碳化硅 - 电子工程专辑

碳化硅

赛力斯：800V碳化硅双面散热模块设计方案公布

近日，英国华威大学工程学院和重庆赛力斯凤凰智创科技（赛力斯子公司）发表了一篇题为《基于碳化硅 MOSFET 的超低杂散电感双面散热无键合线半桥模块设计》的论文。赛力斯团队开发了一种新型双面散热、无引线键合的半桥功率模块的设计，该模块采用了银烧结技术和碳化硅 MOSFET，该模块具有几个优势：一是模拟杂散电感低至4.7nH，两并或五并的杂散电感可分别降至2.4nH和0.9nH。二是与单面散热模块

行家说汽车半导体 2025-04-10 201浏览
又一碳化硅项目，即将投产！

华为、蔚来、理想汽车、中兴通讯、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛（4月10-12日浙江宁波），共同探索AI驱动下，金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用，欢迎扫码报名：欢

DT半导体材料 2025-04-09 196浏览
五菱混动汽车正式采用碳化硅，供应商是谁？

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。昨天，上汽通用五菱举办了“2025技术进化日”上，并隆重发布了基于碳化硅的电驱系统。众所周知，全球新能源汽车两大巨头特斯拉和比亚迪已经大规模采用了碳化硅电驱系统，作为全球新能源汽车累计销量前三的车企，五菱的车型的价格

第三代半导体风向 2025-04-09 617浏览
2家IGBT/碳化硅企业爆单：增长170%；单季600万颗

新能源汽车和清洁能源市场的强劲需求推动下，功率半导体领域持续升温。智新半导体和瀚薪科技作为行业内的佼佼者，近期频频传来订单增长的喜讯：● 智新半导体：IGBT模块产量在2025年一季度同比增长170%，3月的产量突破3.7万只。● 瀚薪科技：2025年一季度碳化硅产品出货量约600万颗，其中车载产品突破350万颗。两家企业的亮眼表现不仅反映了国内新能源行业的快速发展，也预示着功率半导体技术正在成为

行家说汽车半导体 2025-04-08 614浏览
晶驰机电：实现双尺寸碳化硅生长设备！

华为、蔚来、东风汽车、中兴通讯、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛（4月10-12日浙江宁波），共同探索AI驱动下，金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用，欢迎扫码报名：欢

DT半导体材料 2025-04-05 255浏览
提升沉浸感：碳化硅镜片在AR中的应用

华为、蔚来、东风汽车、中兴通讯、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛（4月10-12日浙江宁波），共同探索AI驱动下，金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用，欢迎扫码报名：欢

DT半导体材料 2025-04-02 277浏览
长安深蓝：碳化硅在增程汽车中大有可为

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。SiC半导体的主驱应用场景仍在进一步扩大。除400V-800V纯电主驱外，增程车型也逐渐成为碳化硅技术应用的新战场。随着碳化硅成本的不断下降，增程技术的高压化已成为可能——近日，在中国电动汽车百人会论坛上，深蓝汽

第三代半导体风向 2025-04-01 471浏览
这三家碳化硅企业获得新一轮融资

华为、蔚来、东风汽车、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025（第五届）碳基半导体材料与器件产业发展论坛（4月10-12日浙江宁波），共同探索AI驱动下，金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用，欢迎扫码报名：欢迎报名交流

DT半导体材料 2025-03-27 74浏览
安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

点击蓝字关注我们安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7）IGBT技术相比，安森美EliteSiCSPM 31IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能

安森美 2025-03-18 264浏览
国产半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台，加速填补国内空白！

广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。据悉，芯粤能第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品单片最高良率超过

