延续摩尔定律 - 电子工程专辑

延续摩尔定律

延续摩尔定律的CFET技术源自北京大学20年前提出的堆叠互补晶体管技术

延续摩尔定律的三维堆叠晶体管概念，其背后有北京大学的原创贡献。早在2000年前后北京大学就已经提出了三维堆叠互补晶体管(3D Stacked CMOS)的概念，并在2004年研发完成堆叠互补晶体管的雏形，发表了论文和申请了专利，只是概念太过超前，没有引起太多关注。当下摩尔定律放缓，堆叠晶体管概念重获关注，imec于2018年提出了堆叠互补晶体管的微缩版CFET，英特尔（Intel）和台积电（TSM

芯思想 2023-11-23 2329浏览
Chiplet新技术，延续摩尔定律

Chiplet 又称芯粒或者小芯片，它是将一类满足特定功能的 die（裸片），通过 die-to-die 内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起，形成一个系统芯片，以实现一种新形式的 IP 复用。目前，主流系统级单芯片（SoC）都是将多个负责不同类型计算任务的计算单元，通过光刻的形式制作到同一块晶圆上。下载链接：UCIe白皮书（终版）Chiplet：延续摩尔定律的新技术，芯片测试与先

智能计算芯世界 2022-10-18 1224浏览
IBM与东京电子宣布新突破以延续摩尔定律

3D芯片堆叠的潜力多大？IBM和日本半导体公司东京电子宣布在3D芯片堆叠方面取得新突破，成功实施了一种新工艺，用于生产用于3D芯片堆叠技术的300毫米硅芯片晶圆。芯片堆叠目前仅用于高端操作，如高带宽存储器的生产，具有扩大给定体积内晶体管数量的潜力。何为3D堆叠？与摩尔定律放缓的斗争仍在继续。3D芯片堆叠是业界最前沿的技术之一，多家公司都在努力将“每单位面积的晶体管”转变为“每单位体积的晶体管”。

DT半导体材料 2022-07-11 1105浏览
魏少军：微纳系统集成将延续摩尔定律

3月15日，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长、清华大学教授魏少军在2021 第十九届中国半导体封装测试技术与市场年会（CSPT 2021）上指出，中国半导体产业处于一个重要的转折点，之前中国的半导体产业是以加工为主要特征，无论是晶圆制造业，还是封测业，都是在为别人加工，甚至设计业也是在为别人加工，自身的产品很少。但是经过这些年的努力，特别是从2021年开始，整个产业正在从以往的以加工为主要

MEMS 2022-03-16 860浏览
创新高端纳米装备！延续摩尔定律！厦门韫茂亮相CarbonSemi2022

随着芯片尺寸不断缩小，这就要求器件和材料的尺寸不断减小，而器件的长宽比不断增大，减低了使用材料的厚度，使之至几个纳米数量级。特别是当芯片制造工艺水平进入5纳米节点以后，如何延续摩尔定律已成为半导体行业的一大难题。2007年底，美国Intel公司推出了基于45纳米节点技术的酷睿处理器，首次将ALD技术沉积的高介电常数材料（high-ĸ）和金属栅组合引入到集成电路芯片制造中，顺利将摩尔定律延续至当下最

DT半导体材料 2022-03-14 2445浏览
用2D半导体替代硅？科学家找到延续摩尔定律新方法

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！早在 1965 年，计算机科学家戈登 · 摩尔（Gordon Moore）首先提出假设：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过 18 个月便会增加一倍，同时计算机的运行速度和存储容量也翻一番。这就是半导体领域著名的摩尔定律。现在，一个指甲大小的芯片可以承载数百亿个晶体管，与此同时，可以塞进单个芯片的晶体管数量几乎达到了极限。为了让摩尔定律继续下去，你

电子工程世界 2021-12-21 902浏览
不可阻挡！台积电2nm工艺重大突破：延续摩尔定律朝着1nm挺进

如今5nm才刚刚起步，台积电的技术储备就已经紧张到了2nm，并朝着1nm迈进。根据最新报道，台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破，虽未披露细节，但是据此乐观预计，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年就能步入量产阶段。台积电2nm工艺重大突破

皇华电子元器件IC供应商 2020-11-18 865浏览
3D FPGA技术：延续摩尔定律的黑科技，下篇

点击蓝字关注我们目录 Intel 3D系统封装和EMIB技术 EMIB技术

SSDFans 2020-07-03 2245浏览
3D FPGA技术：延续摩尔定律的黑科技，上篇

点击蓝字关注我们目录写作背景前言 Xilinx 堆叠硅片互联SSI技术 - 产生背

SSDFans 2020-07-02 5138浏览

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