碳化硅衬底 - 电子工程专辑

碳化硅衬底

全球首发12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅衬底

2024年12月26日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。烁科晶体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，开拓碳化硅材料更广阔的应用场景。先后攻克了大尺寸扩径工艺、高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺。全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制，将加速碳化

DT半导体材料 2024-12-31 179浏览
合盛新材料：8英寸碳化硅衬底及外延核心质量指标的控制

12月11-12日，行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开，合盛新材料已正式确认出席本次大会。届时，合盛新材料副总经理兼外延技术部部长周勋将出席，并带来《8英寸碳化硅衬底及外延核心质量指标的控制》的主题报告。值得关注的是，今年8月，合盛新材料宣布其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。据了解，其8英寸导电型4H-SiC衬底在多项关键性能指标上

第三代半导体风向 2024-12-07 78浏览
突破硬度瓶颈：碳化硅衬底加工的核心技术与未来趋势

作为半导体行业的重要衬底材料，碳化硅单晶凭借其卓越的热、电性能，在高温、高频、大功率以及抗辐射的集成电子器件领域展现出广泛的应用潜力。碳化硅衬底的加工精度对器件的性能起到关键性作用，因此在外延应用中对其表面质量的要求格外严格。由于碳化硅硬度高、易碎且化学稳定性强，传统加工手段往往难以满足这些要求，导致高质量碳化硅晶片的加工效率较低。碳化硅单晶的加工主要包括切片、薄化和抛光等步骤。全球范围内，碳化硅

DT半导体材料 2024-10-25 399浏览
中国碳化硅衬底价格暴跌，低至每片400美元！

自2024年初以来，6英寸碳化硅（SiC）衬底价格持续下跌，行业从供应短缺迅速转向供过于求，预计未来价格将进一步下降。随着中国SiC衬底制造商加速扩产，供需失衡问题加剧。业内人士预计，行业整合潮将提前到来，最快或在2025年中期开始。消息人士指出，2024年中期，6英寸SiC衬底价格已跌至500美元以下，接近中国制造商的生产成本线。然而，到第四季度，价格将进一步跌至450美元甚至400美元，给大部

飙叔科技洞察 2024-10-16 653浏览
15万片，国内又一个碳化硅衬底项目已投产

‍10月11日，据“东方财富网”消息，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司（以下简称：博蓝特半导体）旗下年产15万片第三代半导体碳化硅衬底产业化项目已投入生产。根据报道，博蓝特半导体新投入运行的车间自动化程度较高，产品通过循环多次检测，能够确保性能和良率。报道称，博蓝特半导体出厂的芯片性能、良率达到了国际先进水平，国际主流碳化硅公司研发的产品均可以在该公司的平台量产。根据“金开发布”官微此前发布的消息

化合物半导体市场 2024-10-14 520浏览
宇晶股份：碳化硅衬底切、磨、抛设备已实现批量销售

10月10日，湖南宇晶机器股份有限公司（以下简称：宇晶股份）参加投资者调研活动，对其业务进展情况进行了介绍，其中包括碳化硅相关业务。宇晶股份表示，其应用于半导体行业的产品主要为研磨抛光机和多线切割机系列产品，其中，应用于碳化硅衬底材料加工的高精密数控切、磨、抛设备已实现批量销售，使其成为碳化硅衬底加工设备的主要供应商之一。宇晶股份称，其8英寸碳化硅材料的多线切割机和双面抛光机等超精密切磨抛设备已达

化合物半导体市场 2024-10-11 349浏览
科友半导体：已实现8英寸碳化硅衬底批量制备

9月30日，据科友半导体官微消息，科友半导体在今年9月成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备，通过优化电阻炉温场、引入缓冲层优化长晶工艺、优化原料区域温度分布，发挥了电阻加热式PVT法碳化硅单晶稳定生长的优势。检测表明，科友半导体8英寸碳化硅衬底产品总腐蚀坑密度控制在2000个cm-2左右，TSD与BPD位错缺陷密度得到有效降低，占同期产出衬底的比例在八成以上。官微资料显示，科友半导体成立于20

化合物半导体市场 2024-09-30 469浏览
碳化硅衬底及材料相关项目落地浙江

据望潮客户端消息，9月25日，在第三届全球数字贸易博览会重大项目签约仪式上，台州市有4个项目签约，分别为碳化硅原材料及碳化硅衬底项目、AI数据研发总部及算力中心项目、年产130万套智能硬件终端设备制造项目、年产260万吨化学品及新材料一体化项目。其中，碳化硅原材料及碳化硅衬底项目签约方为特凯斯新材料有限公司（下文简称“特凯斯”）。公开资料显示，特凯斯成立于2024年5月，是一家由海外留学归国人员创