飙叔科技洞察 2025-03-17 355浏览
又一8英寸碳化硅外延厂房建设完成！

【DT半导体】获悉，3月7日，中国（福建）自由贸易试验区厦门片区管理委员会发布消息，瀚天天成电子科技（厦门）有限公司的8英寸碳化硅外延晶片厂房已顺利完成建设。这一里程碑式进展标志着瀚天天成在碳化硅外延晶片领域迈出了重要一步，有望为我国半导体产业的发展注入新的活力。2月28日，瀚天天成董事长赵建辉曾对外透露，公司的8英寸碳化硅外延晶片厂房建设已全部完工。目前，设备购置工作正在紧锣密鼓地进行中，预计在

DT半导体材料 2025-03-12 875浏览
观察｜比亚迪将推1000V高压平台，碳化硅平权来了？

全民智驾” 战略发布一个月后，比亚迪将在超充技术的普及上又开一枪。为了增加 EV 产品的竞争力，比亚迪正集中升级纯电新车的快充能力。3 月 9 日消息，博主 @常岩 CY 在微博发文，展示了一张称是“比亚迪新款超充设备”的实拍照片，并声称相应设备电压达 1000V，功率达 1000kW。这意味着如果车辆也支持 1000kW 超充速率，100 度的电池包可在 10-15 分钟内充满。核心参数：比亚迪

碳化硅芯观察 2025-03-12 1003浏览
【光电集成】碳化硅光电子集成技术的发展与应用

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光引未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光引未来----来源：逍遥设计自动化申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新

今日光电 2025-03-09 161浏览
META现实实验室|碳化硅填补了电子学和光子学之间的空白

最近碳化硅半绝缘衬底被应用在AR眼镜市场的新闻热度持续走高，今日，META 现实实验室发布了一篇文章，来介绍增强现实（AR）设备有望加速碳化硅（SiC）采用的具体情况，我们先来看看这篇文章的内容：以下是原文转译：长期以来，工业制造业一直青睐碳化硅 (SiC)，因为它可用作切削材料，具有与钻石相似的超高硬度，而成本大约只有钻石的一半。碳化硅的其他优良特性，包括机械强度、热导率和低密度，已将这种材料引

碳化硅芯观察 2025-03-07 260浏览
工业感应加热新势力：碳化硅登场！

READ专家博文智汇专家博见未来碳化硅在工业感应加热中的应用优势在金属熔炼、锻压成型等工业领域，感应加热堪称关键工艺，长久以来，传统硅基半导体器件立下汗马功劳。但技术飞速发展，它在能效、热导率、开关频率方面的短板越来越明显。SiC在感应加热系统中的革命性作用碳化硅（SiC）强势崛起，完美匹配工业加热系统的严苛要求，开启技术新篇章。它有着突破性物理特性，能大幅提升能效，实现卓越热管理，还能在更高

Microchip微芯 2025-03-04 261浏览
三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线

【DT半导体】获悉，2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产，这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线，项目规划全面达产后每周可以生产约1万片车规级晶圆。安意法半导体有限公司成立于2023年8月，由三安光电（股权占比51%）与意法半导体（中国）投资有限公司（股权占比49%）共同出资设立，项目计划总投资约

DT半导体材料 2025-02-27 177浏览
意法半导体：重庆8英寸碳化硅产线正式投产

今天（2月27日），全球8英寸碳化硅产业迎来了又一个里程碑时刻——重庆安意法8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（以下简称安意法）正式通线投产，这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，也将加速碳化硅从“高端器件”向“普惠技术”演进。>该合资厂由三安光电与意法半导体联合打造，总投资约230亿元人民币（约32亿美元）。预计2025年四季度实现批量生

第三代半导体风向 2025-02-27 600浏览
动态|三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线

2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产，这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线，项目规划全面达产后每周可以生产约1万片车规级晶圆。安意法半导体有限公司成立于2023年8月，由三安光电（股权占比51%）与意法半导体（中国）投资有限公司（股权占比49%）共同出资设立，项目计划总投资约230亿元，将建成年

