碳化硅 - 电子工程专辑

碳化硅

三安：8英寸碳化硅单晶材料进展

12月11-12日，行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开，湖南三安已正式确认出席本次大会。届时，湖南三安总经理助理高玉强将出席，并带来《8英寸碳化硅单晶材料进展》的主题报告。三安表示，碳化硅电力电子产业正处于6英寸向8英寸过渡阶段，8英寸单晶材料的开发是碳化硅电力电子器件成本进一步降低并大规模应用于新能源汽车的核心关键。本报告从碳化硅单晶材料的发展&

第三代半导体风向 2024-12-02 26浏览
干货|碳化硅可靠性验证要点

本文作者：Catherine De Keukeleire，安森美（onsemi）宽禁带可靠性与质量保证总监从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比

安森美 2024-11-28 33浏览
小米基金入股碳化硅；“欧洲宁德时代”破产；Altera或被收购

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！芯片圈小米基金入股碳化硅近日，芯联动力科技（绍兴）有限公司（简称“芯联动力”）发生工商变更，新增北京小米智造股权投资基金合伙企业（有限合伙）、先进制造产业投资基金二期（有限合伙）、浙江省产业基金有限公司、东风汽车旗下信之风（武汉）股权投资基金合伙企业（有限合伙）等18位股东，同时，该公司注册资本由5亿人民币增至约6.6亿人民币。芯联动力科技（绍兴）

电子工程世界 2024-11-25 52浏览
小米入股碳化硅企业！

12月5-7日，由DT新材料主办的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024）将在上海新国际博览中心隆重举办。同期针对半导体与加工主题特设4大论坛，宽禁带半导体及创新应用论坛、超硬材料与超精密加工论坛、金刚石前沿应用与产业发展论坛、培育钻石论坛，已邀请国内外知名专家和企业莅临交流，欢迎报名。免费参会，扫码了解详情联系工作人员！李蕊 13373875075据天眼查App显示，

DT半导体材料 2024-11-22 61浏览
碳化硅如何加速新能源汽车普及？你必须要知道的细节！（内附白皮书下载）

SiC充电技术革命习惯能在5分钟内完成能量补给的燃油车车主们，难免会对新能源汽车产生“里程焦虑”。这种焦虑源自于汽车的充电时间和续航能力。然而，随着充电技术的不断提升，特别是以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体技术日益成熟，新能源汽车的充电效率和整体性能迎来了革命性的提升，这不仅有望缓解车主的充电焦虑，还将加速新能源汽车的普及进程。作为一种新型半导体材料，碳化硅在电力电子驱动系统中表现出色。一方

安富利 2024-11-18 175浏览
跨界合作｜安徽芯塔与杰华特下属子公司合作开展碳化硅模组封测业务

今日，安徽芯塔电子科技有限公司官微发布消息称，公司将与杰华特微电子股份有限公司下属子公司无锡市宜欣科技有限公司，共同在浙江芯塔电子科技有限公司合作开展碳化硅模组封测业务。据悉，浙江芯塔电子科技有限公司是安徽芯塔电子和宜欣科技共同投资参股的公司，主营业务是碳化硅功率模组及其解决方案。芯塔电子表示，双方在市场拓展、应用开发、技术创新、资源整合等方面充分发挥各自优势，实现强强联合与共赢发展。杰华特成立于

碳化硅芯观察 2024-11-11 384浏览
碳化硅全球巨头宣布：关厂，裁员20%！

12月5-7日，由DT新材料主办的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024）将在上海新国际博览中心隆重举办。同期针对半导体与加工主题特设4大论坛，宽禁带半导体及创新应用论坛、超硬材料与超精密加工论坛、金刚石前沿应用与产业发展论坛、培育钻石论坛，已邀请国内外知名专家和企业莅临交流，欢迎报名。扫码，立即预报名，了解详情联系工作人员！李蕊 13373875075近日，总部位于达

DT半导体材料 2024-11-11 410浏览
媒体报道|超高压氮化镓的崛起：碳化硅能否幸存？

文章转载自”电子工程专辑”，赵明灿，11月7日近年来，氮化镓（GaN）作为一种极具吸引力的宽禁带（WBG）半导体材料，在中低压应用领域迅速崛起。这种材料凭借其高性能和小尺寸的特点，在便携式电子设备中展现出巨大潜力。然而，氮化镓的技术进步并未止步于此，其在高压应用中的潜力同样令人瞩目。近日，在国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen 2024）同期举办的2024年CEO峰会上，Power

