锑化铟 - 电子工程专辑

锑化铟

综述：锑化铟单晶材料研究进展

锑化铟（InSb）材料因其特殊性质，因其不但具有极高的电子迁移率和极小的电子质量等特殊性质，是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。这些部件又被应用于天文观测、制导、气体探测等军事以及民用领域（如图1所示）。该材料现仍为应用最广泛的中波红外探测材料。图1 InSb材料在红外探测领域方面的应用据麦姆斯咨询报道，近期，中国电子科技集团公司第十一研究所的科研团队在《激光与红外》期刊上发表了以“锑化铟单晶

MEMS 2024-03-21 940浏览
锑化铟红外探测器的微透镜阵列设计及试验

填充因子是锑化铟红外探测器性能的一个重要限制因素。如图1所示，p型层的表面积与探测器总面积的比值为探测器的填充因子，台面结构间的距离实现了阵列p-n结间的光学和电学隔离，但限制了探测器的有效填充因子。为了降低功耗和整体成本，红外探测器向小像元方向发展，有效填充因子也随之进一步降低。减小台面的刻蚀深度和间距可以增大探测器的有效填充因子，但会使像元间的隔离变差，串音增大。台面型锑化铟红外焦平面探测器的

MEMS 2023-10-13 805浏览
锑化铟晶片高温加速贮存性能变化研究

锑化铟（InSb）中波红外探测器具有非常突出的技术优势，常被用于导弹制导、光电侦察、天文航天等领域。一般来说，锑化铟晶片在加工完成后可能会存放一段时间才用于制备探测器，所以其长期存放的性能稳定性是影响后续制备器件性能的关键。此外，锑化铟红外探测器在长期使用后可能会新增盲元，大大降低了探测器的性能。据麦姆斯咨询报道，近期，华北光电技术研究所的科研团队在《红外》期刊上发表了以“锑化铟晶片高温加速贮存性

MEMS 2023-09-17 724浏览
锑化铟红外探测器的三维电极成型技术

锑化铟的电极因三维特性易产生侧壁断裂问题，互联的铟柱会侵入电极内部，影响锑化铟芯片的可靠性。锑化铟红外探测器的电极常采用离子束沉积方法、热蒸发方法等进行制备。制备时采用剥离工艺，即锑化铟芯片除电极孔与部分钝化层外，其余部分均被光刻胶覆盖（见图1）；进行整片电极沉积后，通过湿化学处理将多余电极剥离去除。因为电极孔存在垂直坡度，电极与钝化层侧壁的接触覆盖尤为关键，电极侧壁的断裂会使互联的铟柱侵入电极内

MEMS 2023-08-09 810浏览
锑化铟晶体材料的发展及应用

本文内容转载自《人工晶体学报》2020年第12期，版权归《人工晶体学报》编辑部所有。本文内容不含参考文献，如有需要请参考原论文。柏伟，赵超，刘铭华北光电技术研究所摘要：锑化铟（InSb）晶体材料自发现伊始，基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性，成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来，由于其在红外探测领域的应用前景，更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视，技术发展迅速。目前，InSb晶体材

MEMS 2021-09-30 4135浏览

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