化合物半导体市场 2024-09-27 589浏览
又一个！重庆三安国产8英寸碳化硅衬底项目厂线点亮！

据财联社报道，三安光电证券部人士透露，主要生产8英寸碳化硅衬底的重庆三安项目已实现衬底厂的点亮通线。2023年6月，三安光电和意法半导体同时官宣在重庆合资建厂，进行8英寸碳化硅（SiC）芯片大规模量产计划，是去年半导体领域最吸引眼球的跨国合资项目之一。意法半导体是全球半导体龙头企业，三安光电拥有强大的化合物半导体代工能力，项目预计投资总额达32亿美元（约合人民币228亿元），预计营收将达139亿元

飙叔科技洞察 2024-09-19 1108浏览
这一碳化硅衬底及外延厂奠基！

今（13）日，Resonac（原昭和电工）宣布，在日本山形县东根市，公司用来生产功率半导体用碳化硅（SiC）衬底及外延的新大楼，已开始动工。奠基仪式于9月12日举行。据介绍，该SiC晶圆厂建筑面积约为5832平方米，预计竣工时间为2025年第三季度。source：Resonac此前有报道称，Resonac将投资约300亿日元（折合人民币约15亿元）扩产碳化硅产能，并在山形县工厂增设SiC衬底产线，

化合物半导体市场 2024-09-13 576浏览
37.1万片！天科合达扩产6/8英寸碳化硅衬底

8月13日，北京市生态环境局公示了天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（以下简称“二期项目”）环评审批。文件指出，随着北京天科合达创新能力、市场占有率的不断提升，行业内影响力不断增强，计划扩大生产规模，拟在现有厂区西侧地块建设二期项目。二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m2，总建筑面积105913.29

化合物半导体市场 2024-08-16 1055浏览
拟募资3亿，天岳先进将提升8英寸碳化硅衬底制备水平

7月8日晚间，天岳先进发布公告称，其拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。定增预案显示，本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制、SiC单晶微缺陷控制、导电型SiC电阻率控制等。公告显示，天岳先进本次募资的3亿元主要投向建筑工程及安装工程费用及设备购置费。项目建设周

化合物半导体市场 2024-07-09 564浏览
30亿元！南京晶圆厂通线！碳化硅衬底大项目落户浙江安吉，年产1600顿！

耗时21个月，南京桑德斯晶圆厂通线 6月28日，桑德斯微电子（SMC Diode Solutions）全资子公司——鸿瑞绅半导体位于南京的晶圆工厂正式通线，该工厂后续将生产硅晶圆。据介绍，新工厂从2022年9月破土动工，耗时21个月实现通线，将于2024年第四季度开始向客户出货大功率和高压整流器。新工厂占地300000平方英尺（约2.8万平米），可使SMC的总产量增加4倍以上

飙叔科技洞察 2024-07-04 1216浏览
成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术

据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。由于利用液相法制备SiC衬底较为

化合物半导体市场 2024-06-29 618浏览
单片成本降低70%！厚度突破80mm！碳化硅衬底新突破！

5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，该企业自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来可降低70%。哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司技术总监张胜涛告诉记者，物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶

半导体工艺与设备 2024-06-09 782浏览
碳化硅衬底价格战真的来了？

近来市场上不断传来碳化硅衬底降价的消息。那么，真实的碳化硅衬底市场行情究竟如何？碳化硅设备企业串联着行业的上、中、下游，既制约着碳化硅的技术及产能发展水平，又受碳化硅市场冷暖的影响。因此，本文透过碳化硅设备企业，浅谈碳化硅衬底乃至整个碳化硅市场当下的行情。衬底价格战已打响？多数产业链企业认同了碳化硅衬底价格下降的事实。环球晶圆董事长徐秀兰近期公开表示，全球6英寸碳化硅衬底的产能释放，再加上电动汽车

化合物半导体市场 2024-05-29 638浏览
罗姆旗下SiCrystal与意法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应

4月22日，罗姆(ROHM)和意法半导体宣布，将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm(6英寸)碳化硅(SiC)衬底晶圆多年长期供货协议基础上，继续扩大合作。意法半导体中国消息显示，根据新签署的长期供货协议，SiCrystal公司将对意法半导体加大德国纽伦堡产的碳化硅衬底晶圆供应力度，预计协议总价不低于2.3亿美元。意法半导体执行副总裁、首席采购官 Geoff West