PI电源芯片 2024-11-08 228浏览
技术分享|京都大学：在碳化硅p沟道MOSFET中反掺杂对阈值电压和迁移率的影响

写在前面：大家周三晚上好呀~不知道你们看不看二堡老师，他最近在连载他对日本富士碳化硅沟槽MOSFET器件结构的研究和看法。此前他还在分享海外的企业纷纷向沟槽栅布局的趋势和结构，以及国内的进展。建议感兴趣的朋友都可以去看看二堡老师的日常碎碎念。无奈我不懂技术，只能看个热闹。但是我也还是想各个渠道找些好的技术文章给你们分享，我们共同学习一起进步！今天这篇报告来自京都大学电子科学与工程系的教师和研究生们

碳化硅芯观察 2024-10-30 312浏览
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS

纳芯微电子 2024-10-29 294浏览
如何调整碳化硅MOSFET驱动减少功率损耗

文章首尾冠名广告正式招商，功率器件：IGBT，MOS，SiC，GaN，磁性器件，电源芯片，DSP，MCU，新能源厂家都可合作，有意者加微信号1768359031详谈。说明：本文来源网络；文中观点仅供分享交流，不代表本公众号立场，转载请注明出处，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。电力电子技术与新能源通讯录：重点如何下载《如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗》板块内高清PDF电子书

电力电子技术与新能源 2024-10-28 213浏览
【今日分享】探索未来科技之光——菲莱硅光老化技术与碳化硅设备的革新之旅

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----菲莱科技在硅光科技领域持续深耕，锐意进取，不断突破技术壁垒。近年来，我们成功研发了高性能硅光老化系统，该系统凭借卓越的性能与稳定性，赢得了市场的广泛认可，并顺利完成了多笔重要订单，奠定了坚实的市场基础。展望未来，我们即将

今日光电 2024-10-26 274浏览
高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型，一文告诉您

点击蓝字关注我们电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇，将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估，并介绍其典型的应用市场与安森美(onsemi)可提供的高新能产品选型。隔离能力隔离能

安森美 2024-10-24 255浏览
红旗碳化硅功率芯片完成首次流片

10 月 23 日消息，一汽红旗昨日宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。IT之家获悉，该款碳化硅功率芯片从产品核心指标定义、衬底与外延材料选择、元胞结构设计、动静态性能仿真、工艺仿真、版图设计、晶圆流片到晶圆封测，实现全链条主导开发。官方表示，该款芯片聚焦整车电驱动、智慧补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统应用需求，创新采用低导通电阻元胞结构、高元

WitDisplay 2024-10-23 416浏览
潍坊寿光碳化硅项目试产

碳化硅作为重要的高端精密材料，被广泛应用于石油化工、冶金机械、新能源等领域，具有很强的市场需求。在寿光市田柳镇，就有一家专门生产碳化硅的企业——山东硅瓷新材料有限公司，该企业去年新上的年产3000吨碳化硅新材料项目目前已进入试产阶段。来到该项目的生产现场看到，烧结炉、烘干机等设备已全部安装完成，全自动的数控雕刻机正高效运转。山东硅瓷新材料有限公司生产车间主任张彦庆说，“现在我们的生产线基本实现了智

WitDisplay 2024-10-22 253浏览
210亿碳化硅晶圆厂项目或告吹

10月22日消息，知情人士称，采埃孚已放弃向美国芯片制造商Wolfspeed投资1.7亿欧元，支持后者在德国恩斯多夫建设200毫米碳化硅晶圆工厂的计划。据悉，这一预计耗资27.5亿欧元（211.7692亿元人民币）的项目将不会建成。报道称，Wolfspeed已陷入严重亏损，而其美国工厂正面临严重的技术问题。来源：德国商报汽车半导体交流群

WitDisplay 2024-10-22 302浏览
碳化硅切片技术迎来重大革新，助力高质量工业化生产

碳化硅 (SiC) 是一种宽带隙半导体，具备优异的热学和光电性能，被广泛认为是高压、低损耗电力电子器件的理想材料。其带隙范围在2.3到3.3eV之间，而SiC功率器件的击穿电场强度比第一代半导体高出近10倍，这使得它在大功率和高压设备中占据关键地位。此外，SiC能自然氧化生成二氧化硅，使得基于MOS的全系列大功率电子器件的制造成为可能。凭借其高硬度、耐高温、耐腐蚀等卓越的物理化学稳定性，SiC还展

DT半导体材料 2024-10-21 419浏览
聚焦碳化硅项目，钜芯半导体等三方达成合作

10月17日，据“融中心”消息，大连市中韩经济文化交流协会、韩中文化协会及安徽钜芯半导体科技有限公司（以下简称：钜芯半导体）在安徽省池州市举行了一场签约仪式。此次签约标志着三方在碳化硅领域的合作正式开始。据悉，三方本次合作的核心内容围绕碳化硅衬底、碳化硅外延片及汽车空调关键零部件的生产展开，将共同打造高质量的碳化硅产品生产线。source：钜芯半导体据了解，今年以来，部分韩国半导体厂商正在持续发力

