英诺赛科 - 电子工程专辑

英诺赛科

意法半导体与英诺赛科联手推动GaN功率技术开发与制造

华为、蔚来、东风汽车、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛（4月10-12日浙江宁波），共同探索AI驱动下，金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用，欢迎扫码报名：欢迎报名交流

DT半导体材料 2025-04-01 54浏览
意法半导体与英诺赛科合作氮化镓！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓4月1日，意法半导体与英诺赛科宣布签署了一项协议，双方将在氮化镓晶圆制造上进行合作。根据协议，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组

中国半导体论坛 2025-04-01 169浏览
英诺赛科公布业绩：营收超8.2亿，车规GaN增长986%

插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。昨天（3月28日），英诺赛科公布了2024年的全年业绩公告，交出来了一份靓丽的“成绩单”。根据财报，英诺赛科2024年财务及业务呈现出多个亮点。首先是氮化镓产品收入持续快速增。财报显示，2024年年度，英诺赛科的总销售收入达到8.285亿元，同比202

第三代半导体风向 2025-03-29 394浏览
氮化镓IP之战，英诺赛科获胜

英诺赛科在与美国宜普公司（EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利。3月18日, 美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利（US’294 号专利）作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。图源：英诺赛科2023年5月，EPC在美国国际贸易委员会（ITC）对英诺赛科发起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’294号专利和其他三项美国专利（US’508、US’347、US’33

芯极速 2025-03-21 192浏览
GaN新技术！英诺赛科、纳微、英飞凌等放大招

插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近期，英诺赛科、纳微半导体、英飞凌等企业公布了单片集成、双向开关等氮化镓产品&平台，在产品成本、性能等方面实现了新的突破：英诺赛科：发布两款氮化镓新品2月，英诺赛科相继推出来两款氮化镓产品，分别适用于500W-4KW大功率电源和马达驱动、AI与48V电

第三代半导体风向 2025-03-20 954浏览
国内氮化镓龙头英诺赛科胜诉！

【DT半导体】获悉，3 月 19 日消息，美国 GaN 技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）于 2023 年向加州地区法院和 ITC 提起诉讼，声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利，并寻求禁售与侵权赔偿。今日，英诺赛科宣布其在与美国 EPC 发起的专利侵权案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18

DT半导体材料 2025-03-19 405浏览
EPC专利被判决无效，英诺赛科获ITC案件终极胜利

插播：英诺赛科、能华半导体、京东方华灿等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。3月19日，英诺赛科宣布其在与美国宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18 日，美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利

第三代半导体风向 2025-03-19 235浏览
GaN白皮书启动调研！英诺赛科、能华、京东方华灿等正式参编

插播：英诺赛科、能华半导体、京东方华灿等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。随着氮化镓在成本、良率和稳定性等方面实现了优化和改善，其成本已经逼近甚至低于传统硅基芯片，规模化应用指日可待。这一技术革新不仅推动产业链降本增效，更契合全球碳中和目标——GaN器件在提升能源转换效率、减少碳排放方面的潜力，使其成为绿色经

第三代半导体风向 2025-03-17 623浏览
氮化镓龙头—英诺赛科正式纳入港股通

【DT半导体】获悉，3月10日，国内氮化镓龙头企业英诺赛科正式纳入港股通，将吸引全球资金，有望进一步巩固氮化镓产业地位。港股通是内地投资港股的便捷通道，连接沪深与港交所股票市场。企业纳入港股通后，能吸引更多资金，提升知名度，并促进股票流动性。官方资料显示，英诺赛科是全球最大的氮化镓芯片制造企业，产品设计及性能处于国际先进水平。2024年12月30日，英诺赛科正式在香港联合交易所主板挂牌上市，此前该

