外延片 - 电子工程专辑

外延片

产品|8英寸！Coherent（原II-VI）推出大尺寸SiC衬底、外延片

市场消息，Coherent Corp（原II-VI）今天宣布推出其8英寸碳化硅外延晶片（SiC 外延晶片）。目前公司可出货的产品为350μm和 500 μm的衬底和外延片产品。作为一家专注于 SiC 衬底和外延片的制造商，Coherent 将这些元素结合在一起，提供卓越的质量、性能和可靠性。8英寸 SiC 外延晶片采用尖端厚度和掺杂均匀性设计，树立了新的行业标准并支持生产卓越的 SiC 功率半导体

碳化硅芯观察 2024-09-27 611浏览
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！

氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。9月12日，据杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售

化合物半导体市场 2024-09-13 638浏览
半导体硅片，外延片，抛光片等产线汇总

硅片等生产线项目016 英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目项目名称6 英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目建设单位河北普兴电子科技股份有限公司建设性质改扩建投资总额35070.16 万元建设地点河北省石家庄市鹿泉区望山路 23 号项目主要设备碳化硅外延炉、多槽清洗机、抛光机、预清洗机等项目概况本项目拟利用公司现有 1#厂房，建筑面积约 4000m2，购置碳化硅外延设备及配套设备 116 台(套)

半导体工艺与设备 2024-08-26 577浏览
香港首条8英寸氮化镓外延片中试线启动

7月30日，据香港中通社消息，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司（以下简称麻省光子技术）联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线启动仪式。source：香港科技园仪式上，专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布，该公司计划于香港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于香港科技园微电子中心（MEC）开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计

化合物半导体市场 2024-07-31 560浏览
预计年底量产，韩企开发出8英寸1200VGaN外延片

据韩媒报道，Apro Semicon 24日宣布，公司已开发出8英寸1200V硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片，并预计今年年底大规模投产。报道称，继2021年引进对8英寸GaN的发展至关重要的MOCVD设备之后，Apro Semicon一直在推动GaN外延片的开发。经过约三年的研发，该公司成功开发出了8英寸1200V GaN外延片。据介绍，该产品的可承受的最高电压（击穿电压）为1600V，可

化合物半导体市场 2024-07-25 575浏览
电科材料GaN-on-Si外延片完成交付

第三代半导体氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性，在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点，是第三代半导体发展的重要方向。据中电材料官微消息，近日，电科材料下属国盛公司研发的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片完成客户交付。资料显示，国盛公司前身为中电科55所材料研究室外延组，一直致力于高性能半导

化合物半导体市场 2024-06-14 668浏览
这个GaN外延片生产扩建项目竣工验收

近日，据“独墅湖科创区发布”官微消息，晶湛半导体氮化镓（GaN）外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。source：晶湛半导体据悉，该项目占地面积16.5亩，总建筑面积2.2万平方米，总投资2.8亿元，预计年产6英寸GaN外延片12万片，8英寸GaN外延片12万片。据此前消息，2022年7月底，苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体GaN外延片年产新增10000片项目环境影响

化合物半导体市场 2024-03-07 602浏览
投资10.5亿！聚灿光电建设红黄光外延片、芯片项目

WitDisplay消息，3月6日，聚灿光电发布公告称，公司“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”原计划募集资金投入108,155.02万元，截至2023年12月31日，投入募集资金65.11万元，剩余募集资金108,089.91万元，为提高募集资金使用效率，公司拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金（共计80,000.00万元）用途，用于新项

WitDisplay 2024-03-06 776浏览
24万片！又一6英寸SiC外延片项目启动

2月26日，河北普兴电子科技股份有限公司（以下简称普兴电子）官网信息显示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示（以下简称公告）。公告显示，本项目总投资35070.16万元，利用公司1#厂房进行改扩建，建筑面积约4000平米，购置碳化硅（SiC）外延设备及配套设备116台（套）形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后，将实现年产24万片SiC

化合物半导体市场 2024-02-26 822浏览
募资35亿！SiC外延片龙头企业申请上市

第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文2023年12月29日，上海证券交易所审核受理了11家公司的IPO申请，其中包括SiC外延头部企业瀚天天成的IPO申请。瀚天天成为宽禁带半导体（第三代半导体）外延晶片提供商，主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售，产品用于制备碳化硅功率器件，被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。公司是国

半导体前沿 2024-01-05 759浏览
南京国盛第一枚GaNonSi外延片正式下线

12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。source：电科材料据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电力电子用GaN器件的需求。资料显示，国盛公司前身是信息产业部电子第五十五研究所电子材料产品部，专业从

化合物半导体市场 2023-12-25 734浏览
南京国盛首枚硅基氮化镓外延片正式下线！

第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。硅基氮化镓材料拥有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，同时整体具有更大的成本优势，具有极高的竞争力。国盛公司制备的硅基氮化镓外延片，可以满足电力电子用氮化镓器件的需

半导体前沿 2023-12-25 701浏览
中电材料子公司第一枚SiC外延片正式下线

12月13日，中电科半导体材料有限公司（下文简称“中电材料”）官微发文称，近日，中电材料下属国盛电子大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生，标志着中电材料SiC产业化建设迎来了新阶段。国盛电子表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客户提供验证样片工作正式启动，也意味着国盛电子已步入第三代半导体产业发展的快车道。据悉，国盛电子一直致力于高性能半导体外延材

化合物半导体市场 2023-12-14 710浏览
盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑）

国内主要SiC碳化硅衬底企业汇总1、山东天岳先进科技股份有限公司（688234）公司成立于 2010 年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。碳化硅半导体材料项目计划于 2026 年实现全面达产，对应 6 英寸导电型 SiC 衬底产能为 30 万片/年。公司已经实现6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品