化合物半导体市场 2024-10-18 387浏览
13.5亿！江苏这个碳化硅/氮化镓项目即将竣工投产

10月17日，据无锡市新吴区官网消息，位于无锡市高新区（新吴区）的新洁能总部基地及产业化项目即将竣工投产。据悉，新洁能总部基地及产业化项目总投资13.5亿元，用地面积约3.17万平方米，建筑面积约5.4-5.7万平方米，该项目于2023年1月开工建设，预计2024年底竣工投用。source：无锡市新吴区该项目建成投产后，预计年产碳化硅/氮化镓功率器件2640万只；年产14.52亿只IC及智能功率模

化合物半导体市场 2024-10-18 371浏览
碳化硅/氮化镓：排队“上车”

碳化硅和氮化镓在汽车产业的应用，似乎正在“渐入佳境”。其中，碳化硅功率器件加速“上车”趋势已十分明朗，近年来，越来越多的新能源新车型导入了碳化硅技术，而在近期，星途品牌全新纯电SUV星纪元STERRAES、第二代AION V埃安霸王龙、鸿蒙智行首款豪华旗舰轿车享界S9、2025款海豹、2025款极氪007、岚图汽车旗下岚图知音SUV等搭载碳化硅的新车型密集发布，碳化硅和新能源汽车组“CP”已蔚然成

化合物半导体市场 2024-10-18 428浏览
技术|如何利用解决碳化硅栅极氧化物问题，提高SiC晶圆产量？

在推动碳化硅（SiC）功率器件制造成本节约的过程中，多数时候我们会非常关注衬底供应及其潜在成本、自动化200毫米晶圆厂，以及向沟槽器件架构的转变。然而，在SiC MOSFET的制造和设计中，最大的挑战（和成本）仍然是最古老的问题：如何在SiC表面形成高质量和可靠的介电层（氧化物），或者——如果未能实现这一点——如何通过工艺变通、器件设计和测试来应对不完美的氧化物。碳化硅作为宽带隙半导体的最大优势之

碳化硅芯观察 2024-10-17 561浏览
6万片/月，深圳这条8英寸碳化硅产线年底通线

10月16日，在首届湾芯展SEMiBAY开幕式上，深圳方正微电子有限公司（下文简称“方正微电子”）发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品，还表示公司8英寸碳化硅产线将于2024年年底通线。source:方正微电子据方正微电子副总裁/产品总经理彭建华介绍，公司当前有两个Fab。其中，Fab1已实现6英寸碳化硅晶圆9000片/月的生产能力，到2024年底，这一数字预计将增长至每月1

化合物半导体市场 2024-10-17 513浏览
芯聚能：碳化硅在新能源汽车领域的应用前景及挑战

10月17日，“新型功率半导体与新能源应用高峰论坛”即将在深圳召开，芯聚能已正式确认出席本次大会，届时，芯聚能总裁周晓阳将带来《碳化硅在新能源汽车领域的应用前景及挑战》的主题演讲。芯聚能自2018年11月成立以来，始终专注于碳化硅功率半导体产品应用，旗下车规级碳化硅功率模块广泛应用于新能源汽车主驱等领域。9月29日，芯聚能新一代V5系列模块宣布定点6家车厂10个项目，涵盖纯电、混动车型，400V-

第三代半导体风向 2024-10-16 390浏览
3.5万片/月，晶圆代工大厂拟扩产8英寸碳化硅

10月13日，据韩媒报道，韩国东部高科（DB HiTek）于11日宣布，其将在忠清北道 Eumseong的Sangwoo园区内投资扩建半导体洁净室，计划先行建设8英寸碳化硅产线。source：拍信网东部高科某高层表示，这项投资将利用Sangwoo园区的一个闲置厂房，建立半导体生产基础；该公司预计到2027年10月末将投入总计2500亿韩元（约13亿人民币）、到2030年投入1.7万亿韩元（约89亿

化合物半导体市场 2024-10-15 363浏览
16.6亿，成都这个碳化硅设备相关项目预计年内完工

10月14日，据“成都发布”官微消息，成都莱普科技股份有限公司（以下简称：莱普科技）的全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目目前正处于内外装施工阶段，预计今年年底前完工，明年实现设备搬入、投产。source：成都高新据悉，该项目位于成都市高新区，总投资16.6亿元，占地面积39亩，建筑面积6.5万平米，于2023年10月开工建设，预计2025年5月前通过并联并行竣工验收，2026年5月全面达产。建

化合物半导体市场 2024-10-15 419浏览

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