特性分析 - 电子工程专辑

特性分析

磷酸铁锂电池开路电压曲线特性分析

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！来源 | 锂电笔记开路电压（OCV）法是用来估算电池荷电状态SOC的主要方法之一，探索研究LFP电池的SOC-OCV曲线非常重要。目前研究集中于SOC-OCV曲线的精准化标定及部分影响因素探究，关于活性材料、容量衰减、掺硅、补锂等对OCV曲线的影响报道不多，且较少去解释磷酸铁锂/石墨电池OCV曲线在60%SOC 附近的电压阶跃原因以及曲线形状与磷酸铁锂、石墨的

锂电联盟会长 2023-10-17 9284浏览
安森美M11200VSiCMOSFET静态特性分析

点击蓝字关注我们SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部

安森美 2023-06-08 818浏览
精确的光伏I-V特性分析

光伏(PV)模块是普及和经济适用的可再生能源。大多数光伏模块的寿命约为20年，但是，热应力和湿度侵入等其他原因会导致光伏模块的输出功率随着时间的推移而下降。为了进行调试，可通过PV模块的电压-电流特性曲线的变化来测量其性能下降情况。由于PV模块的功率输出会随着温度发生很大的变化，因此需在其典型工作环境中测量其性能，这一点很重要。此类工作环境通常是阳光充足的户外区域，比如屋顶或未开发的空地，在这些地

亚德诺半导体 2023-05-21 1176浏览
锂离子电池放电过程瞬态生热特性分析

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！摘要：为探索纯电动汽车用锂离子电池在放电过程中的瞬态热特性，通过试验测试得到不同温度下的内阻和不同放电倍率下的温升曲线，计算出不同放电倍率下的瞬时生热率；根据 0.5C 放电倍率下的瞬时生热率和内阻生热率，求出熵热（可逆反应热）系数变化曲线，分析锂离子电池熵热特性对瞬态生热特性的影响。分析结果表明：锂离子电池的瞬态热特性主要受电池内阻热和熵热（可逆反应热

锂电联盟会长 2023-04-03 1796浏览
电动车磷酸铁锂电池衰减后开路电压特性分析

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！文章来源：清华大学汽车安全与节能国家重点实验室由于能源危机和环境问题，电动汽车的发展非常迅速，尤其是纯电动车。动力电池是电动车最关键的部件之一，电动车上使用的动力电池包括铅酸电池、氢镍电池、及锂离子电池等。由于锂离子电池比能量和比功率比较高，寿命长，无记忆效应等，因此锂离子电池成为电池的主流发展方向。锂离子电池中，磷酸铁锂电池由于安全性较好，价格低廉，环境友好

锂电联盟会长 2023-03-23 2035浏览
电动车磷酸铁锂电池衰减后开路电压特性分析

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！由于能源危机和环境问题，电动汽车的发展非常迅速，尤其是纯电动车。动力电池是电动车最关键的部件之一，电动车上使用的动力电池包括铅酸电池、氢镍电池、及锂离子电池等。由于锂离子电池比能量和比功率比较高，寿命长，无记忆效应等，因此锂离子电池成为电池的主流发展方向。锂离子电池中，磷酸铁锂电池由于安全性较好，价格低廉，环境友好，高温循环性能好等优点，广泛使用于目前的电动车

锂电联盟会长 2023-03-22 1530浏览
【世说设计】峰值电流模式BOOST变换器功率级小信号频域特性分析

前述文章，峰值电流模式控制BUCK电路功率级电路计算及仿真，其中讨论了BUCK变换器功率级小信号频域分析，BOOST变换器是基本DC/DC变换器中的另一种形式，它可以实现输入电压到输出电压的升压变换，具有比较广泛的应用，对BOOST变换器的控制是设计BOOST电路的核心部分，首先需要对功率级电路的小信号传递函数比较了解，才能进行控制环节的设计，本文通过详细计算BOOST变换器功率级的小信号传递函数

Excelpoint世健 2023-01-05 1778浏览
SiCMOSFET特性分析及应用

摘要碳化硅 MOSFET 因其材料的特殊性，适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅 MOSFET 的驱动电路，通过软件 PSpice 对碳化硅 MOSFET 以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究，并设计 RC 缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路，在 Buck电路中针对碳化硅 MOSFET 和 Si IGBT 在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅

半导体工艺与设备 2022-10-12 1112浏览
电子元器件知识|各种电阻的特性分析

点击上方“皇华电子元器件”关注我们电阻是描述导体导电性能的物理量，用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义，即R=U/I。所以，当导体两端的电压一定时，电阻愈大，通过的电流就愈小; 反之，电阻愈小，通过的电流就愈大。因此，电阻的大小可以用来衡量导体对电流阻碍作用的强弱，即导电性能的好坏。电阻的量值与导体的材料、形状、体积以及周围环境等因素有关。　　电阻的种类非常多，我们依据电

皇华电子元器件IC供应商 2022-04-24 1352浏览
面向SSD开发的NAND特性分析技术讲座（3/19日20:00-21:30)

点击蓝字关注我们Saniffer(www.saniffer.com) 公司已邀请意大利NplusT公司CEO， Tamas Kerekes于本周六晚进行1.5小时的最新技术的NAND特性测试和分析Webinar，本次的主题是：面向SSD开发的NAND特性分析。本次讲座也涉及ONFI 5.0，BGA154, 2.0GT/2.4GT等相关内容。该技术讲座对于从事NAND特性分析和LDPC算法优化的工程

SSDFans 2022-03-15 1653浏览
电感选型：几种重要的铁芯材料及特性分析、封装结构

摘要电感器是开关转换器中非常重要的元器件，如用于储能及功率滤波器。电感器的种类繁多，例如用于不同的应用（从低频到高频），或因铁芯材料不同而影响电感器的特性等等。用于开关转换器的电感器属于高频的磁性组件，然而因材料、工作条件（如电压与电流）、环境温度等种种因素，所呈现的特性和理论上差异很大。因此在电路设计时，除了电感值这个基本参数外，仍须考虑电感器的阻抗与交流电阻和频率的关系、铁芯损失及饱和电流特性

ittbank 2022-01-21 7010浏览
电感配置以及特性分析

关键要点:・电感要尽量配置在IC附近。・铜箔面积不可过大。・电感的正下方不可配置GND层。也要极力避免配置信号线。・电感引脚的布线不要太近。电感首先来稍微回顾一下布局相关的电感特性。当电流流过电感时会产生磁力线。当这种磁力线穿过导体（PCB的导体为铜箔）时，在这部分会产生电涡流。也就是说，如果电感的附近有导体，则可能因电涡流而引发问题。由于电涡流是在抵消磁力线的方向流动，因此会使电感值减小、Q值下

嵌入式ARM 2021-09-04 1125浏览
干货｜电感配置以及特性分析

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！关键要点:・电感要尽量配置在IC附近。・铜箔面积不可过大。・电感的正下方不可配置GND层。也要极力避免配置信号线。・电感引脚的布线不要太近。电感首先来稍微回顾一下布局相关的电感特性。当电流流过电感时会产生磁力线。当这种磁力线穿过导体（PCB的导体为铜箔）时，在这部分会产生电涡流。也就是说，如果电感的附近有导体，则可能因电涡流而引发问题

电子工程世界 2021-09-04 1040浏览
并联IGBT功率回路耦合特性分析

北京交通大学电气工程学院穆峰，刘宜鑫，贾静雯，郝欣，杨勇，黄先进欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 1105621549 高可靠新能源行业顶尖自媒体

电力电子技术与新能源 2021-02-09 2026浏览
并联IGBT功率回路耦合特性分析

本文作者北京交

英飞凌工业半导体 2021-01-15 1184浏览
SSDfans_NAND 特性分析技术分享

SSD Fans通过Saniffer(www.saniffer.com) 公司邀请意大利NplusT公司专家于本周六晚进行1.5小时的NAND特性分析知识分享线上活动，重点围绕针对SSD设计非常重要的NAND Flash的特性分析和测试，如何测试NAND在不同温度下的误码率（BER）分布曲线，这对于从事ECC/LDPC算法优化的工程师比较有帮助。感兴趣的朋友请提前通过公司邮箱注册报名，本次活动将提

SSDFans 2019-11-12 1702浏览

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