DT半导体材料 2025-03-11 521浏览
【友商活动】三安/英诺赛科/方正微电子......FAB龙头携手亮相2025CSE

FAB晶圆厂作为半导体产业链的核心环节，其发展对于整个产业走向至关重要。中国作为全球最大的半导体消费市场，近年来在FAB晶圆厂建设方面取得了显著进展，逐渐形成了具有自身特色的产业格局，例如目前6英寸SiC衬底和外延产品已基本实现国产化，8英寸衬底开始小规模发货，多家企业更是相继公布12英寸样片。在GaN的生产制造上，我国也走在了世界前列。2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）面积将首

DT半导体材料 2025-03-10 662浏览
罗姆半导体换帅；消息称三星重新设计1bnmDRAM；英诺赛科起诉英飞凌专利侵权|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻罗姆半导体换帅我国量子精密测量取得重大突破，全球首套±800kV特高压直流量子电流传感器研制成功消息称三星重新设计1b nm DRAM中国台湾6.2级地震，台积电声明“各厂区已完成检查、确认结构安全逐步回线”英诺赛科起诉英飞凌专利侵权消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响HBM4消息称日产汽车考虑在制造部门裁员约6700人，行政部门裁员约230

TechSugar 2025-01-22 138浏览
科创丨苏州女博士带队，英诺赛科IPO市值300亿港元

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言：第三代半导体无疑构成了一个巨大的、具有前瞻性的竞技场。随着基于硅技术的发展逐渐接近其极限，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体正逐渐成为引领下一代信息技术革命的浪潮。作者 | 方文三图片来源 | 网络英诺赛科IPO市值300亿港元近日，氮化镓半导体研发企业英诺赛科成功在港股市场挂牌上市。在本次IPO过程中，英诺赛科的发行价格定于每股3

AI芯天下 2025-01-07 250浏览
韩国芯片出口飙升43.9%；Q1NANDFlash价格恐下滑；英诺赛科上市…一周芯闻汇总（12.30-01.05）

我是芯片超人花姐，入行20年，有40W+芯片行业粉丝。有很多不方便公开发公众号的，关于芯片买卖、关于资源链接等，我会分享在朋友圈。扫码加我本人微信👇一周大事件1. 工信部：1-11月份智能手机产量同比增长9.3% 集成电路产量同比增长23.1%2. 2024年韩国芯片出口飙升43.9% 创历史新高3. 机构：预计2025年Q1 NAND Flash价格将出现超10%下滑4. 花旗分析师：英

芯世相 2025-01-06 226浏览
市值超280亿！氮化镓龙头英诺赛科上市

北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，

DT半导体材料 2024-12-30 408浏览
市值超280亿！氮化镓龙头英诺赛科上市

12月30日，氮化镓半导体研发商英诺赛科顺利登陆港股市场。此次IPO，英诺赛科定价在招股区间（30.86港元至33.66港元）的下限30.86港元/股，发行4536.40万股新股，募资总额为13.99亿港元。上市首日，英诺赛科开盘价为31港元/股，截至上午10时50分，英诺赛科报32.15港元/股，涨4.18%，总市值超282亿港元。来源：雪球英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，

CINNOResearch 2024-12-30 483浏览
英诺赛科正式敲钟上市，国内GaN第一股诞生

12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票简称“英诺赛科”，股票代码02577.HK。当天，众多英诺赛科公司领导及员工共同敲响上市宝钟，一同见证这一里程碑性时刻。在敲钟仪式上，英诺赛科创始人、董事长骆薇薇博士表示：“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓晶片制造企业。此次在香港交易所的上市，是公司发展历程中的一个重要里程碑，标志着我们将

第三代半导体风向 2024-12-30 1279浏览
募资约15.3亿！英诺赛科上市在即

12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）正式启动公开招股，招股期间为2024年12月18日至12月23日，预期H股将于12月30日上市，中金公司及招银国际共同担任联席保荐人。英诺赛科已与基石投资者STMicroelectronics Limited（STHK，母公司为意法半导体）、江苏国有企业混合所有制改革基金、江苏苏州高端装备产业专项母基金及苏州东方创联投资管理有限公司

