雪崩光电二极管 - 电子工程专辑

雪崩光电二极管

室温工作的2.75μm扩展短波红外雪崩光电二极管（APD）

能够探测1.7 μm至2.7 μm的扩展短波红外（eSWIR）光电探测器因其在遥感监测、激光雷达和自由空间通信等领域有着独特优势而备受关注。然而，如碲镉汞（HgCdTe）和InAs材料等传统红外探测器大多需要复杂的低温制冷来降低暗电流噪声，这些红外探测器受限于材料的光电特性，无法在室温下实现高性能探测。因此，开发一种能在室温或者200 K以上条件下高效工作的eSWIR探测器，成为该领域的重要课题。

MEMS 2024-12-31 215浏览
基于双微环谐振器的超高速全硅雪崩光电二极管芯片

为满足日益增长的数据流量需求，硅（Si）光子已成为一种前景广阔的超高速、低成本光互连技术。然而，利用硅光子技术实现高性能光电探测器需要集成更窄的带隙材料，这会导致更复杂的制造工艺、更高的成本和更低的良品率等问题。据麦姆斯咨询报道，为了应对这一挑战，近日，美国慧与（Hewlett Packard Enterprise）和密歇根大学（University of Michigan）的联合研究团队提出了一

MEMS 2024-08-17 700浏览
室温高灵敏度1550nm雪崩光电二极管探测器

在近红外（SWIR）波段，高灵敏度高速雪崩二极管倍广泛应用于光电通信以及激光雷达等应用中。可目前以铟镓砷雪崩击穿二极管（InGaAs APD）为主导的近红外雪崩光电二极管（APD）始终受限于传统倍增区材料，磷化铟（InP）和铟铝砷（InAlAs）的随机碰撞电离噪声，从而导致该器件灵敏度大幅降低。多年来国内外研究学者都在积极寻找与InGaAs、InP光电平台工艺兼容，同时拥有与体硅材料的超低碰撞电离

MEMS 2024-08-12 639浏览
雪崩光电二极管的创新技术，应对激光雷达的成本挑战

据麦姆斯咨询介绍，Phlux Technology的InGaAs技术可以使雪崩光电二极管（APD）在1550 nm波长下工作，灵敏度是传统APD的12倍，并且克服了905 nm激光器相关的许多挑战。假如没有传感器，自动驾驶汽车将无法感知周围环境及潜在危险。同样地，大量高级驾驶辅助系统（ADAS）也同样如此。某些ADAS功能（例如盲点检测和自适应巡航控制）需要探测不同的距离，这促使汽车工程师选择合适

MEMS 2024-07-19 631浏览
红外雪崩光电二极管（APD）的发展：从块体材料到二维材料

由于雪崩倍增效应在近红外（NIR）、短波红外（SWIR）、中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）波段范围内具有放大机制，因此可用于探测低功率光信号甚至于单个光子。用于远程军事及空间应用等领域的先进激光雷达（LiDAR）和武器系统必须能够在多种大气条件下（包括CO、CO2和H2O蒸汽等气体的吸收）探测、识别并跟踪各类目标，其中各类气体的吸收会导致光学系统中信号的显著衰减。据麦姆斯咨询报道，由来自

MEMS 2023-12-05 1510浏览
综述：半导体单光子雪崩光电二极管的封装发展

半导体单光子雪崩二极管可实现微弱信号的探测，在量子通讯、激光雷达和大气探测等领域具有重要应用。虽然半导体单光子雪崩二极管的性能主要取决于探测芯片设计、流片工艺和外围匹配电路的设计，但后续的封装技术对其探测性能也有重要的影响。半导体单光子雪崩二极管的封装主要实现对单光子探测芯片的保护、热管理、光路耦合和电路互连等功能。据麦姆斯咨询报道，近期，中国电子科技集团公司第四十三研究所微系统安徽省重点实验室的

MEMS 2023-06-16 1867浏览
碲镉汞雪崩光电二极管近年研究及应用进展

碲镉汞雪崩光电二极管因其具有高增益、高带宽、高量子效率、低噪声的优良性能，在主动/被动成像、激光雷达、波前传感和光子计数等低光子探测领域有着广阔的应用前景，国外研究机构在该领域采用不同的技术路线进行了深入研究。据麦姆斯咨询报道，近期，华北光电技术研究所胡易林等人在《激光与红外》期刊上发表了以“碲镉汞雪崩光电二极管近年研究及应用进展”为主题的综述文章。这项研究阐述了雪崩光电二极管（APD）原理及结构

MEMS 2022-06-28 1469浏览

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