外延生长 - 电子工程专辑

外延生长

俄亥俄州立大学MOCVD助力氧化镓外延生长新突破

美国俄亥俄州立大学（OSU）报道了利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）提高氧化镓（β-Ga2O3）外延生长速度的研究。研究小组特别研究了修改氧前驱体和使用离轴基底的效果。研究人员评论道 “这项工作的成果为垂直功率电子器件用高晶质 β-Ga2O3 薄膜的 MOCVD 开发提供了指导"。以 4.5μm/h 的速度生长的薄膜在 7x1015/cm3 的低载流子浓度下显示出高达 190cm2/V-s 的

DT半导体材料 2025-01-10 16浏览
化合积电携手厦大团队攻关单晶金刚石薄膜异质外延生长技术突破性进展

12月5-7日，由DT新材料主办的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024）将在上海新国际博览中心隆重举办。同期针对半导体与加工主题特设4大论坛，宽禁带半导体及创新应用论坛、超硬材料与超精密加工论坛、金刚石前沿应用与产业发展论坛、培育钻石论坛，已邀请国内外知名专家和企业莅临交流，欢迎报名。免费参会，欢迎扫码填写相关信息工作人员会与您联系！李蕊 13373875075近日，

DT半导体材料 2024-12-03 179浏览
单晶金刚石异质外延生长有限，该如何推动技术整合发展

金刚石被广泛提议用于未来的量子和电子技术。金刚石中的色心具有卓越的相干性和强大的自旋光子界面。这使得量子网络演示和量子传感应用，特别是核磁共振（NMR）光谱学、磁测量学和电测量学取得了最新进展。这些技术的进一步发展需要异质材料平台来扩展片上功能，包括非线性光子学、微流体学、声学、电子学、探测器和光源。此外，金刚石在电力电子学的一些应用中具有同类最佳的性能，这些技术同样可以从异质集成中获益。然而，由

DT半导体材料 2024-10-16 246浏览
金刚石同质外延生长技术该往何处发展？日本KanazawaUniversity摘取生长速率桂冠并给出答案

强共价键赋予金刚石卓越的特性，如更高的导热性、更高的电子/空穴迁移率以及比其他半导体更宽的禁带。这些特性使金刚石成为下一代功率器件、光电技术、量子技术和传感器的有力候选材料。然而，金刚石电子器件的实际应用仍面临挑战。关键问题包括控制微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）工艺，以实现大尺寸、光滑表面和所需的导电性。此外，像抛光和离子注入等传统半导体加工技术在处理金刚石时也需要进一步改进。本文介绍了K

DT半导体材料 2024-09-06 492浏览
首台联合研发国产化MOCVD成功投用，实现高质量GaN外延生长！

9月6日，在材料生长与装备平台的超净实验室里，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）科研人员经过三个多小时实验，采用与国内半导体设备厂家联合研发的首台国产MOCVD设备，首炉试生长成功产出了高质量GaN外延片。生长的GaN外延材料的测试结果：AFM表面Ra

MEMS 2023-09-14 1260浏览
技术干货|4H碳化硅的外延生长和3C-碳化硅在不同衬底上的异质外延生长

点击蓝字关注我们哈喽啊，好久没有给大家分享资料干货了，今天选用的文章来自于，Francesco La Via先生，他曾经任职于意大利国家研究委员会。本书的大致结构如下。在介绍了大面积衬底上 4H-SiC 外延生长的演变和历史之后，详细回顾和解释了外延工艺中氯化前驱体的引入，并展示了这种新工艺对器件特性的影响。外延工艺的改进与生长模拟的改进密切相关，这有助于研究人员了解不同参数对这一复杂工艺的影

碳化硅芯观察 2023-08-23 1232浏览
六方氮化硼外延生长研究进展

摘要二维超宽禁带半导体材料六方氮化硼（h-BN）具有绝缘性好、击穿场强高、热导率高，以及良好的稳定性等特点，且其原子级平整表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在，使其有潜力成为二维电子器件的衬底和栅介质材料。实现h-BN应用的关键在于生长高质量的h-BN单晶薄膜，本文详细介绍了在过渡金属衬底、绝缘介质衬底和半导体材料表面外延生长h-BN的方法及其研究进展。在具有催化活性的过渡金属衬底（铜、镍

DT半导体材料 2023-07-13 766浏览
【半导光电】GaN外延生长方法及生长模式

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！01GaN 异质衬底外延生长方法由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si衬底上实现高质量的外延生长GaN基材料。GaN材

今日光电 2023-06-10 1871浏览
取得突破！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长

据厦大物理消息，近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，其在高温、高压、高频领域表现出色。基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网等领域。当前主流的碳化硅单晶与外延生长还处于6英寸

半导体工艺与设备 2023-04-05 942浏览
取得突破！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长

据厦大物理消息，近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，其在高温、高压、高频领域表现出色。基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网等领域。当前主流的碳化硅单晶与外延生长还处于6英寸

半导体工艺与设备 2023-03-31 1005浏览
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长

来源：IT之家3 月 19 日消息，据厦门大学物理学系官方消息，近日，厦门大学成功实现了 8 英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。据介绍，作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，其在高温、高压、高频领域表现出色。基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电

CINNOResearch 2023-03-19 1033浏览
用于检测应用的4H-SiC的外延生长和表征

来源：芯TIP报告主题：用于检测应用的 4H-SiC 的外延生长和表征报告作者：Alessandro Meli报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）介绍-SiC物理特性-外延生长4H-SiC 应用-粒子检测表征-光致发光图-拉曼光谱-载流子寿命缺陷对载流子寿命的影响-不同类型SF缺陷的研究结论报告详细内容参考来源：Epitaxial growth and characterization

云脑智库 2022-08-13 918浏览
一文搞懂外延生长技术和MOVPE基础知识

来源：芯TIP报告主题：一文搞懂外延生长技术和MOVPE基础知识报告作者：Mattias Hammar报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）外延基础外延生长技术MOVPE基础知识和仪器设备应用示例（KTH）工艺开发报告详细内容报告主题：Epitaxial growth报告作者：Mattias HammarKTH Royal Institute of Technology

云脑智库 2022-07-09 1480浏览
南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心技术

集成电路摩尔定律是推动人类信息社会发展的源动力。当前，集成电路已经发展到5nm技术节点，继续维持晶体管尺寸微缩需要寻求材料的创新。近年来，以MoS2为代表的二维半导体在电子器件和集成电路等领域获得了迅速的发展，南京大学王欣然教授课题组在该领域长期积累，2021年在《Nature Nanotechnology》连续报道了大面积MoS2单晶制备以及MoS2驱动的超高分辨Micro-LED显示技术两个成

MEMS 2022-05-07 1202浏览
Yole ：后摩尔定律影响，2026年外延生长设备市场将达到11亿美元

本文由半导体产业纵横编译自Tech+ 半导体市场趋势研究公司 Yole Développement 预测，全球外延生长设备市场将从 2020 年的 6.9 亿美元增长到 2026 年的 11 亿美元。这些设备包括常规/微型LED、激光/光电探测器、射频器件、SiC/SiC/GaN功率器件、用于MEMS制造的MOCVD、MBE（金属束外延生长器件）和Si/SiC HTCVD。&

半导体产业纵横 2021-11-09 2275浏览

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一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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