芯极速 2024-12-20 460浏览
募资约13.77亿！英诺赛科计划月底上市

12月18日，英诺赛科在官网公布了全球发售通告，计划全球发售4536.4万股H股，发售价区间为每股30.86港元至33.66港元，最高集资约15.3亿港元（约合人民币13.77亿），招股期间为2024年12月18日至12月23日，预计12月30日正式上市。英诺赛科透露，募资资金的所得款项净额将用于扩大产能、产品组合等用途，具体来看：60%资金将用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，从截至2024年6月30

第三代半导体风向 2024-12-18 568浏览
ITC终裁英诺赛科；芯片补贴，拜登急了；ADI收购eFPGA公司

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！芯片圈ITC终裁英诺赛科11月8日，美国宜普电源转换公司（EPC）表示，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。美国国际贸易委员会决定禁止英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai)

电子工程世界 2024-11-11 421浏览
氮化镓市场专栏｜英诺赛科：与EPC的专利纠纷接近尾声【8月氮化镓市场信息汇总】

嗨，各位朋友总有人在后台问氮化镓的市场我们想着功率半导体得结合起来看产业变化才合理‍‍‍‍‍‍‍后续我们也会有新同事来更新氮化镓市场产业动态汇总‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍欢迎关注氮化镓市场的朋友和我们保持互动～‍‍‍‍完整PPT我们会更新在网盘链接会通过各位登记的邮件定期发送给大家‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍*免责声明：本文由作者原创。文章

碳化硅芯观察 2024-09-13 507浏览
机器人/光储/OBC加速导入GaN，英诺赛科等已领跑

“行家说三代半”近日汇整发现，GaN又有新的应用突破，在音频设备、光伏系统、电动汽车充电器和微型逆变器等领域显示出其在提升能效、减小体积和增强性能方面的潜力，详情请看：大恒能源：一体化光伏系统采用GaN8月8-10日，大恒能源在2024年广州光伏展上展出了其采用氮化镓技术的SolarUnit一体化光伏系统。据介绍，该系统利用了第三代氮化镓半导体的高效率特性，实现了能量密度的40%提升，并且将系统的

第三代半导体风向 2024-08-22 608浏览
英飞凌对英诺赛科发起337调查申请！

据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定于7月26日向美国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品侵犯了其专利，

芯极速 2024-08-01 584浏览
英飞凌对中国氮化镓芯片厂商英诺赛科发起337调查申请

点击上方蓝字关注我们据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的

每日LED 2024-07-31 841浏览
英诺赛科与EPC的专利纠纷接近尾声

近年来，第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN）领域的快速发展，吸引了全球科技巨头的关注与竞争。在这场技术革命中，中国领军企业英诺赛科与美国知名企业宜普（EPC）之间的专利纠纷成为业界焦点。7月5日，英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508专利的所有诉讼请求。根据判决裁定，英诺赛科对EPC的508专利（该专利涉及增强型GaN晶体管的形成方法）不存在侵权

化合物半导体市场 2024-07-10 573浏览
英诺赛科在ITC初步裁决中成功驳回EPC508专利的全部权利要求

2024年7月5日—英诺赛科，一家致力于打造高性能、高性价比硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率半导体解决方案的全球能源生态系统公司，在 ITC 的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508 专利的所有诉讼请求。判决裁定英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。这是英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）与EPC的争议中取得的巨大成功。根据 ITC 的初步裁定

CINNOResearch 2024-07-10 559浏览

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感谢分享，让我学到了很多理论知识

笨小孩cj 评论文章 2025-04-03

天天挂在嘴边的级联噪声系数公式，是怎么推导来的？
AES11

用户17433... 评论文章 2025-03-31

欧阳明高最新百人会报告PPT（附下载）：《电动乘用车发展的新阶段、新挑战与新路径》

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