碳化硅晶圆 - 电子工程专辑

碳化硅晶圆

超短脉冲激光辅助碳化硅晶圆切片

12月5-7日，由DT新材料主办的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024）将在上海新国际博览中心隆重举办。同期针对半导体与加工主题特设4大论坛，宽禁带半导体及创新应用论坛、超硬材料与超精密加工论坛、金刚石前沿应用与产业发展论坛、培育钻石论坛，已邀请国内外知名专家和企业莅临交流，欢迎报名。免费参会，扫码了解详情联系工作人员！李蕊 13373875075当今科技迅速发展，超

DT半导体材料 2024-11-21 113浏览
针对溶液法碳化硅晶圆，两家企业达成合作

10月9日，日本材料厂商OXIDE宣布，已与日本晶圆代工厂JS Fundry达成战略合作协议，双方将在溶液法碳化硅领域展开深入合作。OXIDE表示，近年来，为了实现高性能功率半导体，作为硅的下一代功率半导体材料，碳化硅、氮化镓、氧化镓等受到关注。OXIDE致力于溶液法碳化硅衬底的商业化。与以往的升华法相比，溶液法预计能够制造出缺陷更少、质量更高的碳化硅衬底。OXIDE强调，为了将溶液法碳化硅功率半

化合物半导体市场 2024-10-09 347浏览
安森美今年底完成200mm碳化硅晶圆认证，明年投产

安森美(Onsemi)计划在今年晚些时候对200mm(8英寸)碳化硅(SiC)晶圆进行认证，并于2025年投入生产。与此同时，安森美的第二季度收入为17.35亿美元，比今年第一季度下降1.3亿美元，比去年第二季度下降2.65亿美元，预计到年底将持平。“我们仍在按计划完成今年认证8英寸的任务，我所说的认证，是指从基底到晶圆制造厂的整个过程。因此，这将在今年完成认证，明年的收入将符合我们的预期，”安森

皇华电子元器件IC供应商 2024-08-07 623浏览
美国碳化硅晶圆激光加工企业获8000万美元融资

7月15日，碳化硅激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，公司在超额认购的B轮融资中筹集了高达8000万美元（折合人民币约5.81亿元）的资金。本轮融资由美国创新技术基金（USIT）牵头，8VC、SAIC跟投。该笔资金将帮助Halo Industries扩大其技术的商业化和覆盖范围，并推进其建立碳化硅衬底生产新标准。source：拍信网据介绍，Halo Industries专有的

化合物半导体市场 2024-07-16 434浏览
130um！全球最薄碳化硅晶圆片问世

江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司，下文简称“通用半导体”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片。8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备（source：通用半导体）资料显示，通用半导体成立于2019年，致力于高端半导体产业装备与材料的研发和制造。在融资方面，通用半导体在2021年8月和2023年8月

化合物半导体市场 2024-07-12 701浏览
半导体动态：苹果推迟电动汽车计划；英飞凌和 Wolfspeed 扩大碳化硅晶圆长期供应协议

联电和英特尔将合作开发 12 纳米半导体工艺平台，以应对移动、通信基础设施和网络等高增长市场。据彭博社报道，苹果公司推迟了其期待已久的电动汽车的上市日期，并将自动驾驶功能缩减至 L2 驾驶辅助功能。该公司自 2014 年起就开始研发这款汽车，代号为 "泰坦计划"（Project Titan）。苹果并不是唯一一家想在汽车领域分一杯羹的消费电子公司。中国的小米公司上个月推出了其首款豪华汽车。谷

半导体产业杂谈 2024-01-27 1152浏览
国产碳化硅晶圆激光垂直剥离技术方案提供商获融资

点击蓝字关注我们近日晶飞半导体完成数千万天使轮融资，由无限基金SEE Fund领投，德联资本和中科神光跟投。本轮融资主要用于技术研发、市场拓展以及团队建设。晶飞半导体专注于激光垂直剥离技术研究，旨在实现对第三代半导体材料的精准剥离，以有效降低碳化硅衬底的生产成本。相较于传统金刚线切割工艺，激光垂直剥离技术可完成高效、精准的材料剥离，同时减少了碳化硅晶圆的损伤，从而解决了加工速度低、损耗大、成本高

碳化硅芯观察 2023-11-27 928浏览
第三代半导体材料——碳化硅晶圆，2024国产或将占据全球50%份额！

根据《科创板日报》10月24日消息，芯片大厂三安光电宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，产品进入小批量生产及送样阶段。消息一公布很快得到市场的反馈，10月25日三安光电股票马上跳涨1.94%。之所以大涨在于涉及一个关键因素——碳化硅！熟悉半导体产业的，知道碳化硅被称为“第三代半导体材料”，也是最近几年半导体产业异常火热的一个小风口。今天就和大家一起详细探讨一下碳化硅。一、为什么碳化

深圳飙叔 2023-10-29 572浏览
碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术

碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用了高

半导体工艺与设备 2023-08-16 974浏览
碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术

碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用了高

半导体工艺与设备 2023-08-08 1436浏览
【光电集成】碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬

今日光电 2023-08-04 704浏览
住友电工：将生产节能碳化硅晶圆，可将电动汽车行驶里程延长10%

据外媒报道，日本汽车供应商住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric Industries Ltd.）将开始生产用于下一代半导体的节能碳化硅晶圆。该产品预计可将电动汽车的行驶里程增加约10%。为了促进生产，住友电工计划投资约300亿日元（2.14亿美元）在富山县建设新工厂，计划于2027年开始大规模生产碳化硅晶圆。此外，这笔资金还将用于扩大位于兵库县的现有工厂的产能。与传统硅基半导体

