品5月30日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出三款GaN驱动器产品，分别是INS1001DE（单通道驱动器）、INS2001FQ（半桥驱动器）和INS2001W（半桥

化合物半导体市场 2024-06-04 661浏览
英诺赛科发布700VGaN合封系列新品

5月16日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。据英诺赛科介绍，该系列新品针对消费电子领域定制开发，具备超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手机、平板、笔记本快充应用。据介绍，该系列产品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具备自适应驱动电路、无损电流采样以及众多保护功能，还具备零反向恢复电荷、2MHz高开关频率、高达80

化合物半导体市场 2024-05-16 617浏览
英飞凌起诉英诺赛科

英飞凌科技股份有限公司发布消息表示，公司将通过其子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司对英诺赛科（珠海）科技有限公、英诺赛科美国公司及其关联公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。英飞凌透露，公司正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓（GaN）技术有关的美国专利寻求永久禁令。该专利权利要求涉及氮化镓功率半导体的核心方面，包括提高英飞凌专有氮化镓器件可靠性和性能的创新技术。该诉讼是在加利福尼亚州中区地方法院提

集成电路IC 2024-03-15 675浏览
英诺赛科拟赴港上市

3月5日，据《路透社》旗下IFR报道，英诺赛科正计划最早于今年内，在香港进行IPO，融资规模约3亿美元。source：英诺赛科消息还指出，英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。据悉，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业。而在过去的2023年里，英诺赛科可谓硕果累累。产品及技术方面，2023年英诺赛科基于8英寸硅基氮化镓的研

化合物半导体市场 2024-03-06 795浏览
英诺赛科2023年出货量超5亿颗

2024年已过去一个半月，第三代半导体领域相关厂商也相继公布了过去2023年的发展成果。2月7日，英诺赛科便公布了2023年在出货量、新品开发、技术研发、应用创新、市场开拓、品质保障等取得的成果，各方面表现有些看点。01硅基GaN芯片出货量超5亿颗从出货量来看，英诺赛科2023年前8个月出货量已突破3亿颗，结合全年总出货量可见下半年业务拓展保持积极向上的态势。目前，英诺赛科尚未透露业绩相关数据，按

化合物半导体市场 2024-02-18 860浏览
融资贷款13亿！英诺赛科正式启用全球研发中心

作为全球GaN赛道重量级选手，英诺赛科的一举一动自然都是行业关注的焦点。11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，未来将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。诚如英诺赛科（苏州）科技股份有限公司董事长骆薇薇所言，这并不是一栋普通的大楼，因为这栋研发大楼将承载多项GaN关键技术研究，大概率将成为国内GaN材料和器

化合物半导体市场 2023-11-21 758浏览
13亿！英诺赛科又宣布2件大事

插播：12月13-14日，英飞凌、意法半导体、罗姆、安森美、三安、烁科晶体、中科院物理所、普兴电子、飞锃半导体、安世半导体、华灿光电、百识电子、爱发科以及南方半导体等企业，将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。今天，英诺赛科又宣布2件大事：全球研发中心正式启用；获得13亿贷款，扩展8英寸氮化镓产线第二阶段产能。11月20日，英诺赛科宣布，正式启用全球研发中心。

第三代半导体风向 2023-11-20 1092浏览
英诺赛科发布全链路InnoGaN数据中心方案，损耗降低50%

10月8日，英诺赛科官方公众号发文称，数据中心采用全链路GaN设计方案，能够提高能源转换效率，将系统损耗降低50%。据悉，英诺赛科从前端PSU电源到主板DC/DC模块，以及芯片的直接供电方面，都提供了GaN方案。source:英诺赛科前端PSU电源方面，英诺赛科推出 2kW PSU参考设计，采用图腾柱无桥PFC+LLC结构，效率高达96.5%，体积仅为185*65*35(mm³)，完美符合 80

化合物半导体市场 2023-10-08 865浏览
英诺赛科宣布GaN出货量突破3亿颗！

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文8月16日，英诺赛科官微宣布，截至2023年8月，其氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗。其产品在消费类（快充、手机、LED），汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付，帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。据了解，英诺赛科已基本形成全产品的生态链，产品覆盖15V-700V，分为晶圆、分立器件、合封

半导体前沿 2023-08-17 1251浏览
英诺赛科回应EPC起诉，与事实不符纯属臆想

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！近日，EPC宣布向ITC提起诉讼，认为英诺赛科侵犯了其四项专利。在本次所提交的起诉状中，EPC详述了总部位于中国广东的英诺赛科公司招募两名宜普公司员工并担任其首席技术官和销售及市场主管的相关细节。两人入职后不久，英诺赛科便推出了一套与EPC明显相同的产品，并自称其产品在关键性能指标上的表现与EPC产品几乎相同。近期，英诺赛科又宣称其许多产品与市场上现有产

电子工程世界 2023-05-30 1678浏览
氮化镓领域爆发专利纠纷！美商EPC起诉国产龙头英诺赛科

来源：电科技近日，美国氮化镓技术企业宜普公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC）向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）发起诉讼，声称中国英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称“英诺赛科”）侵犯了其四项氮化镓技术专利。宜普公司是氮化镓技术的先驱之一，于 20

CINNOResearch 2023-05-27 2750浏览
GaN上车，英诺赛科、Transphorm公布不同路线

预告汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会2023年5月25日丨上海世博洲际酒店报名咨询：许若冰微信hangjiashuo666相比SiC MOSFET，基于硅衬底的GaN器件具备显著价格优势，但是车规应用对GaN器件的要求非常高，目前鲜有企业实现“上车”。不过，新能源汽车的蓬勃发展，使得GaN器件企业正在加快车规级技术开发，最近，英诺赛科和Transphorm提供了他们的2条“上车”路线

第三代半导体风向 2023-05-10 1327浏览
GaN创下5个“第一”！英诺赛科还有哪些动作？

在氮化镓领域中，英诺赛科创下了多个“第一”：2017年11月，其自主研发的中国第一条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海通线投产；英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，其苏州8英寸硅基氮化镓工厂是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；2022年，GaN HEMT器件出货量率先突破1亿颗；在国内第一个将低压GaN器件应用在激光雷达中；全球首个将氮化镓植入手机内部，实

第三代半导体风向 2022-12-27 1310浏览

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确实是非常有价值的工具，京东买一个电源适配器用这玩意儿测电压然后发现电压不足有质量问题，然后赔钱给我，多买几个可以发财了哈。

james1982... 评论文章 2024-12-03

万用表使用大全（20条测量方法，建议收藏！）
zanzanzan

洪正安评论文章 2024-11-29

Allegro17.4常用系统参数的设置

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