特基势垒二极管 - 电子工程专辑

特基势垒二极管

新品资料|宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管

SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。另外，还可前往官网查看产品新闻。产品特点01采用ROHM自有的封装形状，确保业界超宽的爬电距离咨询或购买产品扫描二维码填写

罗姆半导体集团 2024-12-18 22浏览
新品|支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款

罗姆半导体集团 2024-11-20 96浏览
R课堂|支持电子设备进一步降低功耗的第5代平面型肖特基势垒二极管

本文的关键要点・随着对节能减碳措施的要求提高，在各种电气和电子设备中，高效开关电源的应用日益广泛。・ROHM第5代平面肖特基势垒二极管的效率比上一代产品又提高了25%，有助于进一步提高开关电源的效率。为了实现碳中和，要求进一步降低功耗近年来，在世界各地严重的气象灾害频发。要弄清气象灾害与全球变暖之间的明确关系并非易事。然而，日益严重的气候变化导致未来暴雨和极端热浪的风险进一步增加，有观点指出，这些

罗姆半导体集团 2024-06-19 476浏览
罗姆RBQ系列新增满足高耐压需求的100V产品，小型低损耗，高温环境下稳定运行的肖特基势垒二极管！

“芯”品推荐 NEWS|Product▙▖❙▗❘▖▝▚▘⠷⠺⠴⠳ ROHM小型、低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步壮大！ ROHM的小型高效肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）RBR系列和RBQ系列在车载设备、工业设备和消费电子设备等众多应用领域都取得了骄人的应用业绩，最近，这两个系列又分别新增了12款产品，至此，两个系列的产品加在一起已达

智芯Player 2023-10-10 880浏览
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展

摘要: Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为 4.8 eV，临界击穿电场理论上可高达 8 MV/cm，Baliga 优值超过 3 000，因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga2O3是继 SiC和 GaN 之后制作高性能半导体器件的优选材料，近年来受到了广泛的关注。介绍了 Ga2O3材料的基本物理性质，分析了Ga2O3基肖特基势垒二极管 ( SBD) 的优势及存在的问题。重点从器件

DT半导体材料 2023-04-07 998浏览
Littelfuse能提供更高开关速度和更高效率的全新1700V碳化硅肖特基势垒二极管

LittelfuseLSIC2SD170Bxx新品推出碳化硅（SiC）二极管产品组合Littelfuse又有新品推出！本次介绍给大家的是碳化硅（SiC）二极管产品组合的最新成员：新增的1700V级产品。新产品具有极快的开关速度和极低损耗，非常适合数据中心、楼宇自动化和其他高功率电子应用。请先观看视频，先睹为快！关键技术参数和优势本次推出的LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极

力特奥维斯Littelfuse 2021-08-31 1662浏览
【世说芯品】Microchip推出最新一代汽车用700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）

汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。

Excelpoint世健 2020-11-16 1177浏览

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我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

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