线束世界 2023-08-03 675浏览
住友电工：将生产节能碳化硅晶圆可将电动汽车行驶里程延长10%

据外媒报道，日本汽车供应商住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric Industries Ltd.）将开始生产用于下一代半导体的节能碳化硅晶圆。该产品预计可将电动汽车的行驶里程增加约10%。图片来源：住友电工为了促进生产，住友电工计划投资约300亿日元（2.14亿美元）在富山县建设新工厂，计划于2027年开始大规模生产碳化硅晶圆。此外，这笔资金还将用于扩大位于兵库县的现有工厂的产能

线束中国 2023-08-02 666浏览
又一碳化硅晶圆芯片生产线进入量产阶段！

6月17日，广东芯粤能半导体有限公司董事长肖国伟表示，芯粤能碳化硅晶圆芯片生产线顺利进入量产阶段，包括1200V、16毫欧/35毫欧等一系列车规级和工控级碳化硅芯片产品，各方面测试数据良好，陆续交付多家主机厂和客户送样验证。他表示，目前已签约COT客户10余家，并即将完成4家客户规格产品量产。今年年底前完成月产1万片6英寸碳化硅晶圆芯片的产能建设。2021年，芯粤能项目落户南沙，总投资75亿元，分

集成电路IC 2023-06-19 2131浏览
三安光电携手意法半导体在重庆设厂生产8英寸碳化硅晶圆

6月7日，三安光电与意法半导体联合宣布，双方已签署协议，拟在中国重庆共同新建一个8英寸碳化硅（SiC）器件合资制造工厂。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。据了解，该合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股49%。项目预计投资总额达32亿美元，计划于2025年

MEMS 2023-06-08 1146浏览
投资10亿！扬杰科技拟建6英寸碳化硅晶圆产线

由瑞士万通黄金赞助的第四届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于4月26日在杭州召开湿电子化学品与电子气体论坛现向晶圆及面板制造企业开放免费名额4月20日，扬杰科技发布关于签署6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同的公告。据披露，因扬杰科技战略发展需要，公司于2023年4月18日与扬州市邗江区人民政府签署了《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，公司拟在扬州市邗江区人民政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线

半导体前沿 2023-04-21 1874浏览
恭喜！6寸碳化硅晶圆等项目签约

免责声明：内容如有侵权，请联系本部删除！（手机微信同号15800497114）昨天下午，江阴市霞客基金正式启动暨集成电路产业项目集中签约仪式在北京举行。无锡市委常委、江阴市委书记许峰出席活动并致辞。霞客资本创始合伙人、江阴霞客私募基金管理有限公司董事长朱寒松，霞客资本创始合伙人、江阴霞客私募基金管理有限公司总经理马源，霞客资本创始合伙人、联和存储科技（江苏）有限公司董事长高伟，北京昕感科技有限责任

今日半导体 2022-07-01 1199浏览
干货分享|碳化硅晶圆划片技术

碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，由于其加工难度大，一直未能得到大规模推广应用。✦碳化硅材料的加工难度体现在：(1)硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6；(2)化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应；(3) 加工设备

半导体工艺与设备 2022-01-19 1776浏览
8英寸碳化硅晶圆，这么难的吗？

*免责声明：转载仅为了传达一种不同的观点，不代表今日半导体对该观点赞同或支持，内容如有侵权，请联系本部删除！手机微信同15800497114。碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳

今日半导体 2022-01-10 2889浏览
好消息！年产15万片碳化硅晶圆片竣工！

*免责声明：转载仅为了传达一种不同的观点，不代表今日半导体对该观点赞同或支持，内容如有侵权，请联系本部删除！手机微信同15800497114。铜陵经济技术开发区消息，11月27日，安徽微芯长江半导体材料有限公司举行年产15万片碳化硅晶圆片项目建筑工程竣工庆典仪式。日本磁性技术控股股份有限公司代表取缔役社长、Ferrotec（中国）集团董事局主席、安徽微芯长江半导体材料有限公司董事长贺贤汉，经开区党

今日半导体 2021-11-29 1192浏览
干货分享 | 碳化硅晶圆划片技术

碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，由于其加工难度大，一直未能得到大规模推广应用。✦碳化硅材料的加工难度体现在：(1)硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6；(2)化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应；(3) 加工设备

DT半导体材料 2021-10-11 2115浏览
碳化硅晶圆划片技术

来源 | in semi智库 | 云脑智库(CloudBrain-TT)云圈 | 进“云脑智库微信群”,请加微信:15881101905,备注研究方向碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，

云脑智库 2021-09-23 880浏览
解读！碳化硅晶圆划片技术

碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键材料，由于其加工难度大，一直未能得到大规模推广应用。碳化硅材料的加工难度体现在：(1)硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6；(2)化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应；(3)

半导体工艺与设备 2021-09-16 1386浏览
意法半导体造出世界首批8吋碳化硅晶圆

意法半导体（ST）11 日宣布，瑞典Norrköping 工厂制造出首批8 吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圆；将SiC 晶圆升级到8 吋代表ST 对汽车和工业客户的扩产计划获得阶段性成功，且提升功率电子芯片轻量化和能效，并降低客户获取产品成本。意法半导体汽车和离散元件产品部总裁Marco Monti表示，汽车和工业市场正在加速推动系统和产品电气化的进程，升级到8 吋SiC 晶圆将为ST 的汽车

EETOP 2021-08-12 1432浏览
8英寸碳化硅晶圆，这么难的吗？

第三代半导体也称为宽禁带半导体，不同于传统的半导体主要赖硅晶圆，它在材料层面上实现了更新。而与第一代、第二代半导体并非替代关系，而是形成互补，三者特性各异、用途不同。具体来看，第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料;第二代半导体包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。第三代半导体材料主要是以碳化硅(S

TechSugar 2021-08-04 2165浏览

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