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特基势垒二极管
新品|支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!~与普通产品相比,可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款
罗姆半导体集团
2024-11-20
79浏览
R课堂|支持电子设备进一步降低功耗的第5代平面型肖特基势垒二极管
本文的关键要点・随着对节能减碳措施的要求提高,在各种电气和电子设备中,高效开关电源的应用日益广泛。・ROHM第5代平面肖特基势垒二极管的效率比上一代产品又提高了25%,有助于进一步提高开关电源的效率。为了实现碳中和,要求进一步降低功耗近年来,在世界各地严重的气象灾害频发。要弄清气象灾害与全球变暖之间的明确关系并非易事。然而,日益严重的气候变化导致未来暴雨和极端热浪的风险进一步增加,有观点指出,这些
罗姆半导体集团
2024-06-19
460浏览
罗姆RBQ系列新增满足高耐压需求的100V产品,小型低损耗,高温环境下稳定运行的肖特基势垒二极管!
“芯”品推荐 NEWS|Product▙▖❙▗❘▖▝▚▘⠷⠺⠴⠳ ROHM小型、低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步壮大! ROHM的小型高效肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)RBR系列和RBQ系列在车载设备、工业设备和消费电子设备等众多应用领域都取得了骄人的应用业绩,最近,这两个系列又分别新增了12款产品,至此,两个系列的产品加在一起已达
智芯Player
2023-10-10
870浏览
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展
摘要: Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为 4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达 8 MV/cm,Baliga 优值超过 3 000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga2O3是继 SiC和 GaN 之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广泛的关注。介绍了 Ga2O3材料的基本物理性质,分析了Ga2O3基肖特基势垒二极管 ( SBD) 的优势及存在的问题。重点从器件
DT半导体材料
2023-04-07
955浏览
Littelfuse能提供更高开关速度和更高效率的全新1700V碳化硅肖特基势垒二极管
LittelfuseLSIC2SD170Bxx新品推出碳化硅(SiC)二极管产品组合Littelfuse又有新品推出!本次介绍给大家的是碳化硅(SiC)二极管产品组合的最新成员:新增的1700V级产品。新产品具有极快的开关速度和极低损耗,非常适合数据中心、楼宇自动化和其他高功率电子应用。请先观看视频,先睹为快!关键技术参数和优势 本次推出的LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极
力特奥维斯Littelfuse
2021-08-31
1655浏览
【世说芯品】Microchip推出最新一代汽车用700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)
汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。
Excelpoint世健
2020-11-16
1175浏览
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确实是非常有价值的工具,京东买一个电源适配器用这玩意儿测电压然后发现电压不足有质量问题,然后赔钱给我,多买几个可以发财了哈。
james1982...
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