碳化硅芯观察 2025-02-27 305浏览
华为入股！碳化硅龙头天岳先进赴港IPO！

据港交所2月24日披露，山东天岳先进科技股份有限公司(688234.SH)向港交所提交上市申请，中金公司（601995）和中信证券为其联席保荐人。招股书显示，天岳先进是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。华为是天岳先进的主要股东之一。根据弗若斯特沙利文的资料，按2023年碳化硅衬底的销售收入计，该公司是全球排名前三的碳化硅衬底制造商。天岳先进在材料

皇华电子元器件IC供应商 2025-02-25 601浏览
铌酸锂+碳化硅+SAW--52GHz表面声波共振器：基于硅化碳上的薄膜铌酸锂

摘要——本文报告了一种工作频率为52 GHz的表面声波（SAW）共振器，具有188的高品质因子（Q）和12.2 km/s的高相速度，标志着首个具有高Q值的毫米波（mmWave）SAW器件。该声波平台采用了转移到4H硅化碳（SiC）基板上的300 nm厚128Y铌酸锂（LN）薄膜。由于SiC的高刚度和声速，采用高相速度厚度剪切模式，使得频率得以显著缩放，且该模式被限制在LN-SiC堆叠结构中。12.

滤波器 2025-02-24 224浏览
芯报丨派恩杰半导体获近5亿元融资，8英寸碳化硅将于Q4量产

聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0223期❶派恩杰半导体获近5亿元融资，8英寸碳化硅将于Q4量产派恩杰半导体完成A2和A3轮合计近5亿元融资，投资方包括宁波通商基金、宁波勇诚资管等，资金将用于研发投入、供应链建设及全球化市场布局。派恩杰此轮融资标志着其在碳化硅产业升级浪潮中已抢占关键身位，即将开启发展性的新篇章。预计2025年第四季度，该公司8英寸碳化硅将实现量产，届时产品

AI芯天下 2025-02-23 274浏览
从硅到碳化硅过渡，碳化硅CascodeJFET为何能成为破局者？

本文作者：Brandon Becker，安森美（onsemi）电源解决方案事业部 (PSG) 营销经理电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基

安森美 2025-02-21 158浏览
天科合达，碳化硅AR应用新突破

【DT半导体】获悉，根据天科合达，2022年11月，OpenAI公司发布了ChatGPT，AI的魅力首次以具象化的形式走入我们的生活。2024年，Deepseek横空出世，这款开源模型凭借创新的设计大幅降低了训练成本，引爆全球舆论。纵观历史，技术的革命性突破往往需要一个最佳载体。正如电信号遇上了电报机、模拟信号遇上了大哥大、3G网络遇上了智能手机一样，AI也需要一个理想的载体来彻底改变我们的生活。

DT半导体材料 2025-02-20 267浏览
碳化硅（SiC）离子注入

离子注入在 SiC 器件制造工艺中占据着举足轻重的地位。借助离子注入技术，能够实现对 n 型区域与 p 型区域导电性的精准把控。接下来，本文将对离子注入工艺及其注意要点展开简要阐述。SiC 材料的杂质原子扩散系数极小，这使得传统的热扩散工艺难以用于制造含有施主和受主等掺杂原子的器件结构（如形成 pn 结）。因此，基于离子注入工艺的掺杂技术成为了 SiC 器件制造的关键手段。在 SiC 中进行离子注

半导体工艺与设备 2025-02-11 531浏览
200亿元！武汉碳化硅产业基地，将于今年5月量产通线！

据中国光谷消息，位于武汉新城的长飞先进武汉基地正加紧建设。这座总投资超200亿元的超大项目在极短时间内拔地而起，目前已进入设备安装调试阶段，预计今年5月实现量产通线。（来源：中国光谷，长飞先进武汉基地项目建设实景）长飞先进武汉基地一期占地面积344亩，将聚集上千位全球碳化硅半导体人才，打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。公开消息显示，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计

飙叔科技洞察 2025-02-10 363浏览

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