皇华电子元器件IC供应商 2024-04-23 930浏览
中国碳化硅衬底价格快速滑落：800V有望普及

芝能智芯出品中国碳化硅（SiC）衬底价格在2024年出现迅速下降的趋势，与世界其他地区相比，中国的价格下跌较为显著，主要是因为国内供应商之间激烈的竞争，导致多年来一直保持稳定的碳化硅衬底价格的下调。在全球市场，碳化硅衬底的价格仍然保持稳定，国际供应商针对主流产品6英寸碳化硅衬底的报价仍维持在750~800美元之间。与此相比，中国制造商之前的价格通常低5%，但最近的价格差异已扩大至30%左右。Par

汽车电子设计 2024-03-14 704浏览
晶盛机电：年产30万片碳化硅衬底项目已量产销售

由瑞士万通、聚氟兴黄金赞助的第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文来自SEMI中国、华润微、广钢气体、默克化学、联仕新材料、华特气体、金宏气体、江阴润玛等企业的专家将发表相关主题的演讲近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8

半导体前沿 2024-03-09 962浏览
节后碳化硅衬底掀价格战？产业链上市公司回应来了

节后，有市场消息称，国内主流6寸碳化硅（SiC）衬底报价参照国际市场每片750-800美元的价格，快速下杀，价格跌幅直逼三成。甚至有供应链从业者表示，由于国内SiC长晶、衬底参与者众多，在一线厂率先掀起降价模式的情况下，恐将迫使二、三线厂商被动跟进，碳化硅衬底价格战开启。对于一线SiC厂商掀起“价格战”、SiC衬底降价近三成等说法，业内持有不同观点。某大型券商机构电子首席分析师对《科创板日报》记者

DT半导体材料 2024-02-23 577浏览
节后碳化硅衬底掀价格战？产业链上市公司回应来了

三安光电表示，从行业长期发展趋势来看，伴随SiC衬底研发技术的优化及生产成本的降低，整个碳化硅供应链公司都将通过调整价格手段，提高下游应用市场渗透率。对于碳化硅头部碳化硅上游厂商来说，稳定的产品性能以及批量供应能力，才是立足市场的根本。作者 | 吴旭光节后，有市场消息称，国内主流6寸碳化硅（SiC）衬底报价参照国际市场每片750-800美元的价格，快速下杀，价格跌幅直逼三成。甚至有供应链从业者表示

科创板日报 2024-02-22 601浏览
【光电集成】碳化硅衬底降本关键：晶体制备技术

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----在碳化硅产业链中，衬底部分占据主要价值份额，其在碳化硅器件总成本中的比重可达近50%。相较而言，在硅基半导体器件的成本结构中，硅片衬底的占比通常不超过10%。这一显著差异的根本原因在于碳化硅单晶材料制备的复杂性。不同于硅，碳

今日光电 2024-02-21 770浏览
【光电集成】碳化硅衬底降本关键：晶体制备技术

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----在碳化硅产业链中，衬底部分占据主要价值份额，其在碳化硅器件总成本中的比重可达近50%。相较而言，在硅基半导体器件的成本结构中，硅片衬底的占比通常不超过10%。这一显著差异的根本原因在于碳化硅单晶材料制备的复杂性。不同于硅，碳

今日光电 2024-02-19 868浏览
加快投产！重庆三安半导体碳化硅衬底项目B1栋封顶

据媒体消息，日前重庆三安半导体碳化硅（SiC）衬底项目B1栋顺利封顶。其中，重庆三安半导体SiC衬底项目（生活服务设施区）总建筑面积为2.08万㎡，包括B1、B2栋、B3栋和B4栋等建筑。安意法半导体8英寸SiC外延、芯片项目（生活服务设施区）总建筑面积为3.7万㎡，包括A1栋、A2栋、A3栋、A4栋和C1栋等建筑。在B1栋顺利封顶后，该项目B2、B4、C1三栋也将在年前陆续封顶，项目整体将在20

JMInsights集摩咨询 2024-02-05 795浏览
碳化硅衬底降本关键：晶体制备技术

由瑞士万通黄金赞助的第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文在碳化硅产业链中，衬底部分占据主要价值份额，其在碳化硅器件总成本中的比重可达近50%。相较而言，在硅基半导体器件的成本结构中，硅片衬底的占比通常不超过10%。这一显著差异的根本原因在于碳化硅单晶材料制备的复杂性。不同于硅，碳化硅在常压下不存在液态，它只在固态和气态之间转换。硅可以通过液态垂直拉伸形成晶

半导体前沿 2024-01-30 763浏览

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