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东芝:功率MOSFET——双面冷却封装+陶瓷基板
来源:芯TIP报告主题:东芝:功率MOSFET——双面冷却封装+陶瓷基板报告作者:TOSHIBA报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)推动设计考虑的电力电子趋势;功率 MOSFETS 双面冷却封装,陶瓷基板报告详细内容参考来源:Power electronics trends driving design considerations Power MOSFETS Dual Side Coo
云脑智库
2022-10-17
1356浏览
技术讨论|双面冷却的功率模块技术
我在通用的前同事刘名写了一篇《Comprehensive Review and State of Development of Double-Sided Cooled Package Technology for Automotive Power Modules》,一方面把早期的一些DCS早期的概念设计,一方面也把商用的功率模块的参数做了一些梳理。原文很长,我在这里归纳梳理有几点:●功率模块Wir
汽车电子设计
2022-10-14
2292浏览
10kVSiCMOSFET封装:双面冷却+横向弹簧针端子
报告主题:10 kV SiC MOSFET封装:双面冷却和横向弹簧针端子报告作者:Mark Cairnie报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)中压 SiC 的新兴应用中压碳化硅封装的挑战目标:开发高密度、10 kV SiC MOSFET 封装封装结构双面散热结构钼互连的优点横向弹簧针接口热阻测量开关结果总结报告详细内容参考来源: Thermal and Thermomechanical
云脑智库
2022-09-28
1207浏览
【产品影片】Vishay TrenchFET第四代顶侧双面冷却MOSFET
Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却,另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号:25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C
贸泽电子设计圈
2020-04-20
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