DT半导体材料 2023-11-29 12711浏览
中欣晶圆发布12英寸半导体超厚膜外延片

由亚化咨询主办的第六届半导体大硅片论坛将于12月7-8日在上海召开，来自新昇、超硅、上海集成电路协会、KLA等公司的专家将带来精彩报告工业参观：半导体大硅片企业上海新昇半导体与上海超硅半导体，目前新昇名额已满据中欣晶圆官方微信公众号报道，在近日举办的第十二届“智汇丽水”人才科技峰会暨人才科技赋能半导体产业高峰论坛开幕式上，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司副总经理、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司负

半导体前沿 2023-11-20 1385浏览
投资近20亿！中电科外延片项目正式投产运行

由亚化咨询主办的第六届半导体大硅片论坛将于12月7-8日在上海召开。来自新昇、超硅、上海集成电路协会、KLA等公司的专家将带来精彩报告工业参观：半导体大硅片企业上海新昇半导体与上海超硅半导体，目前新昇名额已满据紫金山观察消息，11月10日，中电科南京外延材料产业基地宣布正式投产运行。据了解，中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地项目于2021年9月27日签约落户南京江宁开发区，位于江宁开发区

半导体前沿 2023-11-15 1183浏览
这家公司8吋SiC衬底、外延片将于明年送样！

据MoneyDJ新闻报道，嘉晶电子今年受半导体库存去化、消费性产品通胀、需求下滑等因素影响，公司今年前三季度营收下降近3成。但化合物半导体的部分，需求仍相当强劲。在产品推进上，嘉晶电子明年下半年将送样8吋SiC外延给客户认证，产能也会持续扩充，以跟上客户需求。在SiC外延产品部分，客户对6吋产品需求强，随着下半年产能逐步开出，嘉晶电子预估SiC外延将随之成长。按照嘉晶电子规划，SiC外延除了今年产

化合物半导体市场 2023-11-02 654浏览
中电化合物完成交付首批8吋SiC外延片

10月31日，中电化合物半导体有限公司（CECS）宣布成功向客户交付首批次8吋SiC外延片产品，这标志着中电化合物的外延产品迈上新台阶，可为行业提供更加先进的技术支持，从而推动碳化硅行业加速发展。据中电化合物介绍，相比6吋，8吋SiC外延片面积增加78%，能够较大幅度降低碳化硅器件成本，进而推动碳化硅材料降本增效。技术指标方面，8吋SiC外延片可以实现厚度均匀性≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致

化合物半导体市场 2023-11-02 882浏览
中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付

点击蓝字关注我们祝贺恰逢中电化合物成立四周年之际，公司迎来又一大喜讯顺利完成首批8吋SiC外延片的订单交付自2019年11月1日公司成立，中电化合物历时四年，不断实现从0到1的突破，自主研发、生产的6吋碳化硅晶锭、衬底片和外延片早已实现稳定量产。今年在8吋碳化硅产品的研发和生产上也获得了重大进展。今年2023年6月15日，中电化合物与韩国Power Master公司签署长期供应SiC材料的协议，

碳化硅芯观察 2023-11-02 726浏览
年产10万片衬底与25万片外延片！深圳这一碳化硅项目迎新进展

据深圳新闻网和中建二局消息，7月12日，深圳第三代半导体材料产业园项目建设迎来又一重大节点——高层办公楼顺利封顶，离全面完成６英寸碳化硅单晶和外延片生产线建设又进一大步。该项目位于深圳市宝安区石岩街道，总建筑面积约17.91万平方米。《深圳市第三代半导体产业链重点产业项目遴选方案》显示，该项目的建设单位为深圳市重投天科半导体有限公司。企查查显示，重投天科的前三大股东分别为：北京天科合达（持股45%

半导体前沿 2023-07-16 699浏览
【知识库】MOCVD外延片的生长及参数检测

l点击左下角"阅读原文"↙↙↙

Display之家 2023-05-25 817浏览
新突破！国产8英寸SiC外延片亮相！厦门大学成功实现8英寸SiC同质外延生长

最近，我国碳基半导体新材料不断突破！不久前，盛新材料成功产出了台湾省首片8英寸SiC衬底，现在，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构；同时标志着我国已掌握8英寸碳化硅外延生长的相关技术。厦门大学科研团队负责人表示，通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。外延层厚度

DT半导体材料 2023-03-17 1508浏览
新突破！国产8英寸SiC外延片亮相！

插播：5月30日，汽车与工业SiC大会将在上海举办👉（.点这里.）前两天，盛新材料成功产出了台湾省首片8英寸SiC衬底（.点这里.）；而今天，我国的SiC外延片也实现了8英寸的突破——厦门大学成功实现了8英寸 SiC 同质外延生长。厦门大学国产8吋SiC外延片亮相近日，据“第三代半导体产业“消息，厦门大学成功实现了8英寸碳化硅同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构；同时标志着我国已掌握

第三代半导体风向 2023-03-17 1599浏览
西安邮电大学成功制备8英寸高质量氧化镓外延片！

第四届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于4月26日在杭州召开湿法制程设备与技术论坛2023将于4月27-28日在杭州召开近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器

半导体前沿 2023-03-13 1555浏览
总投资10亿！百识电子三代半导体外延片二期落地扬州

据江都经济开发区消息，11月30日，百识电子二期项目签约仪式在扬州市江都区政府会议中心举行。百识电子项目由南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）投资建设，总投资10亿元，生产第三代半导体外延片，产品主要用于5G基站、电动车、雷达、快速充电器等。项目计划分两期建设，一期投资约6亿元，建成达产后产能为15万片。预计年开票销售8.5亿元。资料显示，百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及

半导体前沿 2022-12-03 